【技术实现步骤摘要】
一种外延设备冷却系统和方法
[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种外延设备冷却系统和方法。
技术介绍
[0002]在半导体领域，硅片一般是集成电路的原料。其中，外延片因其表面缺陷少和电阻率可控等特性，被广泛用于高集成化的IC元件和MOS制程。电路与电子元件需要在外延片上制作完成，不同的应用如MOS型中PMOS、NMOS、CMOS和双极型中饱和型和非饱和型。随着集成电路设计朝向轻、薄、短、小及省电化的发展趋势，行动通讯、信息家电等产品无不力求节约能源消耗，对于外延片类产品的要求也不断提高。
[0003]在外延生长过程中，外延层上会出现许多缺陷，有位错、堆垛层错、沉积物异物和氧化引起的缺陷等。从广义上讲，缺陷也包括氧、碳、重金属等杂质以及原子空位和填隙原子等点缺陷。这些缺陷的存在有的会直接影响半导体的性能。外延层中的各种缺陷不但与衬底质量、衬底表面情况有关，而且与外延生长过程本身也有着密切关系，例如，在外延生长过程结束后的冷却过程中，要避免急剧冷却，否则会由于大的温度梯度在外延层中产生滑移位错。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种外延设备冷却系统，其特征在于，所述系统包括：加热模块，所述加热模块经配置为能够以不同的加热功率向外延片进行热辐射；控制模块，用于当所述外延片的上表面测量温度和下表面测量温度之间的温度差大于预设阈值时，向所述加热模块发送控制信号以控制所述加热模块的功率使得所述温度差小于所述预设阈值。2.根据权利要求1所述的冷却系统，其特征在于，所述冷却系统还包括用于承载所述外延片的石墨基座，所述石墨基座的下表面温度用于表征所述外延片的下表面温度。3.根据权利要求2所述的冷却系统，其特征在于，所述冷却系统还包括温度检测模块，经配置为通过测量所述外延片的上表面温度以获得所述上表面测量温度；并通过测量所述石墨基座的下表面温度以获得所述下表面测量温度。4.根据权利要求2所述的冷却系统，其特征在于，所述加热模块包括布置在所述石墨基座上方的第一加热单元和布置在所述石墨基座下方的第二加热单元。5.根据权利要求4所述的冷却系统，其特征在于，所述第一加热单元和所述第二加热单元均由两个或者更多个卤素灯组成。6.根据权利要求4所述的冷却系统，其特征在于，所述控制模块，经配置为向所述第一加热单元发送用于降低功率的第一控制信...
【专利技术属性】
技术研发人员：席勇，王力，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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