一种在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法技术

本发明专利技术涉及设计材料加工技术领域，且公开了一种在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法，包括以下步骤：步骤一、准备工作，准备需要的真空镀膜机、分光光度计和扩散泵；步骤二、挑选材料，挑选规格合适的CVD钻石和镀膜介质，并将CVD钻石进行备用；步骤三、真空镀膜机清理，清理真空镀膜机钟罩内部的杂质和灰尘；步骤四、扩散泵预热，将扩散泵进行运行预热；步骤五、真空处理，使用步骤四中预热后的扩散泵对真空镀膜机的钟罩内部进行抽真空处理。该在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法，便于在CVD钻石的表镀制多层介质膜，介质膜可以进一步提升CVD钻石光学镜片的光学特性及耐用性，通过该方法制作的光学晶片可以代替光学玻璃用于航空和电子学工业。

A method of plating multilayer dielectric film on CVD diamond

【技术实现步骤摘要】
一种在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法
本专利技术涉及设计材料加工
，具体为一种在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法。
技术介绍
CVD钻石，是一种由直径10到30纳米钻石晶体合成的多结晶钻石，CVD钻石的的分子结构并不是自然钻石的完全八面体结构而是一种复杂结构，从而会产生磷光现象。随着人造钻石生产技术的成熟，其造价低廉，且可以制作出各种颜色的钻石而在珠宝市场上崭露头角。现有技术中，CVD钻石在生产制造后直接在进入珠宝市场进行使用，而CVD钻石表面未经过镀膜处理，从而导致CVD钻石的的光学特性和耐用性受到限制，往往无法满足人们的需求，且影响CVD暂时的使用范围，因此提出一种在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法。
技术实现思路
(一)解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法，具备可以进一步提升CVD钻石光学镜片的光学特性及耐用性等优点，解决了
技术介绍
中提出的问题。(二)技术方案为实现上述可以进一步提升CVD钻石光学镜片的光学特性及耐用性的目的，本专利技术提供如下技术方案：一种在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法，包括以下步骤：步骤一、准备工作，准备需要的真空镀膜机、分光光度计和扩散泵；步骤二、挑选材料，挑选规格合适的CVD钻石和镀膜介质，并将CVD钻石进行备用；步骤三、真空镀膜机清理，清理真空镀膜机钟罩内部的杂质和灰尘；步骤四、扩散泵预热，将扩散泵进行运行预热；步骤五、真空处理，使用步骤四中预热后的扩散泵对真空镀膜机的钟罩内部进行抽真空处理；步骤六、真空镀膜机检测，将步骤五中真空处理后的真空镀膜机进行试运行，对真空镀膜机进行运行检测；步骤七、分光光度计检测，将步骤一中准备的分光光度计进行校准；步骤八、制作干涉膜，将步骤二中的镀膜介质进行预热融化制成干涉膜，并进行备用；步骤九、镀制介质膜，将步骤二中挑选的CVD钻石放置在真空镀膜机中，将步骤八中制成的干涉膜对CVD钻石的表面进行多层镀制；步骤十、用分光光度计测量镀膜CVD钻石晶片的透过率曲线，并在曲线上标出峰值波长、半高宽和最大透过率。优选的，步骤三中采用清洁布对真空镀膜机的钟罩内部进行清洁，并采用吸风机对真空镀膜机内部缝隙中进行吸尘处理。优选的，步骤四中所述扩散泵的预热时间为3-5分钟，预热温度为150℃-200℃。优选的，步骤二中所述CVD钻石采用丙酮和酒精液体进行清洗，并进行干燥。优选的，步骤二中所述CVD钻石的表面采用研磨机进行研磨处理。优选的，步骤九中多层所述介质膜中，每层所述介质膜的厚度为7.5μm。(三)有益效果与现有技术相比，本专利技术提供了一种在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法，具备以下有益效果：1、该在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法，通过准备需要的真空镀膜机、分光光度计和扩散泵；挑选规格合适的CVD钻石和镀膜介质，并将CVD钻石进行备用；清理真空镀膜机钟罩内部的杂质和灰尘；将扩散泵进行运行预热；使用预热后的扩散泵对真空镀膜机的钟罩内部进行抽真空处理；将真空处理后的真空镀膜机进行试运行，对真空镀膜机进行运行检测；将准备的分光光度计进行校准；将镀膜介质进行预热融化制成干涉膜，并进行备用；将挑选的CVD钻石放置在真空镀膜机中，将制成的干涉膜对CVD钻石的表面进行多层镀制；用分光光度计测量镀膜CVD钻石晶片的透过率曲线，并在曲线上标出峰值波长、半高宽和最大透过率，得到镀制多层介质膜的CVD钻石成品，介质膜可以进一步提升CVD钻石光学镜片的光学特性及耐用性，通过该方法制作的光学晶片可以代替光学玻璃用于航空和电子学工业。