【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含硅氧烷型添加剂的组合物用于在处理具有50nm或更小的线性空间尺寸的图案化材料时避免图案塌陷的用途本专利技术涉及组合物用于制造集成电路器件、光学器件、微机械和机械精密器件的用途，尤其涉及避免图案塌陷。专利技术背景在制造具有LSI、VLSI和ULSI的IC的方法中，通过光刻技术制备图案化材料层，如图案化光致抗蚀剂层；含有氮化钛、钽或氮化钽或由其组成的图案化阻隔材料层；含有例如交替多晶硅及二氧化硅层或氮化硅层的堆栈或由其组成的图案化多堆栈材料层；含有二氧化硅或低k或超低k介电材料或由其组成的图案化介电材料层。现如今，该图案化材料层包含具有甚至低于22nm尺寸及高纵横比的结构。无关于曝光技术，小图案的湿式化学处理无论如何涉及多个问题。由于技术发展且尺寸要求变得越来越严格，因此在基板上需要图案包括相对较薄且较高的器件结构的结构或零件(feature)，即具有高纵横比的零件。由于从化学冲洗和离心干燥工艺中残留且位于相邻图案化结构之间的冲洗液体去离子水的液体或溶液的过度毛细管力，这些结构可能发生弯曲和/或塌陷，特别是在离心干燥工艺期间。<...
【技术保护点】
1.包含有机溶剂和至少一种式I-IV的添加剂的非水性组合物用于处理包含具有50nm或更小的线性空间尺寸和4或更大的纵横比的图案的基板的用途：/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171103 EP 17199807.31.包含有机溶剂和至少一种式I-IV的添加剂的非水性组合物用于处理包含具有50nm或更小的线性空间尺寸和4或更大的纵横比的图案的基板的用途：
其中：
R1、R2独立地选自H或C1-C10烷基，
n为0、1或2，
e、u、v为独立地选自0-5的整数，
b、d、w为独立地选自0-6的整数，
a、c、x为独立地选自1-22的整数，
y为1-5的整数，
R10、R12独立地选自H或C1-C10烷基，且
R11对于各a、c和x独立地选自H、甲基和乙基，
其中式I、II、III或IV的所述至少一种添加剂以约0.00005-约1.0重量％的浓度存在，基于该组合物的总重量。
2.如权利要求1所述的用途，其中所述有机溶剂为极性质子有机溶剂。
3.如权利要求1所述的用途，其中所述有机溶剂为直链或支化C1-C10烷链烷醇。
4.如权利要求3所述的用途，其中所述有机溶剂为异丙醇。
5.如前述权利要求中任一项所述的用途，其中所述非水性组合物中的水含量低于0.1重量％。
6.如前述权利要求中任一项所述的用途，其中所述非水性组合物基本上由所述有机溶剂和式I、II、III或IV的所述至少一种添加剂组成。
7.如前述权利要求中任一项所述的用途，其中式I、II、III或IV的所述至少一种添加剂以0.001-0.1重量％的浓度存在。
8.如前述权利要求中任一项所述的用途，其中所述至少一种添加剂为式I化合物，其中：
R1、R2独立地选自H、甲基或乙基，
e为0、1或2，
b、d为0、1或2，
a、c为独立地选自1-22的整数，
R10、R12独立地选自H、甲基或乙基，且
R11选自甲基或乙基，优选甲基。
9.如权利要求1-7中任一项所述的用途，其中所述至少一种添加剂为式II化合物，其中：
R1、R2为甲基，
e为0、1或2，且
R10、R12独立地选自甲基或乙基。
10.如权利要求1-7中任一项所述的用途，其中所述至少一种添加剂为式III化合物，其中：
R1、R2为甲基或...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·勒夫勒，M·C·沈，S·H·魏，F·皮龙，L·恩格布莱希特，Y·伯克，A·克里普，M·布里尔，S·奇霍尼，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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