一种粉末冶金AlSnCu合金靶材及其制备方法技术

技术编号:24670444 阅读:30 留言:0更新日期:2020-06-27 05:02
本发明专利技术涉及一种粉末冶金AlSnCu合金靶材及其制备方法,属于金属材料的制备加工领域。首先按照成份比例配备合金原料,采用喷粉制备出AlSnCu合金粉末;将筛选后的粉末置入纯铝包套;进行真空除气;随后进行分段热等静压,即在125~225℃之间进行不低于100MPa的热等静压,不少于2小时;然后在460±5℃进行不低于100MPa的热等静压,不少于4小时;热等静压完成后的出炉温度不高于200℃;将致密化后的材料进行机械加工或者小变形量的挤压或者轧制,制得方便利用的材料形状。得到靶材的晶粒尺寸均匀、形状近等轴状、成分均匀、无明显织构,少或无缺陷和杂质,同时过程控制难度小、材料利用率高。

A powder metallurgy alsncu alloy target and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种粉末冶金AlSnCu合金靶材及其制备方法
本专利技术涉及磁控溅射轴瓦减磨合金层用AlSnCu合金靶材及其制备方法,尤其是一种粉末冶金AlSnCu合金靶材及其制备方法,属于金属材料的制备加工领域。
技术介绍
AlSnCu合金是一种综合性能良好的轴承合金,具有良好的抗粘咬性、耐磨减摩性、耐腐蚀性、顺应性和嵌入性等,同时又具有密度小、导热性好、承载能力大、疲劳强度高等优良特性。将AlSnCu合金通过磁控溅射复合到铜基合金上,可以制备出性能优异的复合轴瓦。AlSnCu合金材是磁控溅射制备该高性能轴瓦减磨层的必备原材料。作为溅射用的靶材,要求其具有组织、成分均匀,无明显织构,以及少无杂质等特点。AlSnCu合金中,Sn是以单质的形式存在于基体之中,而Sn的熔点仅为232℃,远低于Al的熔点660℃,这导致采用传统的熔铸工艺制备该材料时,偏析严重,难以满足靶材的要求。奥地利Miba公司采用磁控溅射技术在轴承表面溅射一层组织非常细小的AlSn合金,实现了极高的耐磨性、抗疲劳强度等。这种新型材料镀层的轴瓦,属于滑动轴承的第四代产品,目前国际上只有英国、德国、奥地利等少数几个国家批量生产。综上所述,根据当前轴瓦的使用要求,开发出满足其磁控溅射工艺的AlSnCu合金靶材及其制备方法,是实现国产高性能先进轴瓦的关键技术基础。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种粉末冶金AlSnCu合金靶材及其制备方法,可以制备出组织、成分均匀,无明显织构,以及少无杂质等特点的靶材。该靶材作为轴瓦的磁控溅射镀层的基础原材料,可以显著改善轴瓦表面减磨层的组织和性能。一种粉末冶金AlSnCu合金靶材,该合金靶材中,锡含量为15~25wt.%,铜含量为1.5~3.5wt.%,其余为铝。进一步地,所述合金靶材中,杂质含量≤0.5wt.%。上述粉末冶金AlSnCu合金靶材的制备方法,包括以下步骤:(1)制粉:将铝、铜和锡按成份比例配备合金原料,采用喷粉制备出AlSnCu合金粉末,并进行筛分;(2)包套:将步骤(1)中得到的粉末置入纯铝包套,并焊接封装,留有排气管道;(3)真空除气:对步骤(2)中包套封装的AlSnCu合金粉末进行真空除气;(4)分段热等静压:对步骤(3)中的包套进行分段热等静压,先在125~225℃之间进行不低于100MPa的热等静压,不少于2小时;然后在460±5℃进行不低于100MPa的热等静压,不少于4小时;热等静压完成后的出炉温度不高于200℃;(5)机械加工或者机械加工和变形加工:将步骤(4)中所得的锭坯进行机械加工,或者先进行机械加工,再进行小变形量的挤压或者轧制,得到粉末冶金AlSnCu合金靶材。步骤(1)中,铝、铜和锡的纯度均为99.9wt%以上;筛分后,得到粒径为50~100μm的合金粉末。步骤(3)中,所述的真空除气在220~225℃温度下进行,直至压强低于5×10-3Pa,并且保持至少2小时稳定。步骤(4)中,在125~225℃之间进行不低于100MPa的热等静压,不少于2小时,在保证锡相为固体的前提下,使得铝基体达到屈服状态,发生致密化;然后在460±5℃进行不低于100MPa的热等静压,不少于4小时,此时铝基体发生扩散连接,形成完整基体,锡相熔化;热等静压完成后的出炉温度不高于200℃,锡相凝固。与一次热等静压相比,采用此方法既实现了铝基体的扩散连接,又抑制了锡相熔化呈网状分布于铝晶粒的晶界。步骤(5)所述的小变形量的挤压或者轧制中,挤压比小于10,轧制变形率低于60%,变形温度(即挤压或者轧制的温度)在200~225℃之间。上述方法制备的粉末冶金靶材的相对密度高于≥98%。上述方法制备的粉末冶金靶材中的锡相颗粒的长向和宽向不超过50μm,厚度不超过12μm。上述方法制备的粉末冶金靶材中的锡和铜元素分布均匀,任意位置与名义成分偏差低于5%。上述方法制备的粉末冶金靶材中杂质总和小于0.5wt.%。采用本专利技术的方法可以制得晶粒均匀、成分分布均匀、无明显织构的组织,并且可将杂质控制在0.5%以下,材料的有效利用率接近90%。与传统的熔铸相比,该方法可以实现制备组元熔点差较大的合金靶材,并且制备出的靶材特别适合磁控溅射镀层工艺。该工艺也可以用来生产CuPb合金等。附图说明图1是粉末冶金制备靶材的工艺流程图。图2是包套的实物照片。图3-1是实施例1中经过挤压制备出的靶材的微观组织照片,图3-2是图3-1的局部放大图。图4-1是实施例2中经过挤压制备出的靶材的微观组织照片,图4-2是图4-1的局部放大图。具体实施方式如图1所示,为本专利技术粉末冶金制备AlSnCu合金靶材的工艺流程图,主要包括配料、真空喷粉、筛粉、包套、真空除气、分段热等静压、机械加工、塑性变形等步骤,最终得到成品。本专利技术粉末冶金AlSnCu合金靶材制备方法包括如下具体步骤:(1)按照成份比例配备合金原料,采用喷粉制备出AlSnCu合金粉末,并进行筛粉;按照质量百分比计算所包含的合金成分为:锡含量为15~25wt.%,铜含量为1.5~3.5wt.%,杂质总和小于0.5wt.%,其余为铝。(2)将筛选后的粉末置入纯铝包套,如图2所示,并焊接封装,留有排气管道;(3)在220~225℃进行真空除气,直至压强低于5×10-3Pa,并且保持至少2小时稳定;(4)随后进行分段热等静压,即在125~225℃之间进行不低于100MPa的热等静压,不少于2小时;然后在460±5℃进行不低于100MPa的热等静压,不少于4小时;热等静压完成后的出炉温度不高于200℃;(5)将致密化后的材料进行机械加工或者小变形量的挤压或者轧制(挤压比小于10,轧制变形率低于60%),变形温度在200~225℃之间,制得方便利用的材料形状。实施例1按照质量百分比配料,包含的各种材料的比例为:锡含量占15wt.%,铜含量占3.5wt.%,杂质总和小于0.5wt.%,其余为铝。将上述材料混合后,在真空喷粉炉中进行喷粉,完成后进行筛粉,选取颗粒介于50~70μm的粉末。将筛选后的粉末进行包套处理,焊接封装,预埋除气管道,打压检查包套的气密性。对包套在223℃进行真空除气,直至压强低于5×10-3Pa,并且保持2小时稳定。对除气后的包套进行分段热等静压,先在200±5℃之间进行110±5MPa的热等静压,时长3小时;然后在460±5℃进行110±5MPa的热等静压,时长4小时;热等静压完成后150℃出炉温。将热等静压后的锭坯进行机械加工,再进行挤压板带,挤压比为7,挤压温度为200~225℃。本实施例中,靶材制品的致密度为99%;锡相颗粒的长向和宽向未超过50μm,厚度未超过12μm;锡和铜元素分布均匀,任意位置与名义成分偏差低于5%。实施例2按照质量百分比配料,包含的各种材料的比例为:锡含量占2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种粉末冶金AlSnCu合金靶材,其特征在于:该合金靶材中,锡含量为15~25wt.%,铜含量为1.5~3.5wt.%,其余为铝。/n

【技术特征摘要】
1.一种粉末冶金AlSnCu合金靶材,其特征在于:该合金靶材中,锡含量为15~25wt.%,铜含量为1.5~3.5wt.%,其余为铝。


2.根据权利要求1所述的粉末冶金AlSnCu合金靶材,其特征在于:该合金靶材中,杂质含量≤0.5wt.%。


3.根据权利要求1或2所述的粉末冶金AlSnCu合金靶材的制备方法,包括以下步骤:
(1)制粉:将铝、铜和锡按比例配备合金原料,采用喷粉制备出AlSnCu合金粉末,并进行筛分;
(2)包套:将得到的粉末置入纯铝包套,并焊接封装,留有排气管道;
(3)真空除气:对包套封装的AlSnCu合金粉末进行真空除气;
(4)分段热等静压:对包套进行分段热等静压,先在125~225℃之间进行不低于100MPa的热等静压,不少于2小时;然后在460±5℃进行不低于100MPa的热等静压,不少于4小时;热等静压完成后的出炉温度不高于200℃;
(5)机械加工或者机械加工和变形加工:将所得的锭坯进行机械加工,或者先进行机械加工,再进行小变形量的挤压或者轧制,得到粉末冶金AlSnCu合金靶材。


4.根据权利要求3所述的粉末冶金AlSnCu合金靶材的制备方法,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄树晖朱宝宏张永安刘红伟熊柏青李志辉李锡武闫丽珍闫宏伟温凯
申请(专利权)人:有研工程技术研究院有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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