具体实施方式下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。一种在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法，包括以下步骤：步骤一、准备工作，准备需要的真空镀膜机、分光光度计和扩散泵；步骤二、挑选材料，挑选规格合适的CVD钻石和镀膜介质，并将CVD钻石进行备用；步骤三、真空镀膜机清理，清理真空镀膜机钟罩内部的杂质和灰尘；步骤四、扩散泵预热，将扩散泵进行运行预热；步骤五、真空处理，使用步骤四中预热后的扩散泵对真空镀膜机的钟罩内部进行抽真空处理；步骤六、真空镀膜机检测，将步骤五中真空处理后的真空镀膜机进行试运行，对真空镀膜机进行运行检测；步骤七、分光光度计检测，将步骤一中准备的分光光度计进行校准；步骤八、制作干涉膜，将步骤二中的镀膜介质进行预热融化制成干涉膜，并进行备用；步骤九、镀制介质膜，将步骤二中挑选的CVD钻石放置在真空镀膜机中，将步骤八中制成的干涉膜对CVD钻石的表面进行多层镀制；步骤十、用分光光度计测量镀膜CVD钻石晶片的透过率曲线，并在曲线上标出峰值波长、半高宽和最大透过率。步骤三中采用清洁布对真空镀膜机的钟罩内部进行清洁，并采用吸风机对真空镀膜机内部缝隙中进行吸尘处理，便于对真空镀膜机的内部进行全面清洁，去除真空镀膜机内部的杂质和灰尘，提高CVD钻石镀膜质量。步骤四中扩散泵的预热时间为3-5分钟，预热温度为150℃-200℃，便于使扩散泵对真空镀膜机进行抽真空处理，避免工作异常。步骤二中CVD钻石采用丙酮和酒精液体进行清洗，并进行干燥，便于对CVD钻石的表面有机物进行清理，提高镀膜效果。步骤二中CVD钻石的表面采用研磨机进行研磨处理，便于使CVD钻石的表面光滑，避免镀膜使产生气泡，提高镀膜效果。步骤九中多层介质膜中，每层介质膜的厚度为7.5μm。综上所述，该在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法，使用时，准备需要的真空镀膜机、分光光度计和扩散泵；挑选规格合适的CVD钻石和镀膜介质，并将CVD钻石进行备用；清理真空镀膜机钟罩内部的杂质和灰尘；将扩散泵进行运行预热；使用预热后的扩散泵对真空镀膜机的钟罩内部进行抽真空处理；将真空处理后的真空镀膜机进行试运行，对真空镀膜机进行运行检测；将准备的分光光度计进行校准；将镀膜介质进行预热融化制成干涉膜，并进行备用；将挑选的CVD钻石放置在真空镀膜机中，将制成的干涉膜对CVD钻石的表面进行多层镀制；用分光光度计测量镀膜CVD钻石晶片的透过率曲线，并在曲线上标出峰值波长、半高宽和最大透过率，得到镀制多层介质膜的CVD钻石成品。需要说明的是，术语“包括”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤一、准备工作，准备需要的真空镀膜机、分光光度计和扩散泵；/n步骤二、挑选材料，挑选规格合适的CVD钻石和镀膜介质，并将CVD钻石进行备用；/n步骤三、真空镀膜机清理，清理真空镀膜机钟罩内部的杂质和灰尘；/n步骤四、扩散泵预热，将扩散泵进行运行预热；/n步骤五、真空处理，使用步骤四中预热后的扩散泵对真空镀膜机的钟罩内部进行抽真空处理；/n步骤六、真空镀膜机检测，将步骤五中真空处理后的真空镀膜机进行试运行，对真空镀膜机进行运行检测；/n步骤七、分光光度计检测，将步骤一中准备的分光光度计进行校准；/n步骤八、制作干涉膜，将步骤二中的镀膜介质进行预热融化制成干涉膜，并进行备用；/n步骤九、镀制介质膜，将步骤二中挑选的CVD钻石放置在真空镀膜机中，将步骤八中制成的干涉膜对CVD钻石的表面进行多层镀制；/n步骤十、用分光光度计测量镀膜CVD钻石晶片的透过率曲线，并在曲线上标出峰值波长、半高宽和最大透过率。/n

【技术特征摘要】
1.一种在CVD钻石表面镀多层介质膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、准备工作，准备需要的真空镀膜机、分光光度计和扩散泵；
步骤二、挑选材料，挑选规格合适的CVD钻石和镀膜介质，并将CVD钻石进行备用；
步骤三、真空镀膜机清理，清理真空镀膜机钟罩内部的杂质和灰尘；
步骤四、扩散泵预热，将扩散泵进行运行预热；
步骤五、真空处理，使用步骤四中预热后的扩散泵对真空镀膜机的钟罩内部进行抽真空处理；
步骤六、真空镀膜机检测，将步骤五中真空处理后的真空镀膜机进行试运行，对真空镀膜机进行运行检测；
步骤七、分光光度计检测，将步骤一中准备的分光光度计进行校准；
步骤八、制作干涉膜，将步骤二中的镀膜介质进行预热融化制成干涉膜，并进行备用；
步骤九、镀制介质膜，将步骤二中挑选的CVD钻石放置在真空镀膜机中，将步骤八中制成的干涉膜对CVD钻石的表面进行多层镀制；
步骤十、用分光光度计测量镀膜CVD钻石晶片的透过率曲线，并在...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵芬霞，刘宏明，
申请(专利权)人：湖州中芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33