一种低透过率低反射率镀膜片制造技术

本发明专利技术公开了一种低透过率低反射率镀膜片制备方法，包括衬底基板，其特征在于，所述衬底基板表面镀有多层膜结构，所述的膜结构包括介电质膜和金属膜；所述衬底基板上不同所述金属膜的厚度随与所述衬底基板距离的增大而减小。本发明专利技术利用蒸镀工艺和溅射镀膜工艺，并通过在镀膜过程中调节金属材料蒸镀用量或金属靶材溅射用量来控制每层金属膜层的厚度，从而实现低透过率、低反射率镀膜片的制备，所用原料简单、容易配制，制备过程更加方便；由于制备过程中膜材料用量容易通过设备进行控制，故而制备出的镀膜片的膜厚度更加均匀，衬底基板镀膜过程在真空环境中进行，膜材料在衬底基板表面分布更加均匀；所制成品透过率低、反射率低，遮光效果好。

A kind of low transmittance and low reflectivity film

【技术实现步骤摘要】
一种低透过率低反射率镀膜片
本专利技术涉及镀膜加工
，尤其涉及一种低透过率低反射率镀膜片。
技术介绍
近年来，随着科技发展，越来越多的人对拍照技术提出了更高的要求，有些摄影迷不惜一掷千金购买上万摄像设备，而有些日常随拍通过像素较高的手机便可以实现。不论是手机或是相机，它们的摄像头组成中都均有一个起遮光作用的遮光片，遮光片的遮光效果越好，拍摄出的照片效果越好；相反，如果遮光片遮光效果不好，就会出现漫反射现象，且会使拍出的照片产生光晕，进而影响照片拍摄质量；遮光片不仅能在相机上起着遮光作用，在屏下指纹上面也具有非常重要的作用，遮光片可以遮挡屏幕下指纹模块，起着美观的作用。现有遮光片的透过率和反射率通常较高，遮光效果有待提高，且遮光片的结构较为复杂，不利于生产制备。行业内，有通过油墨制备方法来制备低反射率、低透过率的遮光片(即镀膜片)，但是油墨制备过程比较繁琐，要先混合油墨，把油墨均匀涂抹在网板上，再把油墨刷到产品上，进行烘干，最后分割才可制得成品，需求原料复杂，而且成品膜厚度也不均匀。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对上述现有技术的不足，提供一种低透过率低反射率镀膜片，通过镀膜片上金属膜层与介电质膜层的搭配，以及不同金属膜层厚度的控制，使镀膜片具备低反射率、低透过率的特性。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种低透过率低反射率镀膜片，包括衬底基板，所述衬底基板表面镀有功能膜，所述的功能膜包括多层介电质膜和多层厚度递减的金属膜,即多层所述金属膜的厚度随与所述衬底基板距离的增大而减小。优选地，所述镀膜片的透光率≤0.1％，反射率≤1.5％。优选地，所述的介电质膜的厚度为20～300nm。优选地，最靠近所述衬底基板的一层金属膜的厚度为100～300nm，之后每层所述金属膜的厚度减小量△D为1～230nm。优选地，所述衬底基板最外层为二氧化硅材质的介电质膜。优选地，所述介电质膜为二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽或五氧化二铌膜。优选地，所述金属膜为钛、铬、银或铝膜。优选地，所述衬底基板为水晶基板、玻璃基板、硅片基板或蓝宝石基板。优选地，所述的镀膜片通过以下方法制备：S1：将衬底基板放置到蒸镀设备的镀膜腔内的镀件夹上，并在100～300℃条件下对镀膜腔抽真空至1.0*10-3～2.3*10-3Pa或更高的真空度；S2：将介电质膜材料和金属膜材料分别放入到相应的蒸发源中，相应蒸发源通过蒸发工艺将介电质膜源材料和金属膜源材料蒸镀到衬底基板上，并在衬底基板上形成多层层叠交错的介电质膜和金属膜，制得镀膜片成品；其中，不同介电质膜层的蒸发工艺条件为：介电质膜材料在100～300℃和1.0*10-3～2.3*10-3Pa或更高的真空度条件下，以的速率进行蒸发，其蒸发时间可根据需要蒸镀膜层的厚度来确定；不同金属膜层的蒸发工艺条件为：金属膜材料在100～300℃和1.0*10-3～2.3*10-3Pa条件下，蒸镀第一层金属膜以的速率进行蒸发，其蒸发时间可根据需要蒸镀膜层的厚度来确定。其中，介电质膜源材料为二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、五氧化二铌中的一种或多种；金属膜源材料为钛、铬、银、铝中一种或多种；S3：将制得的镀膜片成品取出。优选地，所述的镀膜片通过以下方法制备：A1：将金属靶材和介电质靶材安装在各自的靶台上；A2：将衬底基板放置到溅射设备的基板转台上，并对溅射腔室抽真空至真空度达到1.0*10-3～2.3*10-3Pa或更高的真空度；A3：对各靶材进行预溅射；A4：依次打开所需溅射沉积靶材的靶电源，调整基板转台，在所述衬底基板上溅射沉积所需靶材，并在衬底基板上形成多层层叠交错的介电质膜和金属膜，制得镀膜片成品；其中，溅射介电质靶材时，需同时向溅射腔室内通入氧气，以使被激发的介电质靶材在溅射过程中彻底氧化；溅射金属靶材前，将溅射腔室内氧气抽空，以防止被激发的金属靶材在溅射过程中被氧化；A5：将制得的镀膜片成品取出；其中，预溅射条件为：各靶材预溅射的时长2～10mim,电流20～50mA，电压300～600V；其中，金属靶材为钛、铬、银、铝中一种或多种；介电质靶材为硅、钛、钽、铌中的一种或多种。其中，各不同介电质膜层的溅射沉积条件为：介电质靶材在电流20～30mA，电压300～500V下，以的速率进行溅射，溅射时长可根据需要溅射膜层的厚度来确定；各不同金属膜层的蒸发工艺条件为：金属靶材在电流20～30mA，电压300～500V下，以的速率进行溅射，溅射时长可根据需要溅射膜层的厚度来确定。优选地，镀膜在所述衬底基板一侧的所述介电质膜和金属膜间隔或非间隔设置。本专利技术的有益效果至少包括：本专利技术通过镀膜片上金属膜层与介电质膜层的搭配，以及不同金属膜层厚度的控制，使镀膜片具备低反射率、低透过率的特性。通过实验能够发现，衬底基板上的膜层，越靠近衬底基板的单层金属膜层越厚，越能够降低透过率，越远离衬底基板的单层金属膜层越薄，越能降低反射率，故此，本专利技术通过在靠近衬底基板表面的方向设置较厚的金属膜层，来降低镀膜片的透过率，通过在远离衬底基板表面的方向设置较薄的金属膜层，来降低镀膜片的反射率，从而使镀膜片的透过率小于0.1％、反射率小于1.5％，进而提高本镀膜片的遮光效果；另外，本遮光片结构简单，容易制备，制作成本低。介电质膜的设置，是为了降低反射率，金属膜由于对光会有反射作用，越厚其反射越强，因此越远离衬底基板其设置地越薄，就是为了不让反射率升高，这样既能拥有金属膜特性，又能得到低反射率的镀膜片。本专利技术利用蒸镀工艺和溅射镀膜工艺，并通过在镀膜过程中调节金属材料蒸镀用量或金属靶材溅射用量来控制每层金属膜层的厚度，从而实现低透过率、低反射率镀膜片的制备，所用原料简单、容易配制，制备过程更加方便；由于制备过程中膜材料用量容易通过设备进行控制，故而制备出的镀膜片的膜厚度更加均匀，衬底基板镀膜过程在真空环境中进行，膜材料在衬底基板表面分布更加均匀；所制成品透过率低、反射率低，遮光效果好。附图说明图1是镀膜片的结构示意图一。图2是镀膜片的结构示意图二。图3是本镀膜片的反射率图，波长400-1100nm，反射率小于1.5％。图4是本镀膜片的透过率图，波长350-1150nm，透过率小于0.1％。其中：1-衬底基板，2-介电质膜，3-金属膜。具体实施方式下面结合附图及实施方式对本专利技术做进一步说明。实施例1一种低透过率低反射率镀膜片，如图1至图4所示，包括衬底基板1，所述衬底基板1表面镀有功能膜，所述的功能膜包括多层介电质膜2和多层厚度递减的金属膜3，即所述衬底基板1上不同所述金属膜3的厚度随与所述衬底基板1距离的增大而减小。介电质膜2的设置，主要是为了降低金属膜的反射率，而根据金属或金属膜的反射和透过率特性，金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低透过率低反射率镀膜片，包括衬底基板(1)，其特征在于，所述衬底基板(1)表面镀有功能膜，所述的功能膜包括多层介电质膜(2)和多层厚度递减的金属膜(3)。/n

