【技术实现步骤摘要】
曝光装置以及检测光罩对准误差的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月21日提交的第62/784288号美国临时专利申请的权益,其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术总体涉及一种曝光装置以及检测光罩的对准误差的方法。更具体而言,本专利技术涉及一种具有对准光源和对准传感器以允许在曝光制程中检测光罩的对准误差的曝光装置。
技术介绍
集成电路通常由光刻工艺(或曝光工艺)制成,该工艺使用光罩(或光掩模)以及相关的光源将电路图像转印到半导体晶圆的表面上。光刻工艺需要在晶圆上涂上一层光刻胶,曝光光刻胶层,然后显影曝光的光刻胶。在曝光光刻胶层的制程中(例如,曝光制程),将涂敷有光刻胶层的晶圆装载到曝光装置(例如,步进式曝光装置或扫描式曝光装置)上,以用光罩的图案进行曝光。如图1所示,其示出了曝光装置的示意图。在曝光制程中,将光罩110放置在曝光装置的光罩台130上。光罩110由镀有金属层112(例如,铬层)的石英层111(或钠钙玻璃层)平板制成,金属层112形成用于电子电路的图案。防护膜120用于密封光 ...
【技术保护点】
1.一种曝光装置,用于将光罩的图案转印到晶圆上,其特征在于,所述光罩的一侧具有形成所述图案的金属层;所述图案包括至少一个电路图案以及至少一个对准标记,所述曝光装置包括:/n曝光光源,配置成产生第一光线以曝光所述光罩的所述图案;/n对准光源,配置成产生第二光线以曝光所述光罩的所述对准标记;/n光罩台,配置成定位所述光罩;以及/n对准传感器,配置成探测穿过所述光罩的所述对准标记的第二光线以确定所述光罩的对准误差。/n
【技术特征摘要】
20181221 US 62/7842881.一种曝光装置,用于将光罩的图案转印到晶圆上,其特征在于,所述光罩的一侧具有形成所述图案的金属层;所述图案包括至少一个电路图案以及至少一个对准标记,所述曝光装置包括:
曝光光源,配置成产生第一光线以曝光所述光罩的所述图案;
对准光源,配置成产生第二光线以曝光所述光罩的所述对准标记;
光罩台,配置成定位所述光罩;以及
对准传感器,配置成探测穿过所述光罩的所述对准标记的第二光线以确定所述光罩的对准误差。
2.如权利要求1所述的曝光装置,其特征在于,还包括:
投影模块,配置成通过穿过所述光罩的所述图案的所述第一光线将所述光罩的所述图案投射到所述晶圆上;以及
晶圆台,配置成定位所述晶圆。
3.如权利要求2所述的曝光装置,其特征在于,所述对准光源设置在所述光罩台上方,所述对准传感器设置在所述光罩台与所述晶圆台之间。
4.如权利要求2所述的曝光装置,其特征在于,所述对准光源设置在所述光罩台上方,所述对准传感器设置在所述晶圆台上。
5.如权利要求2所述的曝光装置,其特征在于,还包括:
第一驱动单元,联接至所述光罩台,并且配置成驱动所述光罩台;以及
第二驱动单元,联接至所述晶圆台,并且配置成驱动所述晶圆台;
第一干涉仪,配置成测量所述光罩台的位置;以及
第二干涉仪,配置成测量所述晶圆台的位置。
6.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘智龙,
申请(专利权)人:夏泰鑫半导体青岛有限公司,
类型:发明
国别省市:山东;37
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