适用于双列直插式存储模块的卡槽、主板及主板设计方法技术

本发明专利技术提供了一种适用于双列直插式存储模块的卡槽、主板及主板设计方法，方法包括以下步骤：获取信号层的布线情况，根据信号层的布线情况确定每一个DIMM模块与信号层的连接区域；根据连接区域确定DIMM模块必须连接的接地层并设计接地层的通孔路径；在满足焊接可靠性要求的情况下，挖空DIMM模块不是必须连接的接地层中的地管脚，配合通孔路径制备形成新的接地层；使用新的接地层进行主板制备。本发明专利技术还提供了基于上述设计方法制备的卡槽和主板。本发明专利技术通过分析信号连接的区域，分区域确定DIMM对地的连接，从而降低每个DIMM地管脚的连接层数。本发明专利技术解决了透锡不良造成SI性能降低的问题，在不增加成本的前提下保证了主板的SI性能。

Design method of card slot, main board and main board for dual in-line storage module

【技术实现步骤摘要】
适用于双列直插式存储模块的卡槽、主板及主板设计方法
本专利技术属于主板设计领域，具体涉及一种基于双列直插式存储模块的主板设计方法以及一种主板。
技术介绍
随着系统速率的提高，尤其在服务器系统中，高速并行总线DDR不断更新换代。导致SI(SignalIntegrity，信号完整性)的重要性不断提高，甚至是高速平行总线DDR的设计成败的关键。对于服务器主板，由于成本因素，DIMM(DualInlineMemoryModules，双列直插式存储模块)普遍采用插装的封装方式，其焊接工艺是波峰焊。在多层板设计中，为了保证DDR走线和电源的良好回流，即良好的SI性能，DIMM的电源和地管脚与印制电路板的很多层相连，通常超过三层。但是进行波峰焊时，会造成焊接时上锡不良等问题，降低可靠性。这是由于连接层数过多，尤其是大的铜面连接过多，会导致在过波峰焊时，由于局部散热过快，锡还未达到要求的高度就过早固化，形成上锡不良。目前解决焊接可靠性与SI性能冲突的方案有如下三种：方案一，更换为贴片封装的DIMM，来代替插装的DIMM；方案二，由厂家提高焊接可靠性；方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于双列直插式存储模块的主板设计方法，其特征在于，包括以下步骤：/n获取信号层的布线情况，根据所述信号层的布线情况确定每一个DIMM模块与所述信号层的连接区域；/n根据所述连接区域确定所述DIMM模块必须连接的接地层并设计接地层的通孔路径；/n在满足焊接可靠性要求的情况下，挖空所述DIMM模块不是必须连接的接地层中的地管脚，配合所述通孔路径制备形成新的接地层；/n使用所述新的接地层进行主板制备。/n

【技术特征摘要】
1.一种适用于双列直插式存储模块的主板设计方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取信号层的布线情况，根据所述信号层的布线情况确定每一个DIMM模块与所述信号层的连接区域；
根据所述连接区域确定所述DIMM模块必须连接的接地层并设计接地层的通孔路径；
在满足焊接可靠性要求的情况下，挖空所述DIMM模块不是必须连接的接地层中的地管脚，配合所述通孔路径制备形成新的接地层；
使用所述新的接地层进行主板制备。


2.根据权利要求1所述的一种基于双列直插式存储模块的主板设计方法，其特征在于，满足焊接可靠性要求的情况为所述DIMM模块连接的所述接地层不大于3层。

【专利技术属性】
技术研发人员：田民政，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32