溅射靶部件、溅射膜及其制造方法，溅射靶、膜体技术

提供一种溅射靶部件，其适于得到具有高功函数以及波长633nm下的折射率1.9～2.1等特性的溅射膜。所述溅射靶部件，由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga，In)

Sputtering target component, sputtering film and its manufacturing method, sputtering target and film body

【技术实现步骤摘要】
溅射靶部件、溅射膜及其制造方法，溅射靶、膜体
本专利技术涉及一种溅射靶部件、溅射靶部件的制造方法、溅射靶、溅射膜、溅射膜的制造方法、膜体、层叠结构体以及有机EL装置。
技术介绍
有机电致发光(EL)装置，具备夹持在上部电极(阴极)和下部电极(阳极)这一对电极之间的有机层。作为有机层，已知包括有机空穴传输层和有机发光层，从下部电极注入的空穴和从上部电极注入的电子，在有机发光层再次结合从而形成激发态，当回到基态时产生发光。在有机空穴传输层以及有机发光层中，为了高效率地注入空穴以及电子，典型地，上部电极使用具有较低的功函数的金属，下部电极使用具有较高的功函数且由金属复合氧化物构成的溅射膜。这里，在制造成为下部电极的溅射膜时，高功函数的膜，在玻璃或塑料等成膜用基板上或者在成膜于该基板之上的金属膜上，使用由氧化物烧结体形成的溅射靶部件通过溅射法从而成膜。因此，为了得到具有高的功函数的溅射膜，业界着眼于作为原料的溅射靶部件。例如，专利文献1中公开了一种透明导电膜制造用烧结体靶，其主要由Ga、In以及O构成，与全部金属原子相比含有49.1原子％以上且65原子％以下的Ga，主要由β－Ga2O3型结构的GaInO3相和铁锰矿型结构的In2O3相构成，用In2O3相(400)/β－GaInO3相(111)×100(％)定义的X射线衍射峰强度比为45％以下，密度为5.8g/cm3以上。并且公开了，使用这样的烧结体靶通过溅射法得到的透明导电膜，表示出5.1eV以上的功函数，在波长633nm下示出了1.65以上且1.85以下的折射率。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2007－224386号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题近年，有机EL的开发不断发展，各个电子设备的制造从业者提出了各种各样的结构。基于该情况，由于在电子设备中使得光学特性最优化很重要，因此期望提出一种溅射靶部件，该溅射靶部件能够提供具有与各种电子设备的结构相对应的折射率的溅射膜。因此，可认为，为了得到折射率与专利文献1所公开的不同的溅射膜，现有技术的溅射靶部件仍有改善的余地。因此，本专利技术的实施方式的目的在于，提供一种适于得到具有高的功函数，并且折射率在波长633nm下为1.9～2.1的溅射膜的溅射靶部件。解决技术问题的方法即，在本专利技术的一方面，是一种溅射靶部件，其由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，其中，Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部晶相相比(Ga，In)2O3相的面积比率为90％以上。在本专利技术的溅射靶部件的一实施方式中，所述Ga/In的原子比为0.95以上且为1.05以下。在本专利技术的溅射靶部件的一实施方式中，所述面积比率为95％以上。在本专利技术的溅射靶部件的一实施方式中，该溅射靶部件的相对密度为94％以上。在本专利技术的溅射靶部件的一实施方式中，该溅射靶部件的体积电阻率为1.0×103Ω·cm以下。在本专利技术的溅射靶部件的一实施方式中，使得溅射气体中的氧含量从0体积％变化到3体积％并进行溅射膜的成膜的情况下，该溅射膜的功函数在5.0～6.0eV的范围内。在本专利技术的溅射靶部件的一实施方式中，该溅射靶部件是圆筒状或平板状。另外，本专利技术在另一方面，是具备以上任一项所述的溅射靶部件和基材的溅射靶。另外，本专利技术在再一方面，是制造以上任一项所述的溅射靶部件的制造方法，包括：混合步骤，以Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下的方式混合In2O3粉和Ga2O3得到混合粉末；烧结步骤，在烧结温度超过1400℃且小于1600℃下烧结所述混合粉末得到烧结体。在本专利技术的溅射靶部件的制造方法的一实施方式中，所述烧结温度为1450℃～1550℃。在本专利技术的溅射靶部件的制造方法的一实施方式中，在所述烧结步骤中，烧结保持时间为5～20小时。另外，本专利技术在又一方面，是一种溅射膜，该溅射膜由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，Ga/In的原子比为0.85以上且为1.15以下，波长633nm下的折射率为1.9～2.1，功函数为5.0～6.0eV。在本专利技术的溅射膜的一实施方式中，溅射膜的体积电阻率为1.0Ω·cm以下。在本专利技术的溅射膜的一实施方式中，溅射膜在波长633nm下的消光系数为0.01以下。在本专利技术的溅射膜的一实施方式中，该溅射膜是非晶体。另外，本专利技术在又一方面，是一种溅射膜的制造方法，包括使用以上任一项所述的溅射靶部件进行溅射膜的成膜的成膜步骤。在本专利技术的溅射膜的制造方法的一实施方式中，在所述成膜步骤后，包括在200℃以下对所述溅射膜进行退火处理的步骤。在本专利技术的溅射膜的制造方法的一实施方式中，在所述成膜步骤中，一边在200℃以下进行退火处理一边进行所述溅射膜的成膜。在本专利技术的溅射膜的制造方法的一实施方式中，所述成膜步骤在溅射气体中的氧含量为10体积％以下进行实施。另外，本专利技术在又一方面，是一种膜体，具备以上任一项所述的溅射膜。在本专利技术的膜体的一实施方式中，还具备与所述溅射膜的第1主表面接触的第1金属膜。在本专利技术的膜体的一实施方式中，还具备与所述第1金属膜的主表面接触的氧化物势垒膜。在本专利技术的膜体的一实施方式中，具备与所述溅射膜的第1主表面接触的氧化物导电膜。在本专利技术的膜体的一实施方式中，还具备与所述氧化物导电膜的主表面接触的第1金属膜。在本专利技术的膜体的一实施方式中，还具备与所述第1金属膜的主表面接触的氧化物势垒膜。在本专利技术的膜体的一实施方式中，所述氧化物导电膜的体积电阻率为1.0×10-3Ω·cm以下。在本专利技术的膜体的一实施方式中，所述氧化物导电膜由选自ITO、IZO、以及AZO的群组的至少1种形成。在本专利技术的膜体的一实施方式中，所述第1金属膜由含有90质量％以上的选自Ag、Cu、Ni、Fe、Cr、Al以及Co的群组的1种或2种以上的组成形成。另外，本专利技术在又一方面，是一种层叠结构体，具备以上任一项所述的膜体，以及与所述溅射膜的第1主表面那一侧的所述膜体的最外主表面接触的玻璃基板或树脂基板。在本专利技术的层叠结构体的一实施方式中，还具备与所述溅射膜的第2主表面接触的有机层，该第2主表面位于第1主表面的相反侧。在本专利技术的层叠结构体的一实施方式中，还具备与所述有机层的主表面接触的第2金属膜。在本专利技术的层叠结构体的一实施方式中，所述第2金属膜由选自Al、In、W、Ti、Mo、Mg－Ag以及Ag－Al的群组的1种或2种以上形成。另外，本专利技术在又一方面，是一种有机EL装置，其中依次层叠有密封层、以上任一项所述的层叠结构体、薄膜晶体管、基板。专利技术的效果本专利技术的一实施方式的溅射靶部件，适于得到具有高功函数以及折射率为1.9～2.1等特性的溅射膜。附图说明图1是说明本专利技术的溅射靶部件的制造方法的一实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射靶部件，其由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，/nGa/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部的晶相相比(Ga，In)

