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本公开提供了一种执行氧化铈基化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)过程的方法。方法包括步骤S401至S404。在步骤S401中，将包含氧化铈颗粒的浆料提供至研磨垫上。在步骤S402中，通过浆料...
该专利属于夏泰鑫半导体(青岛)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过夏泰鑫半导体(青岛)有限公司授权不得商用。

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