【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种直拉法单晶硅生产用石英坩埚。
技术介绍
半导体材料是半导体工业的基础材料，当今95％以上的半导体器件是用硅材料制造的，99％以上的集成电路是硅集成电路，生产集成电路所需要的原料是单晶硅，其中用直拉法生产的单晶硅占了总数的约85％。直拉法生产单晶硅时需要将块状的高纯度多晶硅置于石英坩埚内，加热到其熔点1420℃以上，使其完全融化，然而熔融的硅熔体会与石英坩埚内壁产生化学反应，对石英坩埚内壁产生侵蚀，影响石英坩埚的在高温下的强度，同时也降低了单晶硅晶体的晶格完整性。
技术实现思路
本技术的目的就是提供一种不会被熔融的硅熔体侵蚀、高温下具有高强度并改善硅晶体晶格的完美性的石英坩埚。本技术的单晶硅生产用石英坩埚具有本体，本体内壁具有保护涂层。上述单晶硅生产用石英坩埚的埚体内壁的保护涂层为碳酸钡涂层。上述单晶硅生产用石英坩埚的埚体内壁的保护涂层的厚度为1至3微米。本实用新内壁的碳酸钡涂层可与硅产生化学反应，生成性质稳定的硅酸钡，硅酸钡附着在石英坩埚的内壁，不会与高温硅熔体产生化学反应，所以在单晶硅的生产过程中，石英坩埚的内壁不会被高温硅熔体侵蚀，高温下具有高强度并改善硅晶体晶格的完美性的石英坩埚。具有较高的实用价值。附图说明为了使本技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本技术的具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明，其中图1为本技术的结构示意图。具体实施方式见图1，本技术具有本体1，本体1内壁具有保护涂层，本实施例中保护涂层为碳酸钡涂层，碳酸钡涂层的厚度为1至3微米。碳酸钡涂层2可与硅产生化学反应，生成性质稳定的硅酸钡，硅酸钡附着在石英坩埚的内壁，...
【技术保护点】
一种直拉法单晶硅生产用石英坩埚，具有本体（１）；其特征在于：本体内壁具有保护涂层（２）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高纪庆，杨晓忠，
申请(专利权)人：常州天合光能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]
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