宽带隙半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的宽带隙半导体装置，包括：使用第一导电型的宽带隙半导体材料的漂移层12；由形成在所述漂移层12上的第二导电型构成的多个阱区20；所述阱区20以及所述漂移层12中设置在所述阱区20之间的多晶硅层150；设置在所述多晶硅层150上的层间绝缘膜65；设置在所述层间绝缘膜65上的栅极衬垫120；以及与所述多晶硅层150电气连接的源极衬垫110。

Wide band gap semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】宽带隙半导体装置
本专利技术涉及一种宽带隙半导体装置，其具有：第一导电型的漂移层；以及由设置在漂移层上的第二导电型构成的阱区。
技术介绍
以往，在栅极衬垫(Gatepad)的下方区域设置由p型等第二导电型构成的阱区是一种通常的半导体装置配置方法。当有SiC等宽带隙半导体构成MOSFET时，由于开关转换时的変位电流，可能会导致栅极衬垫下的该阱区的电位异常升高。关于这一点，在国际公开公报2012/001837中，就例举了因设置在栅极衬垫的下方区域的由第二导电型构成的阱区的电位升高所导致的该阱区的表面电阻(Sheetresistance)过高的问题。另一方面，在特开2015-56543号公报中，提出了一种将由金属材料构成的肖特基电极设置在栅极衬垫的下方区域的方法。但是，如要使用由金属材料构成的肖特基电极，则会因其制造方法相当繁琐，从而导致制造成本在相当程度上变高。本专利技术的目的，是提供一种半导体装置，其不但能够防止栅极衬垫的下方区域上的电位异常升高，而且在使用由金属材料构成的肖特基电极时不会出现上述顾虑。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括：/n第一导电型的漂移层；/n由形成在所述漂移层上的第二导电型构成的多个阱区；/n所述阱区以及所述漂移层中设置在所述阱区之间的多晶硅层；/n设置在所述多晶硅层上的层间绝缘膜；/n设置在所述层间绝缘膜上的栅极衬垫；以及/n与所述多晶硅层电气连接的源极衬垫。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括：
第一导电型的漂移层；
由形成在所述漂移层上的第二导电型构成的多个阱区；
所述阱区以及所述漂移层中设置在所述阱区之间的多晶硅层；
设置在所述多晶硅层上的层间绝缘膜；
设置在所述层间绝缘膜上的栅极衬垫；以及
与所述多晶硅层电气连接的源极衬垫。


2.根据权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：
其中，第二导电型区域按照规定的间隔设置在所述阱区之间。


3.根据权利要求2所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：
其中，所述第二导电型区域中与所述多晶硅层的接触区域由超高浓度第二导电型区域构成。


4.根据权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：
其中，所述多晶硅层与所述漂移层肖特基接触。


5.根据权利要求1所述的宽带隙半导体装置，其特征在于：
其中，所述多晶硅层具有：设置在所述漂移层上的非掺杂多晶硅层；以及设置在所述非掺杂多晶硅层上的掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村俊一，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP