【技术实现步骤摘要】
本技术涉及cvd化学气相沉积设备，尤其涉及一种微型cvd化学气相沉积用设备。
技术介绍
1、化学气相沉积(cvd)通常是在高温等离子的作用下，含碳气体被离解，碳原子在基底上沉积成钻石膜，传统的cvd化学气相沉积设备内不同化学气体之间分布不均、真气泵抽气不均易影响钻石膜形成的质量，并且工作地面长期受到化学气相沉积设备中动力组件的工作震动容易开裂，为了解决这些问题，我们推出了一种微型cvd化学气相沉积用设备。
2、专利号cn202221684320.x为的一篇中国技术专利，其公开了一种冷壁法cvd沉积设备，包括支撑座，支撑座的内腔左侧安装有电源，支撑座的内腔右侧安装有真空泵，支撑座的顶部中心连接有沉积箱，真空泵与沉积箱之间连通有抽气管，抽气管上安装有控制阀，支撑座的顶部左右两侧连接有液压杆，两个液压杆的顶部共同连接有压盖，压盖的底部左右两侧连接有固定架，两个固定架的下端之间转动连接有安装座，安装座的前后两端连接有加热棒，安装座沿长度方向开设有多个通槽；该技术结构设计合理，便于对晶片进行装卸，便于沉积操作的进行，能够充分利用加热产生的热能，减少反应物积聚残留在沉积箱内壁，方便对晶片的两个端面进行加工，避免了气体泄漏，节能环保，方便实用，但是该设备存在以下问题：其一该设备只设置了单个抽气口、5个大出气量的出气孔，不利于化学气体之间充分融合反应，不利于对沉积箱进行均匀抽气，沉积的钻石膜质量低，其次该设备工作地面长期受到化学气相沉积设备中动力组件的工作震动容易开裂。
技术实现思路
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
3、一种微型cvd化学气相沉积用设备，包括设备底座，所述设备底座下端四角位置均设有缓震结构，且所述设备底座上端设有沉积箱，所述沉积箱左右内表面对称设有抽气板，所述抽气板靠近彼此的一面均匀分布抽气孔，且所述抽气板下端气管连接真空泵，所述真空泵的前方设有抬升气缸，且所述真空泵、抬升气缸均位于设备底座内部，所述抬升气缸上端设有限位板，所述限位板上端左右对称设有连接杆，所述连接杆的上端穿过设备底座表面固定连接基板座。
4、作为一种优选，所述沉积箱上端内表面设有一号喷淋枪、二号喷淋枪，且两者交错分布。
5、作为一种优选，所述一号喷淋枪均连接四氢化硅气管，所述二号喷淋枪均连接氧气气管，所述氧气气管与四氢化硅气管均垂直突出在沉积箱的上端。
6、作为一种优选，所述基板座下端设有一号橡胶垫，且所述基板座上端均匀分布基板安装格，所述限位板上表面设有二号橡胶垫。
7、作为一种优选，所述缓震结构包括活动腔，所述活动腔上表面设有弹力件，所述弹力件下端固定连接移动脚。
8、作为一种优选，所述移动脚左右表面设有通槽，所述活动腔的左右两端适配设有限位槽，且所述限位槽与通槽之间设有限位件，所述限位件的左端垂直突出在设备底座表面。
9、本技术的有益效果：
10、(1)本技术中通过在沉积箱内设置抽气板，当真空泵工作时，沉积箱内的气体可以从左右两边被均匀的抽出，使得沉积箱内部的气压始终保持平衡，从而使得一号喷淋枪、二号喷淋枪中喷出的气体在沉积箱内分布均匀，使得基板安装格内的钻石膜具有同等高质量。
11、(2)本技术中通过设置一号喷淋枪、二号喷淋枪，一号喷淋枪用来喷淋四氢化硅气体，二号喷淋枪用来喷淋氧气，在沉积箱内设置多数量的小出气量的喷淋枪且两者交错分布，使得四氢化硅气体与氧气更加融合，反应充分，从而使得沉积出来的钻石膜具有较高的质量。
12、(3)本技术中通过设置缓震结构，弹力件通过自身形变抵消来自设备底座中动机组件工作产生的震动，从而防止工作地面受到长期震动而开裂，并且缓震结构中设置了限位槽和限位件，限定了移动脚上下位移的范围，从而增加缓震结构的稳定性。
