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本发明提供了一种MPCVD生长单晶金刚石的调温方法，包括以下步骤：步骤S1、选取厚度低于籽晶厚度的金刚石，通过激光进行切割成多条长宽一致的金刚石隔条，然后放入MPCVD设备内刻蚀金刚石隔条的切割面；步骤S2、将金刚石隔条和金刚石籽晶进行预处...
该专利属于福建鑫德晶新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建鑫德晶新材料科技有限公司授权不得商用。

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