本发明专利技术涉及测量掩埋层。提供一种检查对象的顶部再分配层导体的方法。顶部再分布层(RDL)位于至少一个下RDL之上和至少一个其它介电层之上。该方法包括(i)用辐射照射对象，该至少一个下介电层显著吸收该辐射；(ii)由检测器产生表示从对象反射的辐射的检测信号，以及(iii)由处理器处理所述检测信号以提供关于该顶部RDL的信息。该处理包括区分与顶部RDL相关的检测信号和与至少一个下RDL相关的检测信号。
【技术实现步骤摘要】
测量掩埋层
技术介绍
再分配层(RDL)包括用于电耦合不同位置的不同导体的布线。在各种封装技术中，例如晶片级芯片级封装、WLFO-晶片级扇出和晶片级扇入，RDL被用于将芯片彼此接合。不同的RDL彼此之间通过介电聚合物层(聚酰亚胺、PBO等)分隔。检测层缺陷(如切割、短路和其它变形)需要进行缺陷检测。每个RDL应单独检查。在检查当前的RDL时，也可以在图像中观察到位于其它深度处的其它RDL，因为聚合物在可见光谱范围内大多是透明的。难以在不同的RDL之间进行区分以及避免错误的缺陷通知。
技术实现思路
提供了一种用于检查对象的顶部再分配层导体的方法，该方法可包括(i)用辐射照射对象；其中，所述顶部RDL位于至少一个下RDL之上和至少一个下介电层之上；其中，所述至少一个下介电层显著地吸收辐射；(ii)通过检测器产生代表从所述对象反射的辐射的检测信号；以及(iii)通过处理器处理检测信号以提供关于顶部RDL的信息；其中，所述处理包括区分与所述顶部RDL相关的检测信号和与所述至少一个下RDL相关的检测信号。所述区分基于所述检测信号的强度，并且其中与所述顶部RDL相关的所述检测信号比与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号强。该方法可包括基于所述对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定所述辐射的谱范围。所述至少一个吸收特性可是形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱。所述至少一个吸收特性可是所述对象的介电层的至少一个的厚度。所述至少一个吸收特性可是(a)形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱，以及(b)所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。所述确定可基于使用不同谱范围的辐射测试所述对象和选择所述不同谱范围的选择的谱范围。所述确定可基于估计当被不同谱范围的辐射照射时从所述对象反射的反射辐射和选择所述不同谱范围的选择的谱范围。所述确定可包括选择位于辐射源和所述对象之间的滤波器的滤波特性。所述确定可包括从多个源中选择源。提供了一种非暂时性计算机可读介质，该介质存储用于以下步骤的指令：(i)用辐射照射对象；其中，顶部RDL位于至少一个下RDL之上和至少一个下介电层之上；其中，所述至少一个下介电层显著吸收所述辐射；(ii)通过检测器产生代表从所述对象反射的辐射的检测信号；以及(iii)通过处理器处理所述检测信号以提供关于所述顶部RDL的信息；其中，所述处理包括区分与所述顶部RDL相关的检测信号和与所述至少一个下RDL相关的检测信号。所述区分可基于检测信号的强度，以及其中与所述顶部RDL相关的所述检测信号比与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号强。一种非暂时性的计算机可读介质，其存储用于基于所述对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定所述辐射的谱范围的指令。所述至少一个吸收特性可是形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱。所述至少一个吸收特性可是所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。所至少一个吸收特性可是(a)形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱，以及(b)所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。所述确定基于使用不同谱范围的辐射测试所述对象和选择所述不同谱范围的选择的谱范围。所述确定可基于估计当被不同谱范围的辐射照射时从所述对象反射的反射辐射以及选择所述不同谱范围的选择的谱范围。所述确定可包括选择位于辐射源和所述对象之间的滤波器的滤波特性。所述确定可以包括从多个源中选择源。提供了一种用于检查对象的系统，该系统可包括：(i)照射模块，其被配置为用辐射照射对象，其中该对象的顶部再分配层(RDL)位于至少一个下RDL之上和至少一个其它介电层之上；(ii)检测器，被配置为产生代表从所述对象反射的辐射的检测信号；其中，与所述顶部RDL相关的所述检测信号强于与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号；以及处理器，其被配置为处理所述检测信号以提供关于所述顶部RDL的信息。所述处理器包括区分与所述顶部RDL相关的所述检测信号和与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号。该系统可被配置为基于所述对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定所述辐射的谱范围。所述区别可基于所述检测信号的强度，其中与所述顶部RDL相关的所述检测信号比与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号强。该系统可被配置为基于所述对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定所述辐射的谱范围。