SONO刻蚀样品制备及检测方法技术

本发明专利技术提供一种SONO刻蚀样品制备及检测方法，包括：提供一闪存前端器件，去除预设深度的所述衬底堆叠结构层，在所述预设深度范围内剩余所述SONO堆叠结构层；去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层，采用闪存前端器件去层的方法，得到想要检测深度的SONO刻蚀样品，采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测，减少SONO刻蚀样品制备及检测的时间，检测观察面积大，增大闪存晶圆的检测范围。

Preparation and detection of sono etched samples

【技术实现步骤摘要】
SONO刻蚀样品制备及检测方法
本专利技术属于集成电路制造
，具体涉及一种SONO刻蚀样品制备及检测方法。
技术介绍
随着闪存存储器的发展，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(3D或非)闪存和3DNAND(3D与非)闪存。闪存器件根据存储单元的结构可分为叠置栅极型和分离栅极型，并且根据电荷存储层的形状分为浮置栅极器件和SONO(硅-氧化物-氮化物-氧化物)器件。其中，SONO型闪存器件具有比浮置栅极型闪存器件更优的可靠性，并能够以较低的电压执行编程和擦除操作，且SONO型闪存器件具有很薄的单元，并且便于制造。SONO刻蚀是3DNAND很重要的一个工艺步骤，具体为：沟道孔(深孔)的侧壁和底部形成有SONO堆叠结构层，通过SONO刻蚀步骤刻蚀去除位于沟道孔(深孔)底部的SONO堆叠结构层，以暴露出硅外延层。SONO刻蚀形貌决定沟道孔上下连接的结构的功能以及影响良率大小，因此在3DNAND工艺中是非常重要的步骤，可以通过检测SONO刻蚀形貌以判断SONO刻蚀工艺的好坏。SONO刻蚀形貌是一个很重要的参数本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，包括：/n提供一闪存前端器件，所述闪存前端器件包括衬底，所述衬底上形成有衬底堆叠结构层，所述衬底堆叠结构层中形成有栅极线孔和沟道孔，所述沟道孔的侧壁形成有SONO堆叠结构层，所述沟道孔包括连通的上沟道孔和下沟道孔；/n去除预设深度的所述衬底堆叠结构层，在所述预设深度范围内剩余所述SONO堆叠结构层；剩余的所述衬底堆叠结构层的顶部不低于所述下沟道孔的顶部；/n去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层，得到SONO刻蚀样品；/n采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测。/n

【技术特征摘要】
1.一种SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，包括：
提供一闪存前端器件，所述闪存前端器件包括衬底，所述衬底上形成有衬底堆叠结构层，所述衬底堆叠结构层中形成有栅极线孔和沟道孔，所述沟道孔的侧壁形成有SONO堆叠结构层，所述沟道孔包括连通的上沟道孔和下沟道孔；
去除预设深度的所述衬底堆叠结构层，在所述预设深度范围内剩余所述SONO堆叠结构层；剩余的所述衬底堆叠结构层的顶部不低于所述下沟道孔的顶部；
去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层，得到SONO刻蚀样品；
采用SEM对所述SONO刻蚀样品进行检测。


2.如权利要求1所述的SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，采用HF酸腐蚀去除所述预设深度的所述衬底堆叠结构层。


3.如权利要求2所述的SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，采用HF酸腐蚀去除所述预设深度的所述衬底堆叠结构层具体过程为：将所述闪存前端器件截成1～1.5cm*1～1.5cm大小，放入45％～55％的HF酸中浸泡8s-12s。


4.如权利要求1所述的SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，采用抛光垫研磨去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层。


5.如权利要求4所述的SONO刻蚀样品制备及检测方法，其特征在于，采用抛光垫研磨去除所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王亚南，刘君芳，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42