一种极紫外GaN UV-LED外延结构制造技术

本发明专利技术公开了一种极紫外GaN UV‑LED外延结构，包括衬底层，衬底层上设有外延层，外延层设有多组，所述外延层等距离设置，且每组外延层之间设置有分隔层，所述外延层与衬底层之间设有划痕层，所述外延层包括半导体模板层、缓冲层、高温n‑GaN层、低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层、高温p‑AlGaN电子阻挡层和p型掺杂AlGaN层，本发明专利技术通过将缓冲层采用多组交错叠加设置的GaAs层和AlGaAs层组成，使其具有良好的吸光效果，后期可将吸收的光射出，有效的提到的发光效率和二次出光效率，通过在衬底层内设置反光层，使得外延结构具有两组发光结构，提高极紫外GaN UV‑LED出光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种极紫外GaNUV-LED外延结构
本专利技术涉及UV-LED
，具体为一种极紫外GaNUV-LED外延结构。
技术介绍
UVLED即紫外发光二极管，是LED的一种，波长范围为:260-400nm，是单波长的不可见光，一般在400nm以下。固化用主要有365nm和395nm。UV胶固化一般使用365nm波长。线光源有超长的寿命、冷光源、无热辐射、寿命不受开闭次数影响、能量高、照射均匀提高生产效率，不含有毒物物质比传统的光源更安全、更环保。传统的UV-LED外延片的结构包括衬底及依次层叠在衬底表面上的氮化铝或高铝组分的氮化铝镓缓冲层、高铝组分的n型氮化铝镓层、多量子阱发光层、电子阻挡层、低铝组分的P型氮化铝镓层。但是，现有的存在以下缺点：现有的UV-LED外延片在使用时，由于本身结构的问题，在光线折射在外延片上时，光线吸收后，很难在出射出去，造成整个UV-LED的出光率降低，UV-LED在使用时，由于电流，会产生热量，但现有的UV-LED外延片结构，使得散热受阻，影响散热效果。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种极紫外GaNUV-LED外延结构，以解决上述
技术介绍
中现有的UV-LED外延片在使用时，由于本身结构的问题，在光线折射在外延片上时，光线吸收后，很难在出射出去，造成整个UV-LED的出光率降低，UV-LED在使用时，由于电流，会产生热量，但现有的UV-LED外延片结构，使得散热受阻，影响散热效果的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种极紫外GaNUV-LED外延结构，包括衬底层，所述衬底层上设有外延层，所述外延层设有多组，所述外延层等距离设置，且每组外延层之间设置有分隔层，所述外延层与衬底层之间设有划痕层。优选的，所述外延层包括半导体模板层、缓冲层、高温n-GaN层、低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层、高温p