一种MPCVD生长单晶金刚石的调温方法技术

本发明专利技术提供了一种MPCVD生长单晶金刚石的调温方法，包括以下步骤：步骤S1、选取厚度低于籽晶厚度的金刚石，通过激光进行切割成多条长宽一致的金刚石隔条，然后放入MPCVD设备内刻蚀金刚石隔条的切割面；步骤S2、将金刚石隔条和金刚石籽晶进行预处理，然后在钼样品托上摆放好预处理好的金刚石隔条和金刚石籽晶，将金刚石隔条和金刚石籽晶相互拼接；步骤S3、将摆放好的钼样品托放入MPCVD设备的腔体内，进行金刚石同质外延生长，生长过程中金刚石隔条和金刚石籽晶的热量会进行相互传递；本发明专利技术能够解决MPCVD设备内多颗金刚石籽晶散热不均的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
一种MPCVD生长单晶金刚石的调温方法


[0001]本专利技术涉及金刚石生产
，特别是一种MPCVD生长单晶金刚石的调温方法。

技术介绍

[0002]目前微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备单晶金刚石过程中，样品托在等离子球正下方，样品托上单晶金刚石籽晶吸收等离子球热量与含碳基团沉积生长，样品托下方水冷基板台带走多余热量，使籽晶达到生长温度情况下，激发等离子体的微波功率也充分利用，生长速率最终得到保证。实际生产过程中，为了提高产量，MPCVD设备内多颗籽晶放置在样品托上同时生长，因沉积过程中，不仅籽晶与等离子球接触面结合含碳基团沉积金刚石相，籽晶底部与样品托接触面也会沉积非金刚石相，造成样品托无法较好地将籽晶从等离子球吸收的热量带走，籽晶底部沉积非金刚相情况有所差异，籽晶之间温差加剧，不再满足生长温度范围(750～950℃)，不得不出炉切割打磨处理，造成单晶金刚石生长周期加长。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种能够解决MPCVD设备内多颗金刚石籽晶散热不均的问题的MPCVD生长单晶金刚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MPCVD生长单晶金刚石的调温方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、选取厚度低于籽晶厚度的金刚石，通过激光进行切割成多条长宽一致的金刚石隔条，然后放入MPCVD设备内刻蚀金刚石隔条的切割面；步骤S2、将金刚石隔条和金刚石籽晶进行预处理，然后在钼样品托上摆放好预处理好的金刚石隔条和金刚石籽晶，将金刚石隔条和金刚石籽晶相互拼接；步骤S3、将摆放好的钼样品托放入MPCVD设备的腔体内，进行金刚石同质外延生长，生长过程中金刚石隔条和金刚石籽晶的热量会进行相互传递，从而解决了在金刚石沉积过程中籽晶之间温度不均的问题。2.根据权利要求1所述的一种MPCVD生长单晶金刚石的调温方法，其特征在于：所述步骤S1中的金刚石隔条的长度范围为...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪生晓，周良杰，杨霄，王临喜，陈涛，张能健，陈秀华，杨张泉，
申请(专利权)人：福建鑫德晶新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：