一种样品托制造技术

本实用新型专利技术提供一种样品托，属于晶体生长技术领域。样品托包括样品托本体，样品托本体的顶部开设有多个凹槽；样品托本体的顶部转动地设置有多个挡板，且一个挡板盖合于一个凹槽，以形成一个容纳腔；样品托本体的侧壁设有至少一个第一连接部和至少一个第二连接部，以使一个样品托本体的第一连接部和另一个样品托本体的第二连接部相连接。本实用新型专利技术提供的样品托通过挡板将凹槽盖合，以形成容纳腔，使得籽晶可容纳腔中生长，同时通过挡板对籽晶的生长形成限位，避免相邻的两个凹槽中的籽晶在生长过程中连接在一起形成晶界，从而提高单晶金刚石的生长质量，有利于单晶金刚石的大批量生长。生长。生长。

【技术实现步骤摘要】
一种样品托


[0001]本技术涉及晶体生长
，尤其涉及一种样品托。

技术介绍

[0002]单晶金刚石具有独特的电学性能，它的高热导、高载流子迁移率和宽带隙等半导体特性，在电子器件方面具有重要的应用前景，可以用于高温、高功率激光器件、紫外发光器件、辐射探测器等。
[0003]当需要在相同工艺条件下生长多颗单晶金刚石，就需要在同一个钼制样品托上面相邻放置多颗金刚石籽晶。每颗籽晶的上表面都会与由混合气体（通常为氢气和甲烷）经过微波场形成的等离子体相接触。
[0004]当微波功率和气体压强达到生长所需条件时，所有的单晶金刚石外延层都开始沿垂直籽晶上表面纵向外延生长，随着生长的进行，所有的籽晶都会逐渐变厚，同时籽晶边缘会伴随有金刚石多晶相和石墨相的形成。随着温度升高越来越多并蔓延至整个生长面，导致相邻两颗单晶金刚石之间的空隙越来越小，甚至最终会连结到一起形成晶界，进而在晶界处会生长出更多的多晶相和石墨相，严重影响了单晶金刚石的良品率，同时也制约了高品质单晶金刚石的大批量生长。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种样品托，其特征在于，包括样品托本体，所述样品托本体的顶部开设有多个凹槽；所述样品托本体的顶部转动地设置有多个挡板，且一个所述挡板盖合于一个所述凹槽，以形成一个容纳腔；所述样品托本体的侧壁设有至少一个第一连接部和至少一个第二连接部，以使一个所述样品托本体的所述第一连接部和另一个所述样品托本体的所述第二连接部相连接。2.根据权利要求1所述的样品托，其特征在于，所述第一连接部为两组，两组所述第一连接部分别设置在所述样品托本体相对的两侧；所述第二连接部为两组，两组所述第二连接部分别设置在所述样品托本体的相对两侧；任意相邻的所述第一连接部和所述第二连接部之间的距离相等。3.根据权利要求1所述的样品托，其特征在于，所述第一连接部为安装槽，所述第二连接部为凸起，所述凸起与所述安装槽相卡合。4.根据权利要求1所述的样品托，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓飞，赵予生，任富增，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：新型
国别省市：