用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法，包括如下步骤：由移动终端监测与磁控溅射过程有关的信息；由移动终端监听由宏基站发送的同步信号以及系统信息，并由移动终端与宏基站建立RRC连接；响应于与宏基站建立RRC连接，由移动终端监听由宏基站发送的同步信号，并由移动终端基于宏基站发送的同步信号来确定移动终端与宏基站之间的通信链路的第一链路质量；响应于确定第一链路质量，由移动终端判断第一链路质量是否低于第一链路质量门限；如果判断第一链路质量低于第一链路质量门限，则由移动终端向宏基站发送测量报告；响应于接收到测量报告，由宏基站向第一微基站以及第二微基站发送切换请求消息。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法及系统
本专利技术是关于半导体生产
，特别是关于一种用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法及系统。
技术介绍
半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。由于晶体管尺寸基本都在纳米量级，所以半导体生产过程的监控是提升半导体制造能力的基本途径。现有技术CN109786240A公开了一种金属层的形成方法、半导体器件及其形成方法，金属层的形成方法包括：将一衬底置于一反应腔室内；利用磁控溅射工艺在衬底上形成第一子金属层；利用磁控溅射工艺在第一子金属层上形成第二子金属层，并向反应腔室内通入加热气流，第一子金属层和第二子金属层共同构成金属层，第一子金属层和第二子金属层的材料均包括掺杂铜的铝。公开于该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法及系统，其能够克服现有技术的缺陷。为实现上述目的，本专利技术提供了一种用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法，包括如下步骤：由移动终端监测与磁控溅射过程有关的信息；由移动终端监听由宏基站发送的同步信号以及系统信息，并由移动终端与宏基站建立RRC连接；响应于与宏基站建立RRC连接，由移动终端监听由宏基站发送的同步信号，并由移动终端基于宏基站发送的同步信号来确定移动终端与宏基站之间的通信链路的第一链路质量；响应于确定第一链路质量，由移动终端判断第一链路质量是否低于第一链路质量门限，其中，第一链路质量门限是在系统信息中指示的；如果判断第一链路质量低于第一链路质量门限，则由移动终端向宏基站发送测量报告；响应于接收到测量报告，由宏基站向第一微基站以及第二微基站发送切换请求消息；响应于接收到切换请求消息，由第一微基站判断第一微基站是否能够允许移动终端随机接入第一微基站；响应于接收到切换请求消息，由第二微基站判断第二微基站是否能够允许移动终端随机接入第二微基站；如果判断第一微基站能够允许移动终端随机接入第一微基站，则由第一微基站向宏基站发送第一切换请求确认消息，其中，第一切换请求确认消息中包括用于移动终端随机接入第一微基站所需要的配置信息；如果判断第二微基站能够允许移动终端随机接入第二微基站，则由第二微基站向宏基站发送第二切换请求确认消息，其中，第二切换请求确认消息中包括用于移动终端随机接入第二微基站所需要的配置信息；响应于接收到第一切换请求确认消息以及第二切换请求确认消息，由宏基站向移动终端发送第一切换配置消息，其中，第一切换配置消息中至少包括第一切换配置消息ID、第一RRC重配置消息、第二RRC重配置消息、第一切换执行条件以及第二切换执行条件，其中，第一RRC重配置消息中指示用于移动终端随机接入第一微基站所需要的配置信息，第二RRC重配置消息中指示用于移动终端随机接入第二微基站所需要的配置信息，其中，第一RRC重配置消息与第一RRC重配置消息ID相关联，第二RRC重配置消息与第二RRC重配置消息ID相关联，第一切换执行条件与第一切换执行条件ID相关联，第二切换执行条件与第二切换执行条件ID相关联。