用于执行存储器操作的可变电阻式存储器装置与方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可变电阻式存储器装置，包括：可变电阻式存储器阵列、感测放大器以及升压电路。感测放大器耦合至可变电阻式存储器阵列，并且被配置用以感测存储单元的电阻值。升压电路耦合到可变电阻式存储器阵列的存储单元，并且被配置用以根据存储单元的电阻值在重置期间的升压期间中推升重置电压。升压期间始于该重置期间的起点，并且存储单元在重置期间被重置电压偏压以执行重置操作。另外，提出一种用于可变电阻式存储器的重置操作方法。

【技术实现步骤摘要】
用于执行存储器操作的可变电阻式存储器装置与方法
本专利技术涉及一种非易失性半导体存储器装置，尤其涉及一种用于执行存储器操作的可变电阻式存储器装置与方法。
技术介绍
非易失性半导体存储器(Non-volatilesemiconductormemory,RRMA)装置，尤其是应用于各种的电子设备，例如电脑、数码相机，智能手机之类的RRAM装置。RRAM设备包括多个RRAM胞，其被配置为根据RRAM胞的电阻值存储信息。举例来说，RRAM胞的低电阻状态对应于逻辑值“1”，并且RRAM胞的高电阻状态对应于逻辑值“0”。为了将特定RRAM胞的电阻状态从低电阻状态改变为高电阻状态，RRAM装置经由在特定RRAM胞的电阻元件上施加重置电压来对特定RRAM胞执行重置(reset)操作。然而，当特定RRAM胞的电阻值太小时，重置电压可能不会大到足以触发重置操作。结果，重置操作无法执行，并且降低了RRAM装置的性能与可靠性。随着RRAM装置的普及，期望具有能够解决上述问题并改善RRAM装置的性能和可靠性的RRAM装置以及操作方法。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法，包括：/n感测所述存储单元的电阻值；/n在重置期间的升压期间，依据所述存储单元的所述电阻值推升重置电压，以产生经升压重置电压，其中所述升压期间始于所述重置期间的起点；以及/n在重置期间以所述经升压重置电压对所述存储单元进行偏压，以执行重置操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法，包括：
感测所述存储单元的电阻值；
在重置期间的升压期间，依据所述存储单元的所述电阻值推升重置电压，以产生经升压重置电压，其中所述升压期间始于所述重置期间的起点；以及
在重置期间以所述经升压重置电压对所述存储单元进行偏压，以执行重置操作。


2.根据权利要求1所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法，其中依据所述存储单元的所述电阻值决定所述升压期间的长度以及所述经升压重置电压的电平。


3.根据权利要求2所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法，其中所述升压期间的所述长度与所述经升压重置电压的所述电平之中至少一者随所述存储单元的所述电阻值的减少而增加。


4.根据权利要求1所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法，其中所述重置期间的所述升压期间小于所述重置期间的非升压期间。


5.根据权利要求1所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法，其中在所述重置期间的所述升压期间，依据所述存储单元的所述电阻值推升所述重置电压的步骤包含：
在所述重置期间的所述升压期间，推升耦接于所述存储单元的字线的字线电压，其中所述重置电压随所述字线电压的增加而增加。


6.根据权利要求1所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法，其中在所述重置期间的所述升压期间，依据所述存储单元的所述电阻值推升所述重置电压的步骤包含：
在所述重置期间的所述升压期间，推升耦接于所述存储单元的源线的源线电压，其中所述重置电压随所述源线电压的增加而增加。


7.根据权利要求1所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法，其中在所述重置期间的所述升压期间，依据所述存储单元的所述电阻值推升所述重置电压的步骤包含：
在所述重置期间的所述升压期间，降低耦接于存储单元的位线的位线电压，其中所述重置电压随所述位线电压的减少而增加。


8.根据权利要求1所述的包含存储单元的可变电阻式存储器装置的重置操作方法，其中
所述可变电阻式存储器装置的多个存储单元同时被执行所述重置操作；
所述多个存储单元中的第一存储单元被施加的第一重置电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄科颕，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71