具有P型漂移区的GCT芯片结构制造技术

本实用新型专利技术属于电力半导体器件领域，公开了一种具有P型漂移区的GCT芯片结构，具有P型漂移区的GCT芯片结构包括引出阳极的P+发射极、与所述P+发射极贴合的n+缓冲层、与所述n+缓冲层相贴合的P型漂移区以及n+发射极，在动态与静态过程中通过所述P型漂移区承受阳极、阴极间的电压差。本实用新型专利技术保证在大电流关断的过程中，削减动态雪崩效应的发生，以提供具备大电流关断能力。

【技术实现步骤摘要】
具有P型漂移区的GCT芯片结构
本技术属于电力半导体器件领域，具体地说，尤其涉及一种具有P型漂移区的GCT芯片结构。
技术介绍
IGCT器件是在GTO的基础上发展出的新一代流控型器件，从芯片层面来看，GCT芯片采用了透明阳极技术与缓冲层设计，降低了器件的触发电流水平及导通压降。从门极驱动电路及开通关断机理来看，IGCT采用集成式驱动电路的方式，通过优化线路布局及管壳封装结构等方式，降低换流回路杂散参数到纳亨量级，使得器件关断过程中电流能在很短时间内由阴极全部转换至门极，而后使PNP三极管自然关断。参照图1，图1为现有GCT芯片结构的示意图。如图1所示，现有的GCT芯片在静态阻断与动态关断过程中，图1中所示的J2结承担阴阳极间kV级以上电压，特别需要说明的是，为保证高压耐受能力，n型漂移区通常利用原始硅单晶制作成低掺杂浓度区域，此时电压主要降落在图中的n型漂移区内。且根据泊松方程，电场的变化率与掺杂浓度成正比，即越低的掺杂浓度意味着合理设计的结构能承受更高的阻断电压。然而，在阳极大电流的关断过程中，J2结不断被扫出空穴-电子对，这本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有P型漂移区的GCT芯片结构，其特征在于，包括引出阳极的P+发射极、与所述P+发射极贴合的n+缓冲层、与所述n+缓冲层相贴合的P型漂移区以及n+发射极，在动态关断过程与静态阻断过程中通过所述P型漂移区承受阳极、阴极间的电压差。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有P型漂移区的GCT芯片结构，其特征在于，包括引出阳极的P+发射极、与所述P+发射极贴合的n+缓冲层、与所述n+缓冲层相贴合的P型漂移区以及n+发射极，在动态关断过程与静态阻断过程中通过所述P型漂移区承受阳极、阴极间的电压差。


2.如权利要求1所述的GCT芯片结构，其特征在于，还包括P+区域，所述P+区域与所述P型漂移区相贴合，所述P+区域连接所述n+发射极。


3.如权利要求2所述的GCT芯片结构，其特征在于，还包括P基区，所述P基区与所述P型漂移区相贴合且位于所述P+区域及所述P型漂移区之间。


4.如权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾嵘，刘佳鹏，周文鹏，赵彪，余占清，陈政宇，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：新型
国别省市：北京;11