在一优选的实施方式中，用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法包括如下步骤：响应于接收到第一切换配置消息，由移动终端监测由第一微基站发送的同步信号以及由第二微基站发送的同步信号；响应于监测到由第一微基站发送的同步信号以及由第二微基站发送的同步信号，由移动终端基于由第一微基站发送的同步信号确定移动终端与第一微基站之间的通信链路的第二链路质量，以及由移动终端基于由第二微基站发送的同步信号确定移动终端与第二微基站之间的通信链路的第三链路质量；响应于确定第二链路质量，由移动终端判断第二链路质量是否高于第二链路质量门限，其中，第二链路质量门限是在第一切换执行条件中指示的；响应于确定第三链路质量，由移动终端判断第三链路质量是否高于第三链路质量门限，其中，第三链路质量门限是在第二切换执行条件中指示的；如果判断第二链路质量高于第二链路质量门限，则由移动终端随机接入第一微基站；响应于随机接入第一微基站，由移动终端断开与宏基站的RRC连接；响应于随机接入第一微基站，由移动终端向第一微基站发送与磁控溅射过程有关的信息；如果判断第三链路质量高于第三链路质量门限，则由移动终端随机接入第二微基站；响应于随机接入第二微基站，由移动终端断开与宏基站的RRC连接；响应于随机接入第二微基站，由移动终端向第二微基站发送与磁控溅射过程有关的信息。在一优选的实施方式中，用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法包括如下步骤：响应于向移动终端发送第一切换配置消息，如果宏基站监听到由第三微基站发送的同步信号，则由宏基站向第三微基站发送切换请求消息；响应于接收到切换请求消息，由第三微基站判断第三微基站是否能够允许移动终端随机接入第三微基站；如果判断第三微基站能够允许移动终端随机接入第三微基站，则由第三微基站向宏基站发送第三切换请求确认消息，其中，第三切换请求确认消息中包括用于移动终端随机接入第三微基站所需要的配置信息；响应于接收到第三切换请求确认消息，由宏基站向移动终端发送第二切换配置消息，其中，第二切换配置消息中至少包括第二切换配置消息ID、第三RRC重配置消息以及第三切换执行条件，其中，第二切换配置消息中不包括第一RRC重配置消息、第二RRC重配置消息、第一切换执行条件以及第二切换执行条件，其中，第三RRC重配置消息中指示用于移动终端随机接入第三微基站所需要的配置信息，其中，第三RRC重配置消息与第三RRC重配置消息ID相关联，其中，第三切换执行条件与第三切换执行条件ID相关联；响应于接收到第二切换配置消息，由移动终端确定第二切换配置消息中是否包括不同于第一切换配置消息ID的切换配置消息ID；响应于确定第二切换配置消息中包括第二切换配置消息ID，由移动终端确定第二切换配置消息中包括的第三RRC重配置消息以及第三切换执行条件；响应于确定第三RRC重配置消息以及第三切换执行条件，由移动终端监测由第三微基站发送的同步信号；响应于监测到由第三微基站发送的同步信号，由移动终端基于由第三微基站发送的同步信号确定移动终端与第三微基站之间的通信链路的第四链路质量；响应于确定第四链路质量，由移动终端判断第四链路质量是否高于第四链路质量门限，其中，第四链路质量门限是在第三切换执行条件中指示的，其中，在移动终端判断第四链路质量是否高于第四链路质量门限的同时，移动终端继续判断第二链路质量是否高于第二链路质量门限以及第三链路质量是否高于第三链路质量门限；如果判断第二链路质量高于第二链路质量门限，则由移动终端随机接入第一微基站；响应于随机接入第一微基站，由移动终端断开与宏基站的RRC连接；响应于随机接入第一微基站，由移动终端向第一微基站发送与磁控溅射过程有关的信息；如果判断第三链路质量高于第三本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法，其特征在于，所述用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法包括如下步骤：/n由移动终端监测与磁控溅射过程有关的信息；/n由移动终端监听由宏基站发送的同步信号以及系统信息，并由移动终端与所述宏基站建立RRC连接；/n响应于与所述宏基站建立RRC连接，由移动终端监听由宏基站发送的同步信号，并由移动终端基于所述宏基站发送的同步信号来确定所述移动终端与所述宏基站之间的通信链路的第一链路质量；/n响应于确定所