【技术实现步骤摘要】
溅射靶部件、溅射膜及其制造方法，溅射靶、膜体
本专利技术涉及一种溅射靶部件、溅射靶部件的制造方法、溅射靶、溅射膜、溅射膜的制造方法、膜体、层叠结构体以及有机EL装置。
技术介绍
有机电致发光(EL)装置，具备夹持在上部电极(阴极)和下部电极(阳极)这一对电极之间的有机层。作为有机层，已知包括有机空穴传输层和有机发光层，从下部电极注入的空穴和从上部电极注入的电子，在有机发光层再次结合从而形成激发态，当回到基态时产生发光。在有机空穴传输层以及有机发光层中，为了高效率地注入空穴以及电子，典型地，上部电极使用具有较低的功函数的金属，下部电极使用具有较高的功函数且由金属复合氧化物构成的溅射膜。这里，在制造成为下部电极的溅射膜时，高功函数的膜，在玻璃或塑料等成膜用基板上或者在成膜于该基板之上的金属膜上，使用由氧化物烧结体形成的溅射靶部件通过溅射法从而成膜。因此，为了得到具有高的功函数的溅射膜，业界着眼于作为原料的溅射靶部件。例如，专利文献1中公开了一种透明导电膜制造用烧结体靶，其主要由Ga、In以及O构成，与全部金属原子...
【技术保护点】
1.一种溅射靶部件，其由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，/nGa/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部的晶相相比(Ga，In)
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20181226 JP 2018-2437751.一种溅射靶部件，其由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，
Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部的晶相相比(Ga，In)2O3相的面积比率为90％以上。
2.如权利要求1所述的溅射靶部件，其中，所述Ga/In的原子比为0.95以上且为1.05以下。
3.如权利要求1所述的溅射靶部件，其中，所述面积比率为95％以上。
4.如权利要求2所述的溅射靶部件，其中，所述面积比率为95％以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件，其中，所述溅射靶部件的相对密度为94％以上。
6.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件，其中，所述溅射靶部件的体积电阻率为1.0×103Ω·cm以下。
7.如权利要求5所述的溅射靶部件，其中，所述溅射靶部件的体积电阻率为1.0×103Ω·cm以下。
8.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件，其中，在溅射气体中的氧含量从0体积％变化到3体积％进行溅射膜的成膜的情况下，该溅射膜的功函数在5.0～6.0eV的范围内。
9.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件，其中，所述溅射靶部件是圆筒状或平板状。
10.一种溅射靶，具备如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件和基材。
11.一种如权利要求1～9中任一项所述的溅射靶部件的制造方法，包括：
混合步骤，以Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下的方式混合In2O3粉末和Ga2O3粉末得到混合粉末；
烧结步骤，在烧结温度超过1400℃且小于1600℃下烧结所述混合粉末得到烧结体。
12.如权利要求11所述的溅射靶部件的制造方法，其中，所述烧结温度为1450℃～1550℃。
13.如权利要求11或12所述的溅射靶部件的制造方法，其中，在所述烧结步骤中，烧结保持时间为5～20小时。
14.一种溅射膜，其由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，
Ga/In的原子比为0.85以上且为1.15以下，波长633nm下的折射率为1.9～2.1，功函数为5.0～6.0eV。
15.如权利要求14所述的溅射膜，其中，所述溅射膜的体积电阻率为1.0Ω·cm以下。
16.如权利要求14所述的溅射膜，其中，所述溅射膜在波长633nm下的消光系数为0.01以下。
17.如权利要求15所述的溅射膜，其中，所述溅射膜在波长633nm下的消光系数为0.01以下。
18.如权利要求14～17中任一项所述的溅射膜，其中，所述溅射膜是非晶体。
技术研发人员：远藤瑶辅，山本浩由，桃井元，角田浩二，奈良淳史，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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