【技术特征摘要】
1.一种低透过率低反射率镀膜片，包括衬底基板(1)，其特征在于，所述衬底基板(1)表面镀有功能膜，所述的功能膜包括多层介电质膜(2)和多层厚度递减的金属膜(3)。


2.根据权利要求1所述的一种低透过率低反射率镀膜片，其特征在于，所述镀膜片的透光率≤0.1％，反射率≤1.5％。


3.根据权利要求1所述的一种低透过率低反射率镀膜片，其特征在于，所述的介电质膜(2)的厚度为20～300nm。


4.根据权利要求1所述的一种低透过率低反射率镀膜片，其特征在于，最靠近所述衬底基板(1)的一层金属膜(3)的厚度为100～300nm，之后每层所述金属膜(3)的厚度减小量△D为1～230nm。


5.根据权利要求1所述的一种低透过率低反射率镀膜片，其特征在于，所述衬底基板(1)最外层为二氧化硅介电质膜(2)。


6.根据权利要求1所述的一种低透过率低反射率镀膜片,其特征在于，所述介电质膜(2)为二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽或五氧化二铌膜。


7.根据权利要求1所述的一种低透过率低反射率镀膜片，其特征在于，所述金属膜(3)为钛、铬、银或铝膜。


8.根据权利要求1所述的一种低透过率低反射率镀膜片，其特征在于，所述衬底基板(1)为水晶基板、玻璃基板、硅片基板或蓝宝石基板。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的一种低透过率低反射率镀膜片，其特征在于，所述的镀膜片通过以下方法制备：
S1：将衬底基板(1)放置到蒸镀设备的镀膜腔内的镀件夹上，并在100～300...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛文志，王刚，王懿伟，矢岛大和，翁钦盛，
申请(专利权)人：杭州美迪凯光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33