述第一链路质量，由移动终端判断所述第一链路质量是否低于第一链路质量门限，其中，所述第一链路质量门限是在所述系统信息中指示的；/n如果判断所述第一链路质量低于第一链路质量门限，则由移动终端向所述宏基站发送测量报告；/n响应于接收到所述测量报告，由宏基站向第一微基站以及第二微基站发送切换请求消息；/n响应于接收到所述切换请求消息，由第一微基站判断所述第一微基站是否能够允许所述移动终端随机接入所述第一微基站；/n响应于接收到所述切换请求消息，由第二微基站判断所述第二微基站是否能够允许所述移动终端随机接入所述第二微基站；/n如果判断所述第一微基站能够允许所述移动终端随机接入所述第一微基站，则由第一微基站向所述宏基站发送第一切换请求确认消息，其中，所述第一切换请求确认消息中包括用于所述移动终端随机接入所述第一微基站所需要的配置信息；/n如果判断所述第二微基站能够允许所述移动终端随机接入所述第二微基站，则由第二微基站向所述宏基站发送第二切换请求确认消息，其中，所述第二切换请求确认消息中包括用于所述移动终端随机接入所述第二微基站所需要的配置信息；/n响应于接收到所述第一切换请求确认消息以及所述第二切换请求确认消息，由宏基站向所述移动终端发送第一切换配置消息，其中，所述第一切换配置消息中至少包括第一切换配置消息ID、第一RRC重配置消息、第二RRC重配置消息、第一切换执行条件以及第二切换执行条件，其中，所述第一RRC重配置消息中指示用于所述移动终端随机接入所述第一微基站所需要的配置信息，所述第二RRC重配置消息中指示用于所述移动终端随机接入所述第二微基站所需要的配置信息，其中，所述第一RRC重配置消息与第一RRC重配置消息ID相关联，所述第二RRC重配置消息与第二RRC重配置消息ID相关联，所述第一切换执行条件与所述第一切换执行条件ID相关联，所述第二切换执行条件与所述第二切换执行条件ID相关联。/n...

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法，其特征在于，所述用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法包括如下步骤：
由移动终端监测与磁控溅射过程有关的信息；
由移动终端监听由宏基站发送的同步信号以及系统信息，并由移动终端与所述宏基站建立RRC连接；
响应于与所述宏基站建立RRC连接，由移动终端监听由宏基站发送的同步信号，并由移动终端基于所述宏基站发送的同步信号来确定所述移动终端与所述宏基站之间的通信链路的第一链路质量；
响应于确定所述第一链路质量，由移动终端判断所述第一链路质量是否低于第一链路质量门限，其中，所述第一链路质量门限是在所述系统信息中指示的；
如果判断所述第一链路质量低于第一链路质量门限，则由移动终端向所述宏基站发送测量报告；
响应于接收到所述测量报告，由宏基站向第一微基站以及第二微基站发送切换请求消息；
响应于接收到所述切换请求消息，由第一微基站判断所述第一微基站是否能够允许所述移动终端随机接入所述第一微基站；
响应于接收到所述切换请求消息，由第二微基站判断所述第二微基站是否能够允许所述移动终端随机接入所述第二微基站；
如果判断所述第一微基站能够允许所述移动终端随机接入所述第一微基站，则由第一微基站向所述宏基站发送第一切换请求确认消息，其中，所述第一切换请求确认消息中包括用于所述移动终端随机接入所述第一微基站所需要的配置信息；
如果判断所述第二微基站能够允许所述移动终端随机接入所述第二微基站，则由第二微基站向所述宏基站发送第二切换请求确认消息，其中，所述第二切换请求确认消息中包括用于所述移动终端随机接入所述第二微基站所需要的配置信息；
响应于接收到所述第一切换请求确认消息以及所述第二切换请求确认消息，由宏基站向所述移动终端发送第一切换配置消息，其中，所述第一切换配置消息中至少包括第一切换配置消息ID、第一RRC重配置消息、第二RRC重配置消息、第一切换执行条件以及第二切换执行条件，其中，所述第一RRC重配置消息中指示用于所述移动终端随机接入所述第一微基站所需要的配置信息，所述第二RRC重配置消息中指示用于所述移动终端随机接入所述第二微基站所需要的配置信息，其中，所述第一RRC重配置消息与第一RRC重配置消息ID相关联，所述第二RRC重配置消息与第二RRC重配置消息ID相关联，所述第一切换执行条件与所述第一切换执行条件ID相关联，所述第二切换执行条件与所述第二切换执行条件ID相关联。


