一种半导体场效应管测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体场效应管测试装置，属于半导体检测技术领域。一种半导体场效应管测试装置，包括测试仪主体，本实用新型专利技术通过在测试仪主体顶面开设检测腔，并在检测腔内分别设置有用于检测电压的检测座、用于检测一定时间内场效应管温度变化的温度检测探头以及用于检测一定时间内场效应管发生噪音频率的噪音监测探头，从而达到一机多用的检测目的；本实用新型专利技术还在检测腔上端设置有密封组件，利用密封组件不仅可以起到密封防护的作用，且可以确保检测腔内温度检测探头和噪音监测探头检测数据的精确。本实用新型专利技术结构设计合理，操作简便，检测精度高，不仅满足半导体场效应管电压测试，还能检测半导体场效应管的噪音性能以及温度特性。

A semiconductor FET test device

【技术实现步骤摘要】
一种半导体场效应管测试装置
本技术涉及半导体检测
，更具体地说，涉及一种半导体场效应管测试装置。
技术介绍
场效应管就是场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108～109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。现有场效应管制造工艺已趋于完善，但仍存在结构复杂、抗辐射、噪音能力弱、温度特性差等问题，目前的场效应管测试仪如DTU1701型晶体管测试仪，虽然可以对场效应管进行电压测试，但不便对场效应管进行噪音性能以及温度特性的检测，因此亟需一种具有多功能检测模块的场效应管测试装置，鉴于此，我们提出一种半导体场效应管测试装置。
技术实现思路
1.要解决的技术问题本技术的目的在于提供一种半导体场效应管测试装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。2.技术方案一种半导体场效应管测试装置，包括测试仪本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体场效应管测试装置，包括测试仪主体(1)，其特征在于：所述测试仪主体(1)顶面开设有检测腔(2)，所述检测腔(2)前后两侧内壁对称开设有两个滑槽(201)，所述滑槽(201)内设置有密封组件(3)，所述密封组件(3)右端外侧与滑槽(201)内侧滑动连接，所述密封组件(3)左端外侧与滑槽(201)内壁转动连接，并在所述检测腔(2)内侧底面设置有检测座(101)，所述检测座(101)左右两侧分别设置有温度检测探头(102)和噪音监测探头(103)。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体场效应管测试装置，包括测试仪主体(1)，其特征在于：所述测试仪主体(1)顶面开设有检测腔(2)，所述检测腔(2)前后两侧内壁对称开设有两个滑槽(201)，所述滑槽(201)内设置有密封组件(3)，所述密封组件(3)右端外侧与滑槽(201)内侧滑动连接，所述密封组件(3)左端外侧与滑槽(201)内壁转动连接，并在所述检测腔(2)内侧底面设置有检测座(101)，所述检测座(101)左右两侧分别设置有温度检测探头(102)和噪音监测探头(103)。


2.根据权利要求1所述的一种半导体场效应管测试装置，其特征在于：所述密封组件(3)包括设置于检测腔(2)右端内侧的推块(301)，所述推块(301)为倒T型结构，且所述推块(301)下端两侧分别与两个滑槽(201)内侧滑动配合，并在所述推块(301)顶面开设有防磨花纹(302)。


3.根据权利要求2所述的一种半导体场效应管测试装置，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨洋，
申请(专利权)人：扬州信尚电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32