聚氨酯研磨垫及其制造方法、及化学机械研磨装置制造方法及图纸

本公开提供了一种用于制造聚氨酯研磨垫的组成物。该组成物包括5～15wt％的MBCA、25～45wt％的异氰酸酯、45～55wt％的多元醇、5～35wt％的EOPO以及1～5wt％的添加剂。由本公开的组成物制成的聚氨酯研磨垫的硬度在40至70肖氏硬度D的范围内，伸长率在200％至400％的范围内，密度在0.7至0.9g/cc的范围内，模量在25000至40000kg/cm

【技术实现步骤摘要】
聚氨酯研磨垫及其制造方法、及化学机械研磨装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月14日提交的第62/779493号美国临时专利申请的权益，其全部内容通过引用并入本文。
本公开总体上涉及一种聚氨酯研磨垫。更具体而言，本公开涉及一种延长的垫寿命且针对研磨过程去除率提高的聚氨酯研磨垫。
技术介绍
化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，简称CMP)过程是通过在受控的温度、压力和化学成分条件下，将半导体晶圆抵靠在旋转研磨表面上或者将晶圆相对于研磨表面旋转来完成的。研磨表面可以是由柔软的多孔材料(例如发泡聚氨酯)形成的平面状的研磨垫。在CMP期间，研磨表面用具有化学活性和研磨性的水性浆料润湿。水性浆料可以是酸性或碱性的，通常包括磨料颗粒、反应性化学试剂(诸如过渡金属螯合盐或氧化剂)以及助剂(诸如溶剂、缓冲剂和/或钝化剂)。具体而言，化学蚀刻通过浆料中的反应性化学试剂执行，而机械研磨通过磨料颗粒与CMP垫的配合执行。研磨垫的硬度可能对研磨过程的性能产生不同的影响。磨损率低(即，延长的垫寿命)的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚氨酯研磨垫，所述聚氨酯研磨垫由组成物制造而成，其特征在于，所述组成物包括：/n15～25重量百分比(wt％)的4,4'-亚甲基-双(2-氯苯胺)(MBCA)；/n25～45wt％的异氰酸酯；/n15～45wt％的多元醇；/n5～35wt％的环氧乙烷环氧丙烷共聚醇(EOPO)；以及/n1～5wt％的添加剂。/n

【技术特征摘要】
20181214 US 62/779493;20191030 US 16/6683831.一种聚氨酯研磨垫，所述聚氨酯研磨垫由组成物制造而成，其特征在于，所述组成物包括：
15～25重量百分比(wt％)的4,4'-亚甲基-双(2-氯苯胺)(MBCA)；
25～45wt％的异氰酸酯；
15～45wt％的多元醇；
5～35wt％的环氧乙烷环氧丙烷共聚醇(EOPO)；以及
1～5wt％的添加剂。


2.如权利要求1所述的聚氨酯研磨垫，其特征在于，
所述组成物进一步包括10～25wt％的EOPO。


3.如权利要求1所述的聚氨酯研磨垫，其特征在于，
所述组成物的所述添加剂选自包括表面活性剂、填料、催化剂、加工助剂、抗氧化剂、稳定剂、润滑剂、导电添加剂或任意几者的组。


4.如权利要求3所述的聚氨酯研磨垫，其特征在于，所述导电添加剂选自包括炭黑、碳纤维和铝颗粒的组。


5.如权利要求1所述的聚氨酯研磨垫，其特征在于，
所述组成物的所述异氰酸酯包括甲苯二异氰酸酯(TDI)和亚甲基二苯基二异氰酸酯(MDI)中的至少一种。


6.如权利要求1所述的聚氨酯研磨垫，其特征在于，
所述组合物的所述多元醇是聚(四亚甲基醚)二醇(PTMG)。


7.如权利要求1所述的聚氨酯研磨垫，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：金光复，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37