本实用新型专利技术涉CVD金刚石生长设备领域，尤其涉及一种CVD金刚石生长散热冷却装置，包括真空腔体，真空腔体的顶部连通有微波发生器，其底部固定连接有样品台，其侧壁上连通有进气机构，微波发生器上固定有微波天线，微波天线通过第一连通管连通有冷却箱，冷却箱通过第二连通管连通有空气压缩机，真空腔体和微波发生器之间连通有真空排气机构，结构简单，能够在CVD金刚石生长设备使用的过程中，通过压缩空气对其进行很好的散热，从而对温度过高的设备进行冷却，保证真空腔体内的温度不会升至过高而影响金刚石的正常生长效率和质量，避免损失。失。失。
【技术实现步骤摘要】
一种CVD金刚石生长散热冷却装置
[0001]本技术涉CVD金刚石生长设备领域，尤其涉及一种CVD金刚石生长散热冷却装置。
技术介绍
[0002]CVD金刚石生长设备在使用的过程中会产生大量的热量，这就导致了设备的温度过高，而金刚石的生长的温度不宜过高，温度超过一定的限度，就会影响金刚石的正常生长过程，从而影响其最终的生长效率和质量，同时设备的温度过高会存在着安全隐患，比较危险，但是现有的CVD金刚石生长设备的散热装置比较繁琐，散热的效果比较差，导致了金刚石无法在允许的范围内正常生长，这就导致了金刚石的生长效率和生长质量下降。
技术实现思路
[0003](一)解决的技术问题
[0004]针对现有技术的不足，本技术目的在于提供一种CVD金刚石生长散热冷却装置，解决了现有技术中存在的问题，该装置结构简单，能够在CVD金刚石生长设备使用的过程中，通过压缩空气对其进行很好的散热，从而对温度过高的设备进行冷却，保证真空腔体内的温度不会升至过高而影响金刚石的正常生长效率和质量，避免损失。
[0005](二)技术方案
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种CVD金刚石生长散热冷却装置，包括真空腔体，真空腔体的顶部连通有微波发生器，其底部固定连接有样品台，其侧壁上连通有进气机构，微波发生器上固定有微波天线，微波天线通过第一连通管连通有冷却箱，冷却箱通过第二连通管连通有空气压缩机，真空腔体和微波发生器之间连通有真空排气机构。
[0007]优选的，冷却箱包括箱本体，箱本体内固定有相互对称的上冷凝板和下冷凝板，第一连通管和第二连通管连通在上冷凝板和下冷凝板的中间位置处。
[0008]优选的，上冷凝板的下表面和下冷凝板的上表面设置为曲线状的。
[0009]优选的，样品台包括底座以及与底座固定连接的样品台本体，样品台本体的上表面中间位置处固定有晶种托盘。
[0010]优选的，底座的底部设有进液管，进液管的一端连通有冷却水储存罐，其另一端穿过底座进入样品台本体的内部且绕着样品台本体一圈后从底座穿出与冷却水回收桶相连通。
[0011]优选的，真空排气机构包括环形块，环形块的侧壁上设有若干个均匀分布的排气孔。
[0012]优选的，微波发生器和真空排气机构之间连通有环形器。
[0013]优选的，真空腔体和真空排气机构之间密封连接有微波窗口。
[0014](三)有益效果
[0015]1.本技术提供的装置结构简单，能够在CVD金刚石生长设备使用的过程中，通过压缩空气对其进行很好的散热，从而对温度过高的设备进行冷却，保证真空腔体内的温度不会升至过高而影响金刚石的正常生长效率和质量，避免损失；
[0016]2.本技术通过对样品台通冷却水，从而对样品台进行很好的冷却作用，对其进行有效地散热，避免了真空腔体内温度过高而不容易散热冷却的情况出现；
[0017]3.本技术的微波天线兼做压缩空气的通道，做到了一物两用，节约了资源和空间。
附图说明
[0018]图1为本技术的整体示意图。
[0019]图2为本技术微波天线的示意图。
[0020]图3为本技术冷却箱的剖视图。
[0021]图4为本技术样品台的整体示意图。
[0022]图5为本技术样品台内部进液管的示意图。
[0023]图6为本技术真空排气机构的具体示意图。
[0024]图中：1
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真空腔体、2
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微波发生器、3
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样品台、4
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进气机构、5
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微波天线、6
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第一连通管、7
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冷却箱、8
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第二连通管、9
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空气压缩机、10
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箱本体、11
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上冷凝板、12
