【技术实现步骤摘要】
一种微纳结构固化方法
本专利技术涉及半导体微纳结构制造
，特别涉及一种微纳结构固化方法。
技术介绍
现代集成电路工艺不断向着更小特征尺寸和更大晶圆尺寸方向发展，例如特征尺寸进入10纳米以及晶圆直径大于12寸，这对微电子器件制作工艺提出了更大的挑战。因为在微电子器件的制造过程中，随着特征尺寸的进一步减小和结构复杂程度的进一步提高，晶圆上的微纳结构的塌陷已成为日益严重的问题。结构塌陷的原因有很多，例如受到外界力的作用、结构自身的应力、较弱的结构材料以及干燥过程中的表面张力等。半导体微纳结构的一般制造过程通常是先在晶圆上生长薄膜，然后旋涂光刻胶(或称为抗蚀剂)，接着进行光刻曝光，要想获得质量高的微纳结构图形，高分辨率的光刻技术是其必要条件。采用高分辨率光刻技术加工处理后的抗蚀剂微纳图形结构，其后续处理工艺也直接影响着微纳结构图形的质量，尤其是抗蚀剂图形的处理，由于显影过程是湿法工艺，所以晶圆上的微纳图形结构内可能存留少量的水分，特别是深沟深槽内，这些水分在干燥过程往往会因表面张力作用而造成微纳图形结构的塌陷，因此，如...
【技术保护点】
1.一种微纳结构固化方法，其特征在于，所述方法包括：/n将经显影后具有微纳图形结构的晶圆放置于去离子水溶液中，用所述去离子水溶液置换出所述晶圆上的显影液；/n将置换完成的所述晶圆放置在微波干燥腔室内的载片台上，开启真空吸附装置，将所述晶圆固定在所述载片台上；/n启动微波功率源，通过微波耦合匹配器将微波功率完全施加至所述微波干燥腔室内，对所述晶圆上的微纳图形结构进行微波干燥固化；/n微波功率源预干燥一段时间后，启动与所述微波干燥腔室连接的真空泵组，将所述微波干燥腔室内的水汽排除至所述微波干燥腔室外，以使得所述晶圆上的微纳图形结构内的水分去除，关闭所述微波功率源和所述真空泵组，...
【技术特征摘要】
1.一种微纳结构固化方法，其特征在于，所述方法包括：
将经显影后具有微纳图形结构的晶圆放置于去离子水溶液中，用所述去离子水溶液置换出所述晶圆上的显影液；
将置换完成的所述晶圆放置在微波干燥腔室内的载片台上，开启真空吸附装置，将所述晶圆固定在所述载片台上；
启动微波功率源，通过微波耦合匹配器将微波功率完全施加至所述微波干燥腔室内，对所述晶圆上的微纳图形结构进行微波干燥固化；
微波功率源预干燥一段时间后，启动与所述微波干燥腔室连接的真空泵组，将所述微波干燥腔室内的水汽排除至所述微波干燥腔室外，以使得所述晶圆上的微纳图形结构内的水分去除，关闭所述微波功率源和所述真空泵组，对所述晶圆进行进一步干燥固化后，取出所述晶圆。
2.根据权利要求1所述的微纳结构固...
【专利技术属性】
技术研发人员：李勇滔，景玉鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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