具有钕铁硼层的磁存储磁性多层膜制造技术

本发明专利技术公开了一种具有钕铁硼层的磁存储磁性多层膜，该具有铁钕硼层的磁存储磁性多层膜自下而上依次包括：基片层、第一Ta金属层、第一NdFeB层、第一Pt层、第二NdFeB层、第二Pt层、第三NdFeB层、第三Pt层、第一W层、第一CoFeB层、掺Nd的MnO层、CoFeBNd层、第二W层、第二CoFeB层、掺Nd的MgO层以及第二Ta金属层。本发明专利技术的具有钕铁硼层的磁存储磁性多层膜能够适应较高温度，从而能够提升数据记录的稳定性。

Magnetic multilayers with NdFeB layer for magnetic storage

【技术实现步骤摘要】
具有钕铁硼层的磁存储磁性多层膜
本专利技术是关于磁存储
，特别是关于一种具有钕铁硼层的磁存储磁性多层膜。
技术介绍
MRAM是一种非易失性存储器，可与其他的NVM技术相媲美，如闪存，英特尔的Optane，FRAM和RRAM。每种NVM都有自己的优缺点。虽然MRAM的扩展性好，但其容量仍远低于NAND闪存，SSD中的高密度存储介质大都是NAND闪存。现有技术CN109036485A公开了一种四端子磁阻式存储器单元，其包括磁隧道结堆叠体、铁电层以及在磁隧道结堆叠体和铁电层之间的非铁磁自旋极化层。磁隧道结包括具有固定磁化方向的第一层、能够改变磁化方向的自由层、以及在第一层和自由层之间的绝缘层。非铁磁自旋极化层配置为响应于通过非铁磁自旋极化层的电流和铁电层处接收的电压产生垂直自旋极化。垂直自旋极化在自由层上施加扭矩以改变自由层的磁化方向。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有钕铁硼层的磁存储磁性多层膜，其特征在于：所述具有铁钕硼层的磁存储磁性多层膜自下而上依次包括：基片层、第一Ta金属层、第一NdFeB层、第一Pt层、第二NdFeB层、第二Pt层、第三NdFeB层、第三Pt层、第一W层、第一CoFeB层、掺Nd的MnO层、CoFeBNd层、第二W层、第二CoFeB层、掺Nd的MgO层以及第二Ta金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有钕铁硼层的磁存储磁性多层膜，其特征在于：所述具有铁钕硼层的磁存储磁性多层膜自下而上依次包括：基片层、第一Ta金属层、第一NdFeB层、第一Pt层、第二NdFeB层、第二Pt层、第三NdFeB层、第三Pt层、第一W层、第一CoFeB层、掺Nd的MnO层、CoFeBNd层、第二W层、第二CoFeB层、掺Nd的MgO层以及第二Ta金属层。


2.如权利要求1所述的具有非对称结构的用于磁存储器件的复合多层膜，其特征在于：其中，所述第一NdFeB层是由直流溅射法沉积的，并且其中，直流溅射法沉积第一NdFeB层的具体工艺为：溅射靶材为NdFeB，溅射气氛为氩气，溅射电流为70-120mA，溅射时间为15-20min，溅射气压为3-5Pa，溅射温度为200-250℃，所述第一NdFeB层的厚度为1-2nm。


3.如权利要求2所述的具有非对称结构的用于磁存储器件的复合多层膜，其特征在于：其中，所述第二NdFeB层是由直流溅射法沉积的，并且其中，直流溅射法沉积第二NdFeB层的具体工艺为：溅射靶材为NdFeB，溅射气氛为氩气，溅射电流为50-90mA，溅射时间为20-25min，溅射气压为4-6Pa，溅射温度为200-300℃，所述第二NdFeB层的厚度为0.6-1nm。


4.如权利要求3所述的具有非对称结构的用于磁存储器件的复合多层膜，其特征在于：其中，所述第三NdFeB层是由直流溅射法沉积的，并且其中，直流溅射法沉积第三NdFeB层的具体工艺为：溅射靶材为金属NdFeB，溅射气氛为氩气，溅射电流为100-120mA，溅射时间为15-20min，溅射气压为2-4Pa，溅射温度为200-250℃，所述第三NdFeB层的厚度为0.7-0.9nm。


5.如权利要求4所述的具有非对称结构的用于磁存储器件的复合多层膜，其特征在于：其中，所述第一CoFeB层是由直流溅射法沉积的，并且其中，直流溅射法沉积第一CoFeB层的具体工艺为：溅射靶材为金属Co40Fe40B20，溅射电流为60-90mA，溅射时间为15-20min，溅射气压为3-5Pa，溅射温度为150-200℃，所述第一CoFeB层的厚度为0.5-0.8nm。


6.如权利要求5所述的具有非对称结构的用于磁存储器件的复...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文爽，沈文齐，
申请(专利权)人：蚌埠泰鑫材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34