半导体装置制造方法及图纸

实施方式提供一种性能更高的半导体装置。一实施方式的半导体装置具备第1电流电路、第1电阻、第2电阻、第2电流电路、第3电阻。第1电流电路构成为使用第1电位在第1输出节点输出第1电流。第1电阻连接于第1输出节点。第2电阻具有与第1输出节点连接的第1端、及第2端。第2电流电路构成为使用比第1电位高的第2电位在第2输出节点输出第2电流。第3电阻位于第2输出节点与第2电阻的第2端之间。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置[相关申请案]本申请案享受以日本专利申请案2018-241538号(申请日期：2018年12月25日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参考该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
概括来说，实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
已知有非易失地保存数据的半导体存储装置。
技术实现思路
实施方式提供一种性能更高的半导体装置。一实施方式的半导体装置具备第1电流电路、第1电阻、第2电阻、第2电流电路、第3电阻。第1电流电路构成为使用第1电位在第1输出节点输出第1电流。所述第1电阻连接于所述第1输出节点。所述第2电阻具有与所述第1输出节点连接的第1端、及第2端。所述第2电流电路构成为使用比所述第1电位高的第2电位在第2输出节点输出第2电流。所述第3电阻位于所述第2输出节点与所述第2电阻的所述第2端之间。附图说明图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的功能模块、及相关要素的图。图2是表示第1实施方式的1个块的要素及连接、以及相关要素的图。<br>图3是表示第1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具备：/n第1电流电路，构成为使用第1电位在第1输出节点输出第1电流；/n第1电阻，连接于所述第1输出节点；/n第2电阻，具有与所述第1输出节点连接的第1端、及第2端；/n第2电流电路，构成为使用比所述第1电位高的第2电位在第2输出节点输出第2电流；以及/n第3电阻，位于所述第2输出节点与所述第2电阻的所述第2端之间。/n

【技术特征摘要】
20181225 JP 2018-2415381.一种半导体装置，具备：
第1电流电路，构成为使用第1电位在第1输出节点输出第1电流；
第1电阻，连接于所述第1输出节点；
第2电阻，具有与所述第1输出节点连接的第1端、及第2端；
第2电流电路，构成为使用比所述第1电位高的第2电位在第2输出节点输出第2电流；以及
第3电阻，位于所述第2输出节点与所述第2电阻的所述第2端之间。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
所述第1电流电路构成为，接收第3电位，基于所述第3电位与第1节点的电位的比较，输出所述第1电流，
所述第2电流电路构成为，接收所述第3电位，基于所述第3电位与第2节点的电位的比较，输出所述第2电流。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中
所述第1电位及所述第2电位从比所述第1电位低的第4电位产生。


4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中
所述第1节点的电位基于所述第1输出节点的电位，
所述第2节点的电位基于所述第2输出节点的电位。


5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中
所述第1电流电路
还包含：第4电阻，与所述第1节点连接，与所述第1电阻匹配；且
构成为，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：出口阳子，吉原正浩，鎌田义彦，児玉择洋，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP