用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉，所述还原炉具有进气口、出气口以及底盘，所述出气口形成在所述还原炉的底盘中心，所述导流装置包括：导流罩，导流罩的顶部封闭以阻止气流垂直进入底盘而造成还原炉内气体湍流；支撑件，支撑件沿竖向延伸，所述支撑件的上端与所述导流罩相连且下端与所述底盘相连；支撑件上形成有连通所述出气口的过气部。根据本实用新型专利技术的用于多晶硅还原炉的导流装置，在不更换或改造还原炉的底盘的情况下，通过导流罩和过气部对原有还原炉内气体进行导流，可以大幅度优化还原炉内的流场，消除还原炉内因为进气口、出气口均垂直于还原炉的底盘而造成的进料气和尾气气体的相互对流、湍流情况。

Guide device for polycrystalline silicon reduction furnace and reduction furnace with it

【技术实现步骤摘要】
用于多晶硅还原炉的导流装置及具有其的还原炉
本技术涉及多晶硅制造
，尤其是涉及一种用于多晶硅还原炉的导流装置以及设有上述用于多晶硅还原炉的导流装置的还原炉。
技术介绍
相关技术中，多晶硅生产领域中，多晶硅还原炉是生产多晶硅的核心装置，其作用是将三氯氢硅或者四氯化硅气体与氢气混合后在还原炉内进行还原和热分解反应，并且在多晶硅载体表面进行沉积生长，从而得到高纯度的多晶硅产品。而还原炉内的气体流场对于载体表面的反应温度、分子碰撞晶体的密度以及对于结晶速度等各种反应条件影响非常大。所以保证还原炉内流场的均匀、对称性是保证多晶硅生长可控的主要条件之一，也是还原炉设计的主要依据。而目前的各种类型多晶硅还原炉均存在硅棒顶部多晶硅生长疏松的情况，主要原因就是炉内流场出现湍流、对流等情况。要解决流场问题，就需要对还原炉的进气口、出气口的设计进行改进。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种用于多晶硅还原炉的导流装置，所述用于多晶硅还原炉的导流装置有利于改善还原炉内气体流场，保证多晶硅的生产质量。...

【技术保护点】
1.一种用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述还原炉具有进气口、出气口以及底盘，所述出气口形成在所述还原炉的底盘中心，所述导流装置包括：/n导流罩，所述导流罩的顶部封闭以阻止气流垂直进入所述底盘而造成还原炉内气体湍流；/n支撑件，所述支撑件沿竖向延伸，所述支撑件的上端与所述导流罩相连且下端与所述底盘相连；/n其中，所述支撑件上形成有连通所述出气口的过气部。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述还原炉具有进气口、出气口以及底盘，所述出气口形成在所述还原炉的底盘中心，所述导流装置包括：
导流罩，所述导流罩的顶部封闭以阻止气流垂直进入所述底盘而造成还原炉内气体湍流；
支撑件，所述支撑件沿竖向延伸，所述支撑件的上端与所述导流罩相连且下端与所述底盘相连；
其中，所述支撑件上形成有连通所述出气口的过气部。


2.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述导流罩被构造成方形、椭圆形或半球形。


3.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述过气部被构造成过气孔。


4.根据权利要求3所述的用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述过气孔被构造成圆形、椭圆形或多边形。


5.根据权利要求3所述的用于多晶硅还原炉的导流装置，其特征在于，所述支撑件被构造成支撑柱，所述支撑柱包括多个，多个支撑柱在所述导流罩的底部间...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜俊平，张鹏远，张超，
申请(专利权)人：洛阳中硅高科技有限公司，中国恩菲工程技术有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41