【技术实现步骤摘要】
一种CVD金刚石生长自动测温装置
[0001]本技术涉及CVD金刚石生产工艺
,具体为一种CVD金刚石生长自动测温装置。
技术介绍
[0002]在CVD金刚石生产过程中,需要其反应腔体内的温度处在恒定范围值内,确保CVD金刚石析出的效率稳定,现有技术中测量CVD金刚石生长的测温装置大多无法进行角度的调节,且无法实现任意角度调节测温,也没有装置可以实现测温的保护和保养,延长其使用寿命,现亟待一种CVD金刚石生长自动测温装置来解决上述问题。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种CVD金刚石生长自动测温装置,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现以上目的,本技术通过以下技术方案予以实现:
[0005]一种CVD金刚石生长自动测温装置,包括底座,底座上端左侧设有配重块,右侧设有固定杆,固定杆顶端固定连接刻度盘,刻度盘上端转动连接转动杆,转动杆顶端固定连接L型金属台,L型金属台上端内侧设有测温装置。
[0006]作为优选,L型金属台包括基板和立板,基板一侧和立板一侧 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种CVD金刚石生长自动测温装置,其特征在于,包括底座(1),所述底座(1)上端左侧设有配重块(2),右侧设有固定杆(3),所述固定杆(3)顶端固定连接刻度盘(4),所述刻度盘(4)上端转动连接转动杆(5),所述转动杆(5)顶端固定连接L型金属台(6),所述L型金属台(6)上端内侧设有测温装置(7)。2.根据权利要求1所述的一种CVD金刚石生长自动测温装置,其特征在于,所述L型金属台(6)包括基板(8)和立板(9),所述基板(8)一侧和立板(9)一侧固定连接形成L型金属台(6),且基板(8)上设有清洁海绵(10),立板(9)靠近基板(8)一侧设有第二刻度盘(11),所述第二刻度盘(11)中心位置设有转轴(12)。3.根据权利要求1所述的一种CVD金刚石生长自动测温装置,其特征在于,所述测温装置(7)包括测温仪(13),所述测温仪(13)中心位置固...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘宏明,林琳,
申请(专利权)人:湖州中芯半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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