【技术实现步骤摘要】
功率器件雪崩耐量测试系统及测试方法
本申请涉及半导体器件测试
,具体而言,涉及一种功率器件雪崩耐量测试系统及测试方法。
技术介绍
在向功率器件的PN结施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起功率器件的雪崩衰减,此时功率器件可吸收的能量称为雪崩耐量,用于表示施加电压时的抗击穿特性。对于那些在功率器件两端产生较大尖峰电压的应用场合,就要考虑功率器件的雪崩耐量,电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定。对于反激式开关电源的应用场合,电路关断时会产生较大的电压尖峰,通常在这种情况下,功率器件都会降低额定电压,从而预留足够的电压余量。但是,一些电源在输出短路时,变压器的初级会产生较大的电流,加上初级电感,功率器件就会有雪崩损坏的可能。因此在这样的应用条件下,就要考虑功率器件的雪崩耐量。另外,由于一些电机的负载是感性负载,而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流,因此也要考虑功率器件的雪崩耐量。然而现有功率器件的雪崩耐量测试,往往测试温度不变,无法模拟不同测试温度下功率器件的雪崩耐量,如此,就无法对不同环境温度下功率器件 ...
【技术保护点】
1.一种功率器件雪崩耐量测试系统,其特征在于,包括:功率器件测试电路、电信号采集电路、雪崩耐量计算子系统及环境温度控制子系统;/n所述电信号采集电路与所述功率器件测试电路中的待测试功率器件连接,用于采集所述待测试功率器件在导通时的压降及电流;/n所述雪崩耐量计算子系统与所述电信号采集电路连接,用于根据所述电信号采集电路采集的压降及电流计算得到所述待测试功率器件发生二次击穿所需的雪崩耐量;/n所述环境温度控制子系统为所述待测试功率器件提供可调的工作环境温度。/n
【技术特征摘要】
1.一种功率器件雪崩耐量测试系统,其特征在于,包括:功率器件测试电路、电信号采集电路、雪崩耐量计算子系统及环境温度控制子系统;
所述电信号采集电路与所述功率器件测试电路中的待测试功率器件连接,用于采集所述待测试功率器件在导通时的压降及电流;
所述雪崩耐量计算子系统与所述电信号采集电路连接,用于根据所述电信号采集电路采集的压降及电流计算得到所述待测试功率器件发生二次击穿所需的雪崩耐量;
所述环境温度控制子系统为所述待测试功率器件提供可调的工作环境温度。
2.如权利要求1所述的功率器件雪崩耐量测试系统,其特征在于,所述环境温度控制子系统包括温控箱,所述待测试功率器件设置在所述温控箱内。
3.如权利要求1或2所述的功率器件雪崩耐量测试系统,其特征在于,所述功率器件测试电路包括:直流电源、待测试功率器件、驱动电压提供子电路及导通控制子电路;
所述待测试功率器件包括控制电极、第一电极和第二电极,所述控制电极与所述驱动电压提供子电路连接、所述第一电极与所述直流电源的正极连接、所述第二电极与所述直流电源的负极分别接地;所述直流电源为所述待测试功率器件提供直流偏置电压,所述驱动电压提供子电路为所述待测试功率器件提供驱动电压;
所述导通控制子电路连接在所述驱动电压提供子电路与所述待测试功率器件的控制电极之间,用于控制施加在所述待测试功率器件的控制电极上的驱动电压,从而控制所述待测试功率器件的导通时间。
4.如权利要求3所述的功率器件雪崩耐量测试系统,其特征在于,所述待测试功率器件包括绝缘栅双极型晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管及双极结型晶体管。
5.如权利要求4所述的功率器件雪崩耐量测试系统,其特征在于,所述待测试功率器件为NPN双极结型晶体管,所述待测试功率器件的第一电极为该NPN双极结型晶体管的集电极、第二电极为该NPN双极结型晶体管的发射极、控制电极为该NPN双极结型晶体管的基极。
6.如权利要求5所述的功率器件雪崩耐量测试系统...
【专利技术属性】
技术研发人员:依志强,李强,
申请(专利权)人:吉林华微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:吉林;22
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。