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测量掩埋层制造技术
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下载测量掩埋层的技术资料
文档序号:24796928
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本发明涉及测量掩埋层。提供一种检查对象的顶部再分配层导体的方法。顶部再分布层(RDL)位于至少一个下RDL之上和至少一个其它介电层之上。该方法包括(i)用辐射照射对象,该至少一个下介电层显著吸收该辐射;(ii)由检测器产生表示从对象反射的辐...
该专利属于康特科技公司所有,仅供学习研究参考,未经过康特科技公司授权不得商用。
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