一种光谱选择性辐射红外隐身材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光谱选择性辐射红外隐身材料，依次包括基底、氮化铝层和介质层；所述介质层由若干交替排列的介质层A和介质层B组成；所述介质层A的材料为锗、碲、硅中的任一种，所述介质层B的材料为硫化锌、硒化锌、氟化镁、氟化钡、氟化钙中的任一种。该材料的制备方法：(1)对基底进行清洗并干燥；(2)采用磁控溅射或流延法，在基底表面制备一层氮化铝层；(3)采用磁控溅射或电子束蒸发，在氮化铝层先沉积一层介质层A，再沉积一层介质B，重复交替沉积介质层A和介质层B，直至设计的层数，完成红外隐身材料的制备。本发明专利技术的光谱选择性辐射红外隐身材料，兼顾了低发射率与辐射散热的要求，对更好的实现红外隐身具有重要的意义。

A spectral selective radiation infrared stealth material and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种光谱选择性辐射红外隐身材料及其制备方法
本专利技术属于新材料领域，尤其涉及一种光谱选择性辐射红外隐身材料及其制备方法。
技术介绍
随着光电技术的迅猛发展，各种侦察技术手段应运而生。隐身技术在现代战争中地位日益提高。在各种隐身技术中，红外隐身占据着十分重要的地位。红外隐身，是指消除或减小目标与背景间中远红外波段两个大气窗口(3.0μm～5.0μm，8.0μm～14.0μm)辐射特性的差别。目前，低发射率红外隐身材料的使用仍旧是红外隐身最主要的方式。传统的红外低发射率材料在整个红外波段都具有低发射率，覆盖了红外探测的3.0μm～5.0μm和8.0μm～14.0μm波段。根据Stefan-Boltzmann定律：M＝εσT4，红外辐射出射度与温度T和发射率ε相关。传统的低发射率材料主要通过降低发射率来实现红外辐射出射度的降低，以此实现红外隐身。但是，依据Stefan-Boltzmann定律，目标的红外辐射特性与温度密切相关。温度的升高同样会导致辐射出射度的增大。对传统低发射率材料来说，红外全波段的低发射率会降低目标通过辐射进行散热的效率，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光谱选择性辐射红外隐身材料，其特征在于，所述红外隐身材料为层状结构，依次包括基底、氮化铝层和介质层；所述介质层由若干交替排列的介质层A和介质层B组成；所述介质层A的材料为锗、碲、硅中的任一种，所述介质层B的材料为硫化锌、硒化锌、氟化镁、氟化钡、氟化钙中的任一种。/n

【技术特征摘要】
1.一种光谱选择性辐射红外隐身材料，其特征在于，所述红外隐身材料为层状结构，依次包括基底、氮化铝层和介质层；所述介质层由若干交替排列的介质层A和介质层B组成；所述介质层A的材料为锗、碲、硅中的任一种，所述介质层B的材料为硫化锌、硒化锌、氟化镁、氟化钡、氟化钙中的任一种。


2.如权利要求1所述的红外隐身材料，其特征在于，所述红外隐身材料的层数为4～7层。


3.如权利要求1所述的红外隐身材料，其特征在于，所述氮化铝层厚度大于0.5mm，所述介质层A和介质层B的厚度分别为100～1000nm。


4.如权利要求1所述的红外隐身材料，其特征在于，所述基底的材料为硅、玻璃、金属、高分子材料中的任一种。


5.如权利要求1所述的红外隐身材料，其特征在于，所述氮化铝层与介质层A...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘东青，彭亮，程海峰，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43