一种基于暗场莫尔条纹的对准检测与控制的超分辨光刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于暗场莫尔条纹对准检测与控制的超分辨光刻装置，该装置包括精密的环控系统、主动隔振平台、支撑框架、光源、对准检测系统、掩模形变校正系统、光刻镜头模块、承片台及控制系统。该装置通过暗场莫尔条纹衍射成像技术，实现了纳米量级的在线对准检测，通过控制纳米运动台和掩模形变校正系统消除掩模与基片的对准偏差，实现多层图形套刻曝光；通过白光间隙测量模块、精密位移台、纳米位移台、掩模形变模块进行反馈控制，实现了超分辨多层图形套刻曝光光刻功能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于暗场莫尔条纹的对准检测与控制的超分辨光刻装置
本专利技术是一种基于暗场莫尔条纹对准检测与控制的超分辨光刻装置，属于超分辨光刻装置的改进和创新

技术介绍
随着半导体IC产业的高速发展，IC集成电路不断向小型化以及存储密度越来越高的方向发展，迫切需要提高光刻工艺。光刻工艺的分辨率和曝光效率决定了生产集成电路芯片的分辨率和生产效率。光刻工艺是通过曝光操作将掩模板上的图案转移到基片表面的光刻胶上，接着通过显影、刻蚀等工艺将图形转移到基片上。由于光学波动性所产生的衍射和干涉等效应，传统光学光刻的路线受到“衍射受限”的限制，很难实现亚波长的特征尺寸，因此，科学家提出了诸如沉浸光刻、极紫外光刻、X射线光刻、电子束曝光光刻、离子束光刻、纳米压印等光刻技术。但是，这些光刻技术存在着，诸如设备昂贵、过程复杂或者产能低等限制。2004年，罗先刚研究员首次报道表面等离子体共振干涉光刻技术，提出SP光刻的加工方法，以突破衍射受限，提高光刻分辨力。当前，研究人员已经利用SP光刻方法实现了超分辨率的单层器件制造。因为SP光刻工作距短的限制，投影光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于暗场莫尔条纹的对准检测与控制的超分辨光刻装置，其特征在于：该装置包括主动隔振平台(1)、大理石台面(2)、支撑框架(3)、粗行程运动台(4)、六自由度纳米运动台(5)、承片台(6)、基片(7)、超分辨光刻掩模(8)、基片对准标记区(9)、掩模形变校正模块(10)、白光干涉间隙测量模块(11)、主基板(12)、X/Y轴位移台(13)、曝光照明光源(25)、环境控制系统(26)、主控系统(27)、白光干涉间隙测量窗口(29)和掩模对准标记区(30)；其中：/n所述的对准检测系统包括8套相同的对准偏差检测模块，X/Y轴位移台(13)安装在主基板(12)上，每一套间隙检测模块包括X/Y轴位...

【技术特征摘要】
1.一种基于暗场莫尔条纹的对准检测与控制的超分辨光刻装置，其特征在于：该装置包括主动隔振平台(1)、大理石台面(2)、支撑框架(3)、粗行程运动台(4)、六自由度纳米运动台(5)、承片台(6)、基片(7)、超分辨光刻掩模(8)、基片对准标记区(9)、掩模形变校正模块(10)、白光干涉间隙测量模块(11)、主基板(12)、X/Y轴位移台(13)、曝光照明光源(25)、环境控制系统(26)、主控系统(27)、白光干涉间隙测量窗口(29)和掩模对准标记区(30)；其中：
所述的对准检测系统包括8套相同的对准偏差检测模块，X/Y轴位移台(13)安装在主基板(12)上，每一套间隙检测模块包括X/Y轴位移台(13)、Tz轴旋转台(14)、倾斜转接板(15)、Z轴位移台(16)、Rx/Ry旋转台(17)、镜头夹持架(18)、远心镜头(19)、CCD相机(20)、光纤准直单元(21)、柔性光纤(22)、快门(23)和对准光源(24)，其中Tz轴旋转台(14)安装在X/Y轴位移台(13)上，倾斜转接板(15)安装在Tz轴旋转台(14)上，Z轴位移台(16)安装在倾斜转接板(15)上，Rx/Ry旋转台(17)安装在Z轴位移台(16)上，镜头夹持架(18)安装在Rx/Ry旋转台(17)上，远心镜头(19)与CCD相机(20)连接夹持在镜头夹持架(18)上，光源准直模块安装在远心镜头的照明光源导入口上；
所述的对准光源(24)安装在支撑框架(3)上，支撑框架(3)安装在主动隔振平台(1)上的大理石台面上，主动隔振平台(1)安装在减振地基上，整个装置被环境控制系...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗先刚，刘明刚，蒲明博，马晓亮，高平，李雄，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51