【技术实现步骤摘要】
MOCVD尾管免拆清理装置
本专利技术涉及一种清扫装置，具体而言，涉及一种可在氮化镓外延片制备工艺流程中使用的长尾管型MOCVD尾管免拆清理装置，属于清洁设备
技术介绍
氮化镓（GaN，Galliumnitride），是一种氮和镓的化合物、一种直接能隙（directbandgap）的半导体，属于第三代半导体材料,在光电子、高温大功率器件和高温微波器件应用方面有着广阔的前景。近年来，对于氮化镓材料的研究与应用是目前全球半导体研究领域中的热点与前沿部分。目前，业内对于氮化镓材料的制备主要采用金属有机物化学气相沉积法（MOCVD），在使用这一方法生产氮化镓外延片的过程中，会不断地通过外延炉反应腔的流量法兰向反应腔内部输入各种原料气体，这些原料气体包括大量的NH3、N2、H2，少量的金属有机物（铝、镓、铟源等）以及少量的硅烷。依照工艺流程而言，这些原料气体会经MOCVD尾管依次进入颗粒过滤器及真空干泵，最终完成尾气排放。但是在实际的操作过程中，这些原料气体只有一小部分会在反应腔内生成氮化镓产品，而其中的绝大部分会未...
【技术保护点】
1.一种MOCVD尾管免拆清理装置，包括前端清理组件及尾端连接组件两部分，所述尾端连接组件包括一根尾端线缆（1），所述尾端线缆（1）的一端与外部功能器件固定连接、所述尾端线缆（1）的另一端与所述前端清理组件相连接，其特征在于：所述前端清洁组件包括一根前端线缆（2），所述前端线缆（2）的一侧端部固定设置有清扫器件、所述前端线缆（2）的另一端与所述尾端线缆（1）的端部相连接，所述前端清洁组件还包括固定设置于所述前端线缆（2）外周侧、用于使装置整体在MOCVD尾管内部沿管路延伸方向活动的移动器件。/n
【技术特征摘要】
1.一种MOCVD尾管免拆清理装置，包括前端清理组件及尾端连接组件两部分，所述尾端连接组件包括一根尾端线缆（1），所述尾端线缆（1）的一端与外部功能器件固定连接、所述尾端线缆（1）的另一端与所述前端清理组件相连接，其特征在于：所述前端清洁组件包括一根前端线缆（2），所述前端线缆（2）的一侧端部固定设置有清扫器件、所述前端线缆（2）的另一端与所述尾端线缆（1）的端部相连接，所述前端清洁组件还包括固定设置于所述前端线缆（2）外周侧、用于使装置整体在MOCVD尾管内部沿管路延伸方向活动的移动器件。
2.根据权利要求1所述的MOCVD尾管免拆清理装置，其特征在于：所述外部功能器件至少包括驱动电源、变压器以及拖拽绳理线盘。
3.根据权利要求1所述的MOCVD尾管免拆清理装置，其特征在于：所述前端线缆（2）与所述尾端线缆（1）二者的线材结构相同，所述线材结构为共轴嵌套设置的三层结构、分别包括中心电缆层、拖拽绳层以及线材外膜层（3），所述中心电缆层内设置有多根用于为所述清扫器件供能的中心电机电缆（4），所述拖拽绳层紧密包覆于所述中心电缆层外周侧，所述线材外膜层（3）紧密包覆于所述拖拽绳层外周侧。
4.根据权利要求3所述的MOCVD尾管免拆清理装置，其特征在于：所述拖拽绳层由设置于内侧的中间层拖拽绳（5）以及设置于外侧的外层拖拽绳（6）组合而成，所述中间层拖拽绳（5）为抗拉绝缘材质柔性管，所述外层拖拽绳（6）为抗拉含钢丝柔性管。
5.根据权利要求4所述的MOCVD尾管免拆清理装置，其特征在于：所述尾端线缆（1）的另一端固定设置有连接公头（7），所述连接公头（7）与所述尾端线缆（1）的结合处热熔焊接固定，所述连接公头（7）的外周侧开设有连接螺纹。
6.根据权利要求5所述的MOCVD尾管免拆清理装置，其特征在于：所述清扫器件包括一台同轴对转无刷电机（8），所述前端线缆（2）内部的中心电机电缆（4）与所述同轴对转无刷电机（8）电性连接并为其供能，所述同轴对转无刷电机（8）的端部共轴设置有两个输出部，每个所述输出部上均固定安装有一个盘型刷头（9），所述盘型刷头（9）的盘面直径与MO...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘银，南琦，
申请(专利权)人：木昇半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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