一种抛光用无蜡垫及生产方法技术

本发明专利技术公开了一种抛光用无蜡垫及生产方法，包括垫片底盘、沉孔和无蜡抛光轮，垫片底盘的内部设有沉孔，沉孔内卡嵌安装无蜡抛光轮，其中无蜡垫分为单一式无蜡垫和集中式无蜡垫，单一式与集中式的区别为垫片底盘中沉孔的分布不同，及垫片底盘的组分分布工艺不同，单一式无蜡垫中沉孔容量较大，用于晶片打磨时，无蜡抛光轮与晶片的接触面积的不同，使得对于不同形状大小的晶片的打磨程度不同，垫片底盘内不同的组分分布工艺，分别提高了垫片底盘的抗拉伸性能、摩擦力性能和承热能力性能，有效避免了晶片打磨过程中出现的碎片、崩角与刮伤的问题，防止由于抛光过程中由于过热导致无蜡垫断裂损坏的问题，有效提高晶片产品的抛光合格率。

A waxless pad for polishing and its production method

【技术实现步骤摘要】
一种抛光用无蜡垫及生产方法
本专利技术涉及无蜡垫
，具体为一种抛光用无蜡垫及生产方法。
技术介绍
晶片产品在打磨抛光的过程中，需要在晶片底部使用单独的打磨垫片，以提高打磨抛光的效率，其中无蜡垫是一种新型垫片，其打磨抛光的效果较于其他垫片更优，且更加倾向于硅片产品的打磨抛光，其具有耗时短、抛光打磨方便和成本较低的优点，非常适用于蓝宝石片、LED基片、无蜡硅晶片、玻璃面板、光学晶体片和激光晶体片等的单面打磨抛光，而由于现有的无蜡垫片的基座部位的抗拉伸能力、摩擦力性能及承热能力较差，导致无蜡垫在晶片的打磨过程中发生断裂、熔化或抛光偏离的问题，从而导致晶片产品的抛光合格率较低，无法达到正常的生产水平。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种抛光用无蜡垫及生产方法，其中无蜡垫分为单一式无蜡垫和集中式无蜡垫，单一式与集中式的区别为垫片底盘中沉孔的分布不同，及垫片底盘的组分分布工艺不同，单一式无蜡垫中沉孔容量较大，用于晶片打磨时，无蜡抛光轮与晶片的接触面积的不同，使得对于不同形状大小的晶片的打磨程度不同，垫片底盘内不同的组分分布工艺，分别提高了垫片底盘的抗拉伸性能、摩擦力性能和承热能力性能，有效避免了晶片打磨过程中出现的碎片、崩角与刮伤的问题，防止由于抛光过程中由于过热导致无蜡垫断裂损坏的问题，有效提高晶片产品的抛光合格率，可以解决现有技术中的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种抛光用无蜡垫，包括垫片底盘、沉孔和无蜡抛光轮，所述垫片底盘的内部设有沉孔，所述沉孔内卡嵌安装无蜡抛光轮。优选的，所述垫片底盘的外圈设有环径为10mm、高度为2mm的凸起。优选的，所述沉孔的分类为单一式和集合式，单一式所述沉孔数量为一个，其外部直径为60mm，所述沉孔深度为4mm，集合式所述沉孔的数量为七个，其外部直径为10mm，所述沉孔深度为4mm。优选的，所述无蜡抛光轮的卡嵌内径为60mm和10mm。优选的，所述垫片底盘所用原料的各成分重量配比如下：金属铁：71.50份；金属铬：18份；金属镍：10份；碳元素：0.03份；氮元素：0.01份；磷元素：0.01份；硅元素：0.45份；配比完成后通过合金熔炉融化合成，并浇筑至所述垫片底盘的生产模具中，熔炼温度大于1200℃。优选的，所述所述垫片底盘所用原料的各成分重量配比如下：金属铁：65.50份；金属铬：18份；金属镍：16份；碳元素：0.03份；氮元素：0.01份；磷元素：0.01份；硅元素：0.45份；配比完成后通过合金熔炉融化合成，并浇筑至所述垫片底盘的生产模具中，熔炼温度大于1200℃。优选的，所述垫片底盘所用原料的各成分重量配比如下：金属铁：44.5份；金属铬：20份；金属镍：25份；碳元素：2份；钼元素：4份；铜元素：4份；氮元素：0.025份；磷元素：0.025份；硅元素：0.45份；配比完成后通过合金熔炉融化合成，并浇筑至所述垫片底盘的生产模具中，熔炼温度大于1200℃。本专利技术提供另一种技术方案：一种抛光用无蜡垫的生产方法，包含以下步骤：步骤一：将配比完成的各项金属及元素配料倒入熔炼炉中进行熔炼，熔炼温度大于1200℃；步骤二：将熔炼完成的配料，浇筑至所述垫片底盘的成型模具中，并进行热锻和3-4小时的退火保温处理，退火保温的温度保持在980℃-1080℃之间；步骤三：将成型的垫片底盘的胚盘进行常温冷却，并使其冷却至常温；步骤四：将胚盘安装至车床处，加工出相应大小的沉孔，并在沉孔中安装相应大小的无蜡抛光轮。与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：本专利技术抛光用无蜡垫及生产方法，其中无蜡垫分为单一式无蜡垫和集中式无蜡垫，单一式与集中式的区别为垫片底盘中沉孔的分布不同，及垫片底盘的组分分布工艺不同，单一式无蜡垫中沉孔容量较大，用于晶片打磨时，无蜡抛光轮与晶片的接触面积的不同，使得对于不同形状大小的晶片的打磨程度不同，垫片底盘内不同的组分分布工艺，分别提高了垫片底盘的抗拉伸性能、摩擦力性能和承热能力性能，本专利技术的结构与方法合理完整，有效避免了晶片打磨过程中出现的碎片、崩角与刮伤的问题，防止由于抛光过程中由于过热导致无蜡垫断裂损坏的问题，有效提高晶片产品的抛光合格率。附图说明图1为本专利技术的实施例1的结构示意图；图2为本专利技术的实施例2的结构示意图。图中：1、垫片底盘；2、沉孔；3、无蜡抛光轮。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1：一种抛光用无蜡垫，包括垫片底盘1、沉孔2和无蜡抛光轮3，垫片底盘1的内部设有沉孔2，沉孔2内卡嵌安装无蜡抛光轮3，垫片底盘1的外圈设有环径为10mm、高度为2mm的凸起，该无蜡垫为单一式无蜡垫，其沉孔2的总数量为一个，沉孔2外部直径为60mm，沉孔2的深度为4mm，沉孔2内卡嵌安装的无蜡抛光轮3的卡嵌内径为60mm。单一式无蜡垫的打磨区域较大，无蜡抛光轮3与晶片的接触面积较大，对于晶片的打磨抛光具有较高的效果，防止了晶片的碎片、崩角和刮伤问题。实施例1-1：抛光用无蜡垫内的垫片底盘1所使用的各成分重量配比如下：金属铁：71.50份；金属铬：18份；金属镍：10份；碳元素：0.03份；氮元素：0.01份；磷元素：0.01份；硅元素：0.45份；配比完成后通过合金熔炉融化合成，并浇筑至所述垫片底盘1的生产模具中，熔炼温度大于1200℃。其中该合金内大量降低碳元素的占比，并提高金属铁的占比，提高了垫片底盘1的坚硬度，并提高其抗拉伸能力，有效提高晶片的打磨质量，防止了碎片或崩角的问题，其最大工作温度为760℃，承热能力较高。实施例1-2：抛光用无蜡垫内的垫片底盘1所使用的各成分重量配比如下：金属铁：65.50份；金属铬：18份；金属镍：16份；碳元素：0.03份；氮元素：0.01份；磷元素：0.01份；硅元素：0.45份；配比完成后通过合金熔炉融化合成，并浇筑至所述垫片底盘1的生产模具中，熔炼温度大于1200℃。其中该合金大量降低了碳元素的占比，并提高金属铁的占比，使该垫片底盘1的坚硬度提高，抗拉伸能力较强，增加其表面的摩擦性能，防止了晶片的碎片与崩角问题，方便于晶片的放置和打磨抛光，其最大工作温度为760℃，承热能力较高。实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抛光用无蜡垫，包括垫片底盘(1)、沉孔(2)和无蜡抛光轮(3)，其特征在于：所述垫片底盘(1)的内部设有沉孔(2)，所述沉孔(2)内卡嵌安装无蜡抛光轮(3)。/n

