电阻存储器设备和操作电阻存储器设备的方法技术

公开一种电阻存储器设备和操作电阻存储器设备的方法。在实施例中，电阻存储器设备可包括存储器单元，所述存储器单元包括至少两个晶体管和电阻元件。所述电阻存储器设备还可包括：位线，通过所述位线与所述存储器单元交换数据，其中所述位线以电子方式与所述存储器单元互连；以及位线调节器，所述位线调节器连接到所述位线。所述位线调节器能够基于所述电阻元件的状态来调节所述位线。形成信号和电压设置可通过所述位线调节器且跨越所述位线传输到所述存储器单元。

【技术实现步骤摘要】
电阻存储器设备和操作电阻存储器设备的方法
本专利技术涉及一种电阻存储器设备和操作电阻存储器设备的方法。
技术介绍
非易失性存储器可用于广泛多种商用、军用电子装置和设备。RRAM(电阻性随机存取存储器)因其简单的结构和在RRAM的形成和操作中涉及的CMOS(互补金属氧化物半导体)逻辑兼容工艺技术而成为下一代非易失性存储器技术的有前景候选者。RRAM，也称为ReRAM，是一种可通过改变专门制定的固体电介质材料的电阻而操作的非易失性存储装置形式。RRAM单元可包括包夹在顶部电极与底部电极之间的金属氧化物材料。此金属氧化物材料可拥有可变电阻，其电阻等级可对应于存储在RRAM单元中的数据状态。
技术实现思路
公开一种电阻存储器设备和操作电阻存储器设备的方法的实施例。在实施例中，电阻存储器设备可包括存储器单元，所述存储器单元可包括至少两个晶体管和电阻元件。所述电阻存储器设备还可包括位线，可通过所述位线与存储器单元交换数据，其中所述位线以电子方式与所述存储器单元互连。所述电阻存储器设备还可包括连接到位线的位线调节器，其中所述位线调本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电阻存储器设备，其特征在于，包括：/n存储器单元，所述存储器单元包括至少两个晶体管和电阻元件；/n位线，通过所述位线与所述存储器单元交换数据，其中所述位线以电子方式与所述存储器单元互连；以及/n位线调节器，所述位线调节器连接到所述位线，其中所述位线调节器基于所述电阻元件的状态来调节所述位线，其中形成信号和电压设置通过所述位线调节器且跨越所述位线传输到所述存储器单元。/n

【技术特征摘要】
1.一种电阻存储器设备，其特征在于，包括：
存储器单元，所述存储器单元包括至少两个晶体管和电阻元件；
位线，通过所述位线与所述存储器单元交换数据，其中所述位线以电子方式与所述存储器单元互连；以及
位线调节器，所述位线调节器连接到所述位线，其中所述位线调节器基于所述电阻元件的状态来调节所述位线，其中形成信号和电压设置通过所述位线调节器且跨越所述位线传输到所述存储器单元。


2.根据权利要求1所述的电阻存储器设备，其特征在于，所述电阻元件包括可变电阻器。


3.根据权利要求1所述的电阻存储器设备，其特征在于，所述位线调节器在所述形成信号传输到所述存储器单元的形成操作期间引导到所述存储器单元。


4.根据权利要求1所述的电阻存储器设备，其特征在于，进一步包括与所述存储器单元互连的字线、源极线和中间感测线。


5.根据权利要求4所述的电阻存储器设备，其特征在于，所述位线调节器包括在写入操作期间连接到所述中间感测线的电容分压器，所述写入操作涉及在所述位线处将数据写入到所述存储器单元。


6.根据权利要求4所述的电阻存储器设备，其特征在于，所述中间感测线在重置写入模式中连接到所述源极线以增大所述存储器单元的所述至少两个晶体管中的至...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·罗伊，唐衍哲，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US