一种用于50~70nm真空紫外波段的偏振多层膜及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种用于50～70nm真空紫外波段的偏振多层膜及其制备方法，属于薄膜制备技术领域。本发明专利技术采用“亚四分之一波长”设计思想，与非周期多层膜技术相结合，实现50～70nm的真空紫外波段，能量连续可调的宽带的偏振多层膜。横向梯度多层膜与非周期多层膜是极紫外与软X射线波段范围内实现宽通带的两种方法。在极紫外与软X射线波段，横向梯度多层膜可以实现宽带可调的基础在于，所有材料的光学常数都接近于1，因此多层膜物理周期厚度约等于其光学厚度，所以当实现多层膜物理厚度在横向梯度方向上线性变化时，就实现了在横向梯度方向上光学厚度的线性变化，进而实现宽带可调，即在较高反射率前提下，实现了偏振度的提高。

【技术实现步骤摘要】
一种用于50～70nm真空紫外波段的偏振多层膜及其制备方法
本专利技术涉及薄膜制备
，尤其涉及一种用于50～70nm真空紫外波段的偏振多层膜及其制备方法。
技术介绍
真空紫外波段介于极紫外波段与可见光波段之间，这一波段内存在着大量轻元素的共振线。近几十年，随着高亮度的同步辐射光源的迅速发展，科学家们对材料在这一波段内光学性能的表征的研究兴趣日益增强。偏振特性是同步辐射光源的优异特性之一，通过测量材料引起的光强和偏振状态的变化就可以获得相关材料的重要信息。要实现真空紫外波段偏振的定量测量就需要研究同步辐射真空紫外波段光束线的偏振状态，研制相应工作波段的偏振光学元件。在真空紫外波段范围内，可以利用全反射临界角附近的多次反射来制成偏振元件，通过调整角度可以改变对应的工作能区。然而由于在这一波段内材料表现出的强吸收的特性，可以充当光学薄膜的材料很少，这一特点决定了设计真空紫外波段的光学薄膜元件极其困难，设计方法也不同于传统的基于“四分之一波长膜系”的光学薄膜元件，为此，相关研究者从薄膜材料的选择、薄膜膜系的设计理论以及薄膜制作工艺等方面进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于50～70nm真空紫外波段的偏振多层膜，其特征在于，包括在基底表面依次层叠设置的第一SiC层、第一Al层、第一MgF

【技术特征摘要】
1.一种用于50～70nm真空紫外波段的偏振多层膜，其特征在于，包括在基底表面依次层叠设置的第一SiC层、第一Al层、第一MgF2层、第二SiC层、第二Al层、第二MgF2层、第三SiC层、第三Al层和第三MgF2层；
当50～70nm真空紫外波段的光以60°入射时，所述第一SiC层的厚度为10±0.6nm，所述第一Al层的厚度为0.5±0.03nm，所述第一MgF2层的厚度为0.5±0.03nm，所述第二SiC层的厚度为30±1.8nm，所述第二Al层的厚度为0.5±0.03nm，所述第二MgF2层的厚度为0.5±0.03nm，所述第三SiC层的厚度为20±1.2nm，所述第三Al层的厚度为15.49±0.9294nm，所述第三MgF2层的厚度为7.19±0.4314nm；所述偏振多层膜的厚度为84.68±5.0808nm；
当50～70nm真空紫外波段的光以45°入射时，所述第一SiC层的厚度为0.5±0.03nm，所述第一Al层的厚度为0.5±0.03nm，所述第一MgF2层的厚度为10±0.6nm，所述第二SiC层的厚度为30±1.8nm，所述第二Al层的厚度为20.93±1.2558nm，所述第二MgF2层的厚度为0.5±0.03nm，所述第三SiC层的厚度为20.26±1.2156nm，所述第三Al层的厚度为8.23±0.4938nm，所述第三MgF2层的厚度为5.43±0.3258nm；所述偏振多层膜的厚度为96.35±5.781nm。


2.根据权利要求1所述的偏振多层膜，其特征在于，当50～70nm真空紫外波段的光以60°入射时，所述第一SiC层的厚度为10nm，所述第一Al层的厚度为0.5nm，所述第一MgF2层的厚度为0.5nm，所述第二SiC层的厚度为30nm，所述第二Al层的厚度为0.5nm，所述第二MgF2层的厚度为0.5nm，所述第三SiC层的厚度为20nm，所述第三Al层的厚度为15.49nm，所述第三MgF2层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱杰，金宇，冀斌，陈溢祺，朱忆雪，朱东风，朱运平，金长利，
申请(专利权)人：苏州江泓电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32