【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于等离子体显示屏(PDP)等的制造工序中所用的 玻璃基板的烧成工序、玻璃基板的退火处理工序等的连续烧成炉。
技术介绍
连续烧成炉在炉内具有设定温度不同的多个热处理区。各热处理 区沿着传送玻璃基板等处理对象物的传送路线连续地形成。传送路线 由滚柱炉膛等构成。各处理对象物以预定的间隔在传送路线上被连续 传送或间歇传送。各处理对象物在各热处理区得到预定的热处理。在连续烧成炉中,因处理对象物的传送而有一定的热量从连续烧 成炉被带出,从而炉内的气氛温度发生波动。另外,随着处理对象物 的传送,加热气体在热处理区间流动,在各区的气氛温度发生波动。 该气氛温度的波动在处理对象物开始传送后的一定期间很显著,以往 是在传送处理对象物之前,先传送被称为假工件的假的处理对象物, 使气氛温度稳定后再传送作为实际处理对象物的玻璃基板等。对各热处理区进行温度控制,使区内各位置的气氛温度稳定在设 定温度附近。在各热处理区设有加热器等发热部、用于对炉内进行防 尘或使对炉内的热辐射均匀的隔焰炉板、和检测各区温度的热电偶等 温度检测部,并根据温度检测部的检测温度对发热部的发热量进行控 ...
【技术保护点】
一种连续烧成炉,具有:发热单元,设置在内设传送路线的炉内;隔焰炉板,设置在所述炉内的所述传送路线和所述发热单元之间;限制单元,向所述炉内通入外气,限制沿着所述传送路线的传送方向的加热气体的流动;温度检测单元,配置在所述炉内的比所述隔焰 炉板更靠近传送路线侧;和 温度控制单元,根据所述温度检测单元的检测温度来控制所述发热单元。
【技术特征摘要】
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