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本实用新型属于电力半导体器件领域，公开了一种具有P型漂移区的GCT芯片结构，具有P型漂移区的GCT芯片结构包括引出阳极的P+发射极、与所述P+发射极贴合的n+缓冲层、与所述n+缓冲层相贴合的P型漂移区以及n+发射极，在动态与静态过程中通过所...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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