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本发明实施例提供了一种NAND闪存器件及形成方法。本发明实施例在第一栅极结构表面的隔离层上形成覆盖所述隔离层的阻挡层，以保护所述隔离层；刻蚀部分区域的隔离层以及第一栅极结构，以露出部分区域的第一栅极结构；形成至少覆盖露出部分的第一栅极结构的...该专利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。