一种半导体场效应管测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体场效应管测试装置，属于半导体检测技术领域。一种半导体场效应管测试装置，包括测试仪主体，本实用新型专利技术通过在测试仪主体顶面开设检测腔，并在检测腔内分别设置有用于检测电压的检测座、用于检测一定时间内场效应管温度变化的温度检测探头以及用于检测一定时间内场效应管发生噪音频率的噪音监测探头，从而达到一机多用的检测目的；本实用新型专利技术还在检测腔上端设置有密封组件，利用密封组件不仅可以起到密封防护的作用，且可以确保检测腔内温度检测探头和噪音监测探头检测数据的精确。本实用新型专利技术结构设计合理，操作简便，检测精度高，不仅满足半导体场效应管电压测试，还能检测半导体场效应管的噪音性能以及温度特性。

A semiconductor FET test device

【技术实现步骤摘要】
一种半导体场效应管测试装置
本技术涉及半导体检测
，更具体地说，涉及一种半导体场效应管测试装置。
技术介绍
场效应管就是场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(108～109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。现有场效应管制造工艺已趋于完善，但仍存在结构复杂、抗辐射、噪音能力弱、温度特性差等问题，目前的场效应管测试仪如DTU1701型晶体管测试仪，虽然可以对场效应管进行电压测试，但不便对场效应管进行噪音性能以及温度特性的检测，因此亟需一种具有多功能检测模块的场效应管测试装置，鉴于此，我们提出一种半导体场效应管测试装置。
技术实现思路
1.要解决的技术问题本技术的目的在于提供一种半导体场效应管测试装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。2.技术方案一种半导体场效应管测试装置，包括测试仪主体，所述测试仪主体顶面开设有检测腔，所述检测腔前后两侧内壁对称开设有两个滑槽，所述滑槽内设置有密封组件，所述密封组件右端外侧与滑槽内侧滑动连接，所述密封组件左端外侧与滑槽内壁转动连接，并在所述检测腔内侧底面设置有检测座，所述检测座左右两侧分别设置有温度检测探头和噪音监测探头。优选地，所述密封组件包括设置于检测腔右端内侧的推块，所述推块为倒T型结构，且所述推块下端两侧分别与两个滑槽内侧滑动配合，并在所述推块顶面开设有防磨花纹。优选地，所述推块左侧上端对称开设有两个转动槽，所述转动槽内固设有连杆，所述推块左侧还设置有盖板A，所述盖板A右端相对转动槽的位置一一对应焊接有两个连接凸起，所述连接凸起中部与连杆外侧转动连接。优选地，所述盖板A左侧设置有盖板B，所述盖板B右端通过两个对称设置的铰链与盖板A左端铰接，所述盖板B左端外侧对称焊接有两个转动凸起，所述转动凸起外侧与滑槽左端内壁转动连接。优选地，所述检测座、温度检测探头和噪音监测探头均通过与其相适配的传感线与测试仪主体内部控制电路电性连接。3.有益效果相比于现有技术，本技术的优点在于：本技术通过在测试仪主体顶面开设检测腔，并在检测腔内分别设置有用于检测电压的检测座、用于检测一定时间内场效应管温度变化的温度检测探头以及用于检测一定时间内场效应管发生噪音频率的噪音监测探头，从而达到一机多用的检测目的；本技术还在检测腔上端设置有密封组件，利用密封组件不仅可以起到密封防护的作用，且可以确保检测腔内温度检测探头和噪音监测探头检测数据的精确。本技术结构简单、合计合理，操作简便，检测精度高，不仅满足半导体场效应管电压测试，还能检测半导体场效应管的噪音性能以及温度特性。附图说明图1为本技术的整体结构示意图；图2为本技术中检测腔及其内部连接结构示意图；图3为本技术中密封组件的结构拆分示意图。图中标号说明：1、测试仪主体；101、检测座；102、温度检测探头；103、噪音监测探头；2、检测腔；201、滑槽；3、密封组件；301、推块；302、防磨花纹；303、转动槽；304、连杆；305、盖板A；306、连接凸起；307、盖板B；308、铰链；309、转动凸起。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图；对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然；所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例；而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例；本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例；都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3,本技术提供一种技术方案：一种半导体场效应管测试装置，包括测试仪主体1，测试仪主体1顶面开设有检测腔2，检测腔2前后两侧内壁对称开设有两个滑槽201，滑槽201内设置有密封组件3，密封组件3右端外侧与滑槽201内侧滑动连接，密封组件3左端外侧与滑槽201内壁转动连接，并在检测腔2内侧底面设置有检测座101，检测座101左右两侧分别设置有温度检测探头102和噪音监测探头103。密封组件3包括设置于检测腔2右端内侧的推块301，推块301为倒T型结构，且推块301下端两侧分别与两个滑槽201内侧滑动配合，并在推块301顶面开设有防磨花纹302。推块301左侧上端对称开设有两个转动槽303，转动槽303内固设有连杆304，推块301左侧还设置有盖板A305，盖板A305右端相对转动槽303的位置一一对应焊接有两个连接凸起306，连接凸起306中部与连杆304外侧转动连接。盖板A305左侧设置有盖板B307，盖板B307右端通过两个对称设置的铰链308与盖板A305左端铰接，盖板B307左端外侧对称焊接有两个转动凸起309，转动凸起309外侧与滑槽201左端内壁转动连接。检测座101、温度检测探头102和噪音监测探头103均通过与其相适配的传感线与测试仪主体1内部控制电路电性连接。本技术涉及一种半导体场效应管测试装置，由于现有场效应管制造时仍然存在结构复杂、抗辐射、噪音能力弱、温度特性差等问题，且现有便携式晶体管测试仪仅仅用于对场效应管进行电压测试，而不便对场效应管进行噪音性能以及温度特性的检测，因此我们通过在测试仪主体1顶面开设检测腔2，并在检测腔2内分别设置有用于检测电压的检测座101、用于检测一定时间内场效应管温度变化的温度检测探头102以及用于检测一定时间内场效应管发生噪音频率的噪音监测探头103，且利用与三者相配合的传感线或导线与测试仪主体1内部控制电路电性连接，使得三者检测数据通过测试仪主体1上的显示屏显示出来；本技术还在检测腔2上端设置有密封组件3，通过按压推动推块301，使得推块301挤压盖板A305和盖板B307，使得盖板A305和盖板B307发生转动折叠，从而打开检测腔2，利用密封组件3不仅可以起到密封防护的作用，且可以确保检测腔2内温度检测探头102和噪音监测探头103检测数据的精确。以上所述；仅为本技术较佳的具体实施方式；但本技术的保护范围并不局限于此；任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内；根据本技术的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变；都应涵盖在本技术的保护范围内。此外，“包括”一词不排除其他元件或步骤，在元件前的“一个”一词不排除包括“多个”该元件。产品权利要求中陈述的多个元件也可以由一个元件通过软件或者硬件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体场效应管测试装置，包括测试仪主体(1)，其特征在于：所述测试仪主体(1)顶面开设有检测腔(2)，所述检测腔(2)前后两侧内壁对称开设有两个滑槽(201)，所述滑槽(201)内设置有密封组件(3)，所述密封组件(3)右端外侧与滑槽(201)内侧滑动连接，所述密封组件(3)左端外侧与滑槽(201)内壁转动连接，并在所述检测腔(2)内侧底面设置有检测座(101)，所述检测座(101)左右两侧分别设置有温度检测探头(102)和噪音监测探头(103)。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体场效应管测试装置，包括测试仪主体(1)，其特征在于：所述测试仪主体(1)顶面开设有检测腔(2)，所述检测腔(2)前后两侧内壁对称开设有两个滑槽(201)，所述滑槽(201)内设置有密封组件(3)，所述密封组件(3)右端外侧与滑槽(201)内侧滑动连接，所述密封组件(3)左端外侧与滑槽(201)内壁转动连接，并在所述检测腔(2)内侧底面设置有检测座(101)，所述检测座(101)左右两侧分别设置有温度检测探头(102)和噪音监测探头(103)。


2.根据权利要求1所述的一种半导体场效应管测试装置，其特征在于：所述密封组件(3)包括设置于检测腔(2)右端内侧的推块(301)，所述推块(301)为倒T型结构，且所述推块(301)下端两侧分别与两个滑槽(201)内侧滑动配合，并在所述推块(301)顶面开设有防磨花纹(302)。


3.根据权利要求2所述的一种半导体场效应管测试装置，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨洋，
申请(专利权)人：扬州信尚电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32