13、综上所述，该设备具有结构简单，化学气体反应充分、真空抽气均匀、钻石膜质量高的优点，尤其适用于cvd化学气相沉积设备
【技术保护点】
1.一种微型CVD化学气相沉积用设备，其特征在于：包括设备底座(1)，所述设备底座(1)下端四角位置均设有缓震结构(2)，且所述设备底座(1)上端设有沉积箱(3)，所述沉积箱(3)左右内表面对称设有抽气板(4)，所述抽气板(4)靠近彼此的一面均匀分布抽气孔(41)，且所述抽气板(4)下端气管连接真空泵(42)，所述真空泵(42)的前方设有抬升气缸(5)，且所述真空泵(42)、抬升气缸(5)均位于设备底座(1)内部，所述抬升气缸(5)上端设有限位板(51)，所述限位板(51)上端左右对称设有连接杆(52)，所述连接杆(52)的上端穿过设备底座(1)表面固定连接基板座(6)。
2.根据权利要求1所述的一种微型CVD化学气相沉积用设备，其特征在于，所述沉积箱(3)上端内表面设有一号喷淋枪(31)、二号喷淋枪(32)，且两者交错分布。
3.根据权利要求2所述的一种微型CVD化学气相沉积用设备，其特征在于，所述一号喷淋枪(31)均连接四氢化硅气管(33)，所述二号喷淋枪(32)均连接氧气气管(34)，所述氧气气管(34)与四氢化硅气管(33)均垂直突出在沉积箱(3)
4.根据权利要求1所述的一种微型CVD化学气相沉积用设备，其特征在于，所述基板座(6)下端设有一号橡胶垫，且所述基板座(6)上端均匀分布基板安装格(61)，所述限位板(51)上表面设有二号橡胶垫。
5.根据权利要求1所述的一种微型CVD化学气相沉积用设备，其特征在于，所述缓震结构(2)包括活动腔(21)，所述活动腔(21)上表面设有弹力件(22)，所述弹力件(22)下端固定连接移动脚(23)。
6.根据权利要求5所述的一种微型CVD化学气相沉积用设备，其特征在于，所述移动脚(23)左右表面设有通槽(24)，所述活动腔(21)的左右两端适配设有限位槽(25)，且所述限位槽(25)与通槽(24)之间设有限位件(26)，所述限位件(26)的左端垂直突出在设备底座(1)表面。
...【技术特征摘要】
1.一种微型cvd化学气相沉积用设备，其特征在于：包括设备底座(1)，所述设备底座(1)下端四角位置均设有缓震结构(2)，且所述设备底座(1)上端设有沉积箱(3)，所述沉积箱(3)左右内表面对称设有抽气板(4)，所述抽气板(4)靠近彼此的一面均匀分布抽气孔(41)，且所述抽气板(4)下端气管连接真空泵(42)，所述真空泵(42)的前方设有抬升气缸(5)，且所述真空泵(42)、抬升气缸(5)均位于设备底座(1)内部，所述抬升气缸(5)上端设有限位板(51)，所述限位板(51)上端左右对称设有连接杆(52)，所述连接杆(52)的上端穿过设备底座(1)表面固定连接基板座(6)。
2.根据权利要求1所述的一种微型cvd化学气相沉积用设备，其特征在于，所述沉积箱(3)上端内表面设有一号喷淋枪(31)、二号喷淋枪(32)，且两者交错分布。
3.根据权利要求2所述的一种微型cvd化学气相沉积用设备，其特征在于，所述一号喷淋枪(31)均连...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘宏明，林琳，
申请(专利权)人：湖州中芯半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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