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本发明提供一种SONO刻蚀样品制备及检测方法，包括：提供一闪存前端器件，去除预设深度的所述衬底堆叠结构层，在所述预设深度范围内剩余所述SONO堆叠结构层；去除所述预设深度范围内剩余的所述SONO堆叠结构层，采用闪存前端器件去层的方法，得到想...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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