温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的宽带隙半导体装置，包括：使用第一导电型的宽带隙半导体材料的漂移层12；由形成在所述漂移层12上的第二导电型构成的多个阱区20；所述阱区20以及所述漂移层12中设置在所述阱区20之间的多晶硅层150；设置在所述多晶硅层150上的层间绝...
该专利属于新电元工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过新电元工业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。