所述至少一个吸收特性可是形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱。所述至少一个吸收特性可是所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。所述至少一个吸收特性可是(a)形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱，以及(b)所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。该系统可被配置为基于使用不同谱范围的辐射测试所述对象并选择不同光谱范围的选择的谱范围来确定。该系统可被配置为基于估计当被不同谱范围的辐射照射时从所述对象反射的反射辐射并选择所述不同谱范围的选择的谱范围来确定。所述确定可包括选择位于辐射源和对象之间的滤波器的滤波特性。所述确定可包括从多个源中选择源。附图说明通过结合以下附图的详细描述，本专利技术将被更充分地理解和了解，其中：图1示出了使用可见光照射的对象的实例；图2示出了使用紫外辐射照射的对象的实例；图3示出了使用紫外辐射照射的对象的实例；图4示出了系统的实例；图5示出了方法的实例；以及图6示出了方法的实例。具体实施方式由于实施本专利技术的装置大部分由本领域技术人员已知的光学部件和电路组成，因此为了理解和了解本专利技术的基础概念以及不混淆或分散本专利技术的教导，将不以任何比所认为必要的范围更大的范围来解释电路细节。在下面的说明书中，将参考本专利技术的实施例的具体实例来描述本专利技术。然而，显而易见的是，在不脱离所附权利要求中所阐述的本专利技术的更广泛的精神和范围的情况下，可以对其进行各种修改和改变。词语“包括”并不排除存在与权利要求中所列的要素或步骤相比的其它要素或步骤。应当理解，在适当的情况下如此使用的术语是可互换的，以便本文所描述的本专利技术的实施例例如能够在本文所示或以其它方式描述的以外的方向上操作。术语“选择”和“确定”以可互换的方式使用。术语“配置为”可以是“构造和设置为”。配置为可以包括被编程、设置、调谐为等。术语“紫外照射”和“紫外辐射”可以可互换的方式使用。提供了一种检查对象的顶部再分配层导体的方法，该方法可以包括(i)用辐射照射对象；其中，顶部RDL位于至少一个下RDL之上和至少一个下介电层之上；其中，至少一个下介电层显著吸收辐射；(ii)通过检测器产生代表从对象反射的辐射的检测信号；以及(iii)通过处理器处理检测信号以提供关于顶部RDL的信息；其中，处理包括区分与顶部RDL相关的检本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于检查对象的顶部再分配层(RDL)的方法，所述方法包括：/n用辐射照射所述对象；其中，所述顶部RDL位于至少一个下RDL之上和至少一个下介电层之上；其中，所述至少一个下介电层显著吸收所述辐射；/n通过检测器产生代表从所述对象反射的辐射的检测信号；/n通过处理器处理所述检测信号以提供关于所述顶部RDL的信息；其中，所述处理包括区分与所述顶部RDL相关的检测信号和与所述至少一个下RDL相关的检测信号。/n
【技术特征摘要】
20181226 US 62/7848381.一种用于检查对象的顶部再分配层(RDL)的方法，所述方法包括：
用辐射照射所述对象；其中，所述顶部RDL位于至少一个下RDL之上和至少一个下介电层之上；其中，所述至少一个下介电层显著吸收所述辐射；
通过检测器产生代表从所述对象反射的辐射的检测信号；
通过处理器处理所述检测信号以提供关于所述顶部RDL的信息；其中，所述处理包括区分与所述顶部RDL相关的检测信号和与所述至少一个下RDL相关的检测信号。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述区分基于所述检测信号的强度，并且其中与所述顶部RDL相关的所述检测信号比与所述至少一个下RDL相关的所述检测信号强。
3.根据权利要求1所述的方法，包括基于所述对象的至少一个介电层的至少一个吸收特性来确定所述辐射的谱范围。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少一个吸收特性是形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少一个吸收特性是所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少一个吸收特性是(a)形成所述对象的所述介电层的至少一个的介电材料的吸收谱，以及(b)所述对象的所述介电层的至少一个的厚度。
7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述确定基于使用不同谱范围的紫外辐射测试所述对象和选择所述不同谱范围的选择的谱范围。
8.根据权利要求3所述的方法，其中，所述确定基于估计当被不同谱范围的紫外辐射照射时从所述对象反射的反射紫外辐射和选择所述不同谱范围的选择的谱范围。
9.根据权利要求3所述的方法，其中，所述确定包括选择位于紫外辐射源和所述对象之间的滤波器的滤波特性。
10.根据权利要求3所述的方法，其中，所述确定包括从多个紫外源中选择紫外源。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述顶部RDL位于顶部介电层之下。
12.一种非暂时性的计算机可读介质，其存储用于下列步骤的指令：
用辐射照射对象；其中，所述对象包括顶部再分配层，所述RDL位于至...
【专利技术属性】
技术研发人员：Z·B·埃泽尔，
申请(专利权)人：康特科技公司，
类型：发明
国别省市：以色列;IL
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