一种NAND闪存器件及形成方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种NAND闪存器件及形成方法。本发明专利技术实施例在第一栅极结构表面的隔离层上形成覆盖所述隔离层的阻挡层，以保护所述隔离层；刻蚀部分区域的隔离层以及第一栅极结构，以露出部分区域的第一栅极结构；形成至少覆盖露出部分的第一栅极结构的第二栅极结构。能够提高NAND闪存器件的性能。

A NAND flash device and its forming method

【技术实现步骤摘要】
一种NAND闪存器件及形成方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种NAND闪存器件及形成方法。
技术介绍
非易失性存储器(Non-VolatileMemoryDevice，NVM)是一种半导体存储器，当供电电源被移除时，仍可持续储存数据。其中，NAND存储器是常用的一种非易失性存储器，其具有存储单元面积小，存储器单元的存储量大等优点，因而被广泛地应用在MP3播放器、数字相机、数字摄录像机以及移动电话等便携式电子产品的存储卡内。然而，现有的NAND闪存器件的制造工艺仍然存在工艺复杂的问题，器件性能有待提高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体器件及其形成方法，能够提高NAND闪存器件的性能。本专利技术实施例提供一种NAND闪存器件的形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个分立的第一栅极结构；形成覆盖所述第一栅极结构表面的隔离层；刻蚀预定区域的隔离层以及部分第一栅极结构，以露出所述预定区域的第一栅极结构；形成第二栅极结构，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个分立的第一栅极结构；/n形成覆盖所述第一栅极结构表面的隔离层；/n刻蚀预定区域的隔离层以及部分第一栅极结构，以露出所述预定区域的第一栅极结构；/n形成第二栅极结构，所述第二栅极结构至少覆盖露出部分的第一栅极结构；/n其中，所述第二栅极结构通过一次工艺一体形成。/n

【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个分立的第一栅极结构；
形成覆盖所述第一栅极结构表面的隔离层；
刻蚀预定区域的隔离层以及部分第一栅极结构，以露出所述预定区域的第一栅极结构；
形成第二栅极结构，所述第二栅极结构至少覆盖露出部分的第一栅极结构；
其中，所述第二栅极结构通过一次工艺一体形成。


2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成覆盖所述第一栅极结构表面的隔离层之后，所述方法还包括：
形成覆盖所述隔离层的阻挡层，以保护所述隔离层。


3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述形成覆盖所述隔离层的阻挡层具体为：
采用扩散工艺形成氮化硅层。


4.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为


5.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡层为采用扩散工艺形成的硅层。


6.根据权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述形成覆盖所述隔离层的阻挡层具体为：
采用二(异丙氨基)硅烷(Diisopropylaminosilane，DIPAS，C6H17NSi)作为扩散气体的扩散工艺形成硅层。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，仇圣棻，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造天津有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12