【技术特征摘要】
20181226 JP 2018-2437751.一种溅射靶部件，其由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，
Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下，在EPMA的面分析中，与全部的晶相相比(Ga，In)2O3相的面积比率为90％以上。


2.如权利要求1所述的溅射靶部件，其中，所述Ga/In的原子比为0.95以上且为1.05以下。


3.如权利要求1所述的溅射靶部件，其中，所述面积比率为95％以上。


4.如权利要求2所述的溅射靶部件，其中，所述面积比率为95％以上。


5.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件，其中，所述溅射靶部件的相对密度为94％以上。


6.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件，其中，所述溅射靶部件的体积电阻率为1.0×103Ω·cm以下。


7.如权利要求5所述的溅射靶部件，其中，所述溅射靶部件的体积电阻率为1.0×103Ω·cm以下。


8.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件，其中，在溅射气体中的氧含量从0体积％变化到3体积％进行溅射膜的成膜的情况下，该溅射膜的功函数在5.0～6.0eV的范围内。


9.如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件，其中，所述溅射靶部件是圆筒状或平板状。


10.一种溅射靶，具备如权利要求1～4中任一项所述的溅射靶部件和基材。


11.一种如权利要求1～9中任一项所述的溅射靶部件的制造方法，包括：
混合步骤，以Ga/In的原子比为0.90以上且为1.11以下的方式混合In2O3粉末和Ga2O3粉末得到混合粉末；
烧结步骤，在烧结温度超过1400℃且小于1600℃下烧结所述混合粉末得到烧结体。


12.如权利要求11所述的溅射靶部件的制造方法，其中，所述烧结温度为1450℃～1550℃。


13.如权利要求11或12所述的溅射靶部件的制造方法，其中，在所述烧结步骤中，烧结保持时间为5～20小时。


14.一种溅射膜，其由Ga、In、O以及不可避免的杂质形成，
Ga/In的原子比为0.85以上且为1.15以下，波长633nm下的折射率为1.9～2.1，功函数为5.0～6.0eV。


15.如权利要求14所述的溅射膜，其中，所述溅射膜的体积电阻率为1.0Ω·cm以下。


16.如权利要求14所述的溅射膜，其中，所述溅射膜在波长633nm下的消光系数为0.01以下。


17.如权利要求15所述的溅射膜，其中，所述溅射膜在波长633nm下的消光系数为0.01以下。


18.如权利要求14～17中任一项所述的溅射膜，其中，所述溅射膜是非晶体。

【专利技术属性】
技术研发人员：远藤瑶辅，山本浩由，桃井元，角田浩二，奈良淳史，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP