聚氨酯研磨垫及其制造方法、及化学机械研磨装置制造方法及图纸

本公开提供了一种由一组成制成的聚氨酯研磨垫。该组成包括5～15wt％的MBCA、25～45wt％的异氰酸酯、45～55wt％的多元醇以及1～5wt％的导电添加剂。导电添加剂选自包括炭黑、碳纤维以及铝颗粒或任意几者的组分的组合。

Polyurethane grinding pad and its manufacturing method and chemical mechanical grinding device

【技术实现步骤摘要】
聚氨酯研磨垫及其制造方法、及化学机械研磨装置相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月13日提交的第62/778994号美国临时专利申请的权益，其全部内容通过引用并入本文。
本公开总体涉及一种聚氨酯研磨垫。更具体而言，本公开涉及一种具有导电材料的聚氨酯研磨垫，可使垫表面为可导电的并且去除晶圆表面上积聚的静电荷。
技术介绍
化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，简称CMP)是通过在受控的温度、压力和化学成分条件下，将半导体晶圆抵靠在旋转研磨表面上或者将晶圆相对于研磨表面旋转来完成的。研磨表面可以是由柔软的多孔材料(例如发泡聚氨酯)形成的平面状的垫。在CMP期间，研磨表面用具有化学活性和研磨性的水性浆料润湿。水性浆料可以是酸性或碱性的，通常包括磨料颗粒、反应性化学试剂(诸如过渡金属螯合盐或氧化剂)以及助剂(诸如溶剂、缓冲剂和/或钝化剂)。具体而言，化学蚀刻通过浆料中的反应性化学试剂执行，而机械研磨通过磨料颗粒与CMP垫的配合执行。在CMP过程中，特别是在使具有金属层的晶圆平坦化的过程中，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚氨酯研磨垫，所述聚氨酯研磨垫由组成制造而成，所述组成包括：/n5～15重量百分比(wt％)的4,4'-亚甲基-双(2-氯苯胺)(MBCA)；/n25～45wt％的异氰酸酯；/n45～55wt％的多元醇；以及/n1～5wt％的导电添加剂，其中，所述导电添加剂选自包括炭黑、碳纤维、铝颗粒或任意几者的组分的组合。/n

【技术特征摘要】
20181213 US 62/778994;20191030 US 16/6684071.一种聚氨酯研磨垫，所述聚氨酯研磨垫由组成制造而成，所述组成包括：
5～15重量百分比(wt％)的4,4'-亚甲基-双(2-氯苯胺)(MBCA)；
25～45wt％的异氰酸酯；
45～55wt％的多元醇；以及
1～5wt％的导电添加剂，其中，所述导电添加剂选自包括炭黑、碳纤维、铝颗粒或任意几者的组分的组合。


2.如权利要求1所述的聚氨酯研磨垫，其特征在于，
所述组成中的所述导电添加剂的电导率在1至30mS/cm的范围内，所述导电添加剂的Zeta电位在-200至100mV的范围内。


3.如权利要求1所述的聚氨酯研磨垫，其特征在于，
所述组成中的所述异氰酸酯包括甲苯二异氰酸酯(TDI)以及亚甲基二苯基二异氰酸酯(MDI)，所述组成包括25～35wt％的TDI和4～10wt％的MDI，所述多元醇是聚(四亚甲基醚)二醇(PTMG)。


4.如权利要求1所述的聚氨酯研磨垫，其特征在于，
所述组成具有的未反应的异氰酸酯基的重量百分比(NCO％)在0.1～10wt％的范围内。


5.一种制造聚氨酯研磨垫的方法，其特征在于，包括：
提供一种用于制造聚氨酯研磨垫的组成，其中，所述组成包括：
5～15wt％的MBCA；
25～45wt％的异氰酸酯；
45～55wt％的多元醇；以及
1～5wt％的导电添加...

【专利技术属性】
技术研发人员：金光复，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37