【技术特征摘要】
1.一种抛光用无蜡垫，包括垫片底盘(1)、沉孔(2)和无蜡抛光轮(3)，其特征在于：所述垫片底盘(1)的内部设有沉孔(2)，所述沉孔(2)内卡嵌安装无蜡抛光轮(3)。


2.根据权利要求1所述的一种抛光用无蜡垫，其特征在于：所述垫片底盘(1)的外圈设有环径为10mm、高度为2mm的凸起。


3.根据权利要求1所述的一种抛光用无蜡垫，其特征在于：所述沉孔(2)的分类为单一式和集合式，单一式所述沉孔(2)数量为一个，其外部直径为60mm，所述沉孔(2)深度为4mm，集合式所述沉孔(2)的数量为七个，其外部直径为10mm，所述沉孔(2)深度为4mm。


4.根据权利要求1所述的一种抛光用无蜡垫，其特征在于：所述无蜡抛光轮(3)的卡嵌内径为60mm和10mm。


5.根据权利要求1所述的一种抛光用无蜡垫，其特征在于：所述垫片底盘(1)所用原料的各成分重量配比如下：
金属铁：71.50份；
金属铬：18份；
金属镍：10份；
碳元素：0.03份；
氮元素：0.01份；
磷元素：0.01份；
硅元素：0.45份；
配比完成后通过合金熔炉融化合成，并浇筑至所述垫片底盘(1)的生产模具中，熔炼温度大于1200℃。


6.根据权利要求1所述的一种抛光用无蜡垫，其特征在于：所述垫片底盘(1)所用原料的各成分重量配比如下：
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【专利技术属性】
技术研发人员：李加海，谭鸿，李元祥，杨惠明，
申请(专利权)人：安徽禾臣新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34