化学机械研磨装置以及执行氧化铈基化学机械研磨的方法制造方法及图纸

本公开提供了一种执行氧化铈基化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)过程的方法。方法包括步骤S401至S404。在步骤S401中，将包含氧化铈颗粒的浆料提供至研磨垫上。在步骤S402中，通过浆料在研磨垫上研磨晶圆的氧化物层。在步骤S403中，将温度在0℃至5℃范围内的冷却水提供至研磨垫上。在步骤S404中，通过冷却水在研磨垫上研磨晶圆以从晶圆的氧化物层上去除氧化铈颗粒。

Chemical mechanical lapping device and method for performing chemical mechanical lapping of ceria base

【技术实现步骤摘要】
化学机械研磨装置以及执行氧化铈基化学机械研磨的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月13日提交的第62/778909号美国临时专利申请的权益，其全部内容通过引用并入本文。
本公开总体上涉及一种执行氧化铈基化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，简称CMP)过程的方法及其CMP装置。更具体而言，本公开涉及一种执行氧化铈基CMP过程的方法，该方法提供冷却水以减小在CMP工艺之后氧化铈颗粒与晶圆的表面之间的粘着力。
技术介绍
化学机械研磨(CMP)过程是通过在受控的温度、压力和化学成分条件下，将半导体晶圆抵靠在旋转研磨表面上或者以其他方式将晶圆相对于研磨表面移动来完成的。研磨表面可以是由相对柔软的多孔材料(例如发泡聚氨酯)形成的平面状的垫，并用具有化学活性和研磨性的水性浆料润湿。水性浆料可以是酸性或碱性的，通常包括磨料颗粒，诸如过渡金属螯合盐或氧化剂之类的反应性化学试剂，以及诸如溶剂、缓冲剂和钝化剂之类的助剂。在这种浆料中，盐或其他试剂提供化学蚀刻作用，而磨料颗粒与研磨垫配合提供机械研磨作用。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种执行氧化铈基化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，简称CMP)过程的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将包含氧化铈颗粒的浆料提供至研磨垫上；/n通过所述浆料在所述研磨垫上研磨晶圆的氧化物层；/n将温度在0℃至5℃范围内的冷却水提供至所述研磨垫上；以及/n通过所述冷却水在所述研磨垫上研磨所述晶圆，以从所述晶圆的所述氧化物层上去除所述氧化铈颗粒。/n

【技术特征摘要】
20181213 US 62/778909;20191122 US 16/6927211.一种执行氧化铈基化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，简称CMP)过程的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将包含氧化铈颗粒的浆料提供至研磨垫上；
通过所述浆料在所述研磨垫上研磨晶圆的氧化物层；
将温度在0℃至5℃范围内的冷却水提供至所述研磨垫上；以及
通过所述冷却水在所述研磨垫上研磨所述晶圆，以从所述晶圆的所述氧化物层上去除所述氧化铈颗粒。


2.如权利要求1所述的执行氧化铈基化学机械研磨过程的方法，其特征在于，
所述晶圆的所述氧化物层是氧化硅层。


3.如权利要求1所述的执行氧化铈基化学机械研磨过程的方法，其特征在于，
提供所述冷却水以将所述晶圆和所述研磨垫冷却至0℃至20℃。


4.如权利要求1所述的执行氧化铈基化学机械研磨过程的方法，其特征在于，
在室温下通过所述浆料在所述研磨垫上研磨所述晶圆的所述氧化物层。


5.一种化学机械研磨(CMP)装置，其特征在于，包括：
平台，具有研磨垫，所述研磨垫用于通过包含氧化铈颗粒的浆料研磨晶圆；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李善雄，
申请(专利权)人：夏泰鑫半导体青岛有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37