2.如权利要求1所述的用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法，其特征在于，所述用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法包括如下步骤：
响应于接收到所述第一切换配置消息，由移动终端监测由第一微基站发送的同步信号以及由第二微基站发送的同步信号；
响应于监测到由第一微基站发送的同步信号以及由第二微基站发送的同步信号，由移动终端基于由第一微基站发送的同步信号确定所述移动终端与所述第一微基站之间的通信链路的第二链路质量，以及由移动终端基于由第二微基站发送的同步信号确定所述移动终端与所述第二微基站之间的通信链路的第三链路质量；
响应于确定所述第二链路质量，由移动终端判断所述第二链路质量是否高于第二链路质量门限，其中，所述第二链路质量门限是在所述第一切换执行条件中指示的；
响应于确定所述第三链路质量，由移动终端判断所述第三链路质量是否高于第三链路质量门限，其中，所述第三链路质量门限是在所述第二切换执行条件中指示的；
如果判断所述第二链路质量高于第二链路质量门限，则由移动终端随机接入所述第一微基站；
响应于随机接入所述第一微基站，由移动终端断开与所述宏基站的RRC连接；
响应于随机接入所述第一微基站，由移动终端向所述第一微基站发送所述与磁控溅射过程有关的信息；
如果判断所述第三链路质量高于第三链路质量门限，则由移动终端随机接入所述第二微基站；
响应于随机接入所述第二微基站，由移动终端断开与所述宏基站的RRC连接；
响应于随机接入所述第二微基站，由移动终端向所述第二微基站发送所述与磁控溅射过程有关的信息。


3.如权利要求2所述的用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法，其特征在于，所述用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法包括如下步骤：
响应于向所述移动终端发送第一切换配置消息，如果宏基站监听到由第三微基站发送的同步信号，则由宏基站向第三微基站发送切换请求消息；
响应于接收到所述切换请求消息，由第三微基站判断所述第三微基站是否能够允许所述移动终端随机接入所述第三微基站；
如果判断所述第三微基站能够允许所述移动终端随机接入所述第三微基站，则由第三微基站向所述宏基站发送第三切换请求确认消息，其中，所述第三切换请求确认消息中包括用于所述移动终端随机接入所述第三微基站所需要的配置信息；
响应于接收到所述第三切换请求确认消息，由宏基站向所述移动终端发送第二切换配置消息，其中，所述第二切换配置消息中至少包括第二切换配置消息ID、第三RRC重配置消息以及第三切换执行条件，其中，所述第二切换配置消息中不包括第一RRC重配置消息、第二RRC重配置消息、第一切换执行条件以及第二切换执行条件，其中，所述第三RRC重配置消息中指示用于所述移动终端随机接入所述第三微基站所需要的配置信息，其中，所述第三RRC重配置消息与第三RRC重配置消息ID相关联，其中，所述第三切换执行条件与所述第三切换执行条件ID相关联；
响应于接收到所述第二切换配置消息，由移动终端确定所述第二切换配置消息中是否包括不同于第一切换配置消息ID的切换配置消息ID；
响应于确定所述第二切换配置消息中包括第二切换配置消息ID，由移动终端确定所述第二切换配置消息中包括的第三RRC重配置消息以及第三切换执行条件；
响应于确定所述第三RRC重配置消息以及第三切换执行条件，由移动终端监测由第三微基站发送的同步信号；
响应于监测到由第三微基站发送的同步信号，由移动终端基于由第三微基站发送的同步信号确定所述移动终端与所述第三微基站之间的通信链路的第四链路质量；
响应于确定所述第四链路质量，由移动终端判断所述第四链路质量是否高于第四链路质量门限，其中，所述第四链路质量门限是在所述第三切换执行条件中指示的，其中，在所述移动终端判断所述第四链路质量是否高于第四链路质量门限的同时，所述移动终端继续判断所述第二链路质量是否高于第二链路质量门限以及所述第三链路质量是否高于第三链路质量门限；