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下冷凝板、13
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底座、14
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样品台本体、15
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晶种托盘、16
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进液管、17
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冷却水储存罐、18
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冷却水回收桶、19
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真空排气机构、20
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环形块、21
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排气孔、22
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环形器。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图1
‑
6对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]本技术提供一种技术方案：一种CVD金刚石生长散热冷却装置，包括真空腔体1，真空腔体1的顶部连通有微波发生器2，其底部固定连接有样品台3，其侧壁上连通有进气机构4，微波发生器2上固定有微波天线5，微波天线5通过第一连通管6连通有冷却箱7，冷却箱7通过第二连通管8连通有空气压缩机9，真空腔体1和微波发生器2之间连通有真空排气机构19，CVD金刚石生长设备在使用的过程中，会产生大量的热量，这些热量就会传递到整个设备上，导致设备的温度过高，如果不及时给设备散热冷却就会影响真空腔体1内金刚石的正常生长效率和质量，该CVD金刚石生长散热冷却装置在金刚石生长的过程中，通过空气压缩机9将空气压缩后变成压缩空气，压缩空气通过第二连通管8进入到冷却箱7内进行冷却，冷却后的压缩空气通过第一连通管6进入到微波天线5，微波天线5兼做压缩空气的通道，做到了一物两用，节约了资源和空间，压缩空气通过微波天线5进入到真空腔体1和微波发生器2之间的真空排气机构19进行排出，这样压缩空气所经过的设备之处都对其进行了降温，用冷却之后的压缩空气进行降温，其降温的效果非常好，同时也对真空腔体1的上部进行了降温。
[0027]冷却箱7包括箱本体10，箱本体10内固定有相互对称的上冷凝板11和下冷凝板12，
第一连通管6和第二连通管8连通在上冷凝板11和下冷凝板12的中间位置处，这种设置，压缩空气进入冷却箱7后，是在上冷凝板11和下冷凝板12之间形成的通道中通过的，这样通过上冷凝板11和下冷凝板12对压缩空气进行了很好地降温冷却。
[0028]上冷凝板11的下表面和下冷凝板12的上表面设置为曲线状的，将上冷凝板11的下表面和下冷凝板12的上表面设置为曲线状的，这样相对于直线状来说，压缩空气与上冷凝板11和下冷凝板12的接触面积大大增加，从而大大增加了冷却的效果。
[0029]样品台3包括底座13以及与底座13固定连接的样品台本体14，样品台本体14的上表面中间位置处固定有晶种托盘15，晶种托盘15上放置有晶种，供金刚石生长用。
[0030]底座13的底部设有进液管16，进液管16的一端连通本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种CVD金刚石生长散热冷却装置，包括真空腔体(1)，所述真空腔体(1)的顶部连通有微波发生器(2)，其底部固定连接有样品台(3)，其侧壁上连通有进气机构(4)，其特征在于，所述微波发生器(2)上固定有微波天线(5)，所述微波天线(5)通过第一连通管(6)连通有冷却箱(7)，所述冷却箱(7)通过第二连通管(8)连通有空气压缩机(9)，所述真空腔体(1)和所述微波发生器(2)之间连通有真空排气机构(19)。2.根据权利要求1所述的一种CVD金刚石生长散热冷却装置，其特征在于，所述冷却箱(7)包括箱本体(10)，所述箱本体(10)内固定有相互对称的上冷凝板(11)和下冷凝板(12)，所述第一连通管(6)和所述第二连通管(8)连通在所述上冷凝板(11)和所述下冷凝板(12)的中间位置处。3.根据权利要求2所述的一种CVD金刚石生长散热冷却装置，其特征在于，所述上冷凝板(11)的下表面和所述下冷凝板(12)的上表面设置为曲线状的。4.根据权利要求1所述的一种CVD金刚石生长散热冷却装置，其特征在于，所述样品台...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宏明，林琳，
申请(专利权)人：湖州中芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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