如果判断所述第二链路质量高于第二链路质量门限，则由移动终端随机接入所述第一微基站；
响应于随机接入所述第一微基站，由移动终端断开与所述宏基站的RRC连接；
响应于随机接入所述第一微基站，由移动终端向所述第一微基站发送所述与磁控溅射过程有关的信息；
如果判断所述第三链路质量高于第三链路质量门限，则由移动终端随机接入所述第二微基站；
响应于随机接入所述第二微基站，由移动终端断开与所述宏基站的RRC连接；
响应于随机接入所述第二微基站，由移动终端向所述第二微基站发送所述与磁控溅射过程有关的信息；
如果判断所述第四链路质量高于第四链路质量门限，则由移动终端随机接入所述第三微基站；
响应于随机接入所述第三微基站，由移动终端断开与所述宏基站的RRC连接；
响应于随机接入所述第三微基站，由移动终端向所述第三微基站发送所述与磁控溅射过程有关的信息。


4.如权利要求3所述的用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法，其特征在于，所述用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法包括如下步骤：
响应于向所述移动终端发送第一切换配置消息，如果宏基站确定改变所述第一切换执行条件，则由宏基站向所述移动终端发送第二切换配置消息，其中，所述第二切换配置消息中至少包括第二切换配置消息ID、第一切换执行条件ID修改指示以及第四切换执行条件，其中，所述第四切换执行条件与所述经过修改的第一切换执行条件ID相关联；
响应于接收到所述第二切换配置消息，由移动终端确定所述第二切换配置消息中是否包括不同于第一切换配置消息ID的切换配置消息ID；
响应于确定所述第二切换配置消息中包括第二切换配置消息ID，由移动终端确定所述第二切换配置消息中包括的第一切换执行条件ID修改指示；
响应于确定所述第二切换配置消息中包括的第一切换执行条件ID修改指示，由移动终端使用所述第四切换执行条件替换所述第一切换执行条件；
响应于使用所述第四切换执行条件替换所述第一切换执行条件，由移动终端监测由第一微基站发送的同步信号；
响应于监测到由第一微基站发送的同步信号，由移动终端基于由第一微基站发送的同步信号确定所述移动终端与所述第一微基站之间的通信链路的第二链路质量；
响应于确定所述第二链路质量，由移动终端判断所述第二链路质量是否高于第五链路质量门限，其中，所述第五链路质量门限是在所述第四切换执行条件中指示的，其中，在所述移动终端判断所述第二链路质量是否高于第五链路质量门限的同时，所述移动终端继续判断所述第三链路质量是否高于第三链路质量门限。


5.如权利要求4所述的用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法，其特征在于，所述用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测方法包括如下步骤：
如果判断所述第二链路质量高于第五链路质量门限，则由移动终端随机接入所述第一微基站；
响应于随机接入所述第一微基站，由移动终端断开与所述宏基站的RRC连接；
响应于随机接入所述第一微基站，由移动终端向所述第一微基站发送所述与磁控溅射过程有关的信息；
如果判断所述第三链路质量高于第三链路质量门限，则由移动终端随机接入所述第二微基站；
响应于随机接入所述第二微基站，由移动终端断开与所述宏基站的RRC连接；
响应于随机接入所述第二微基站，由移动终端向所述第二微基站发送所述与磁控溅射过程有关的信息。


6.一种用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测系统，其特征在于，所述用于半导体生产过程的基于NR的磁控溅射过程监测系统包括：
用于由移动终端监测与磁控溅射过程有关的信息的单元；
用于由移动终端监听由宏基站发送...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文爽，沈文齐，
申请(专利权)人：蚌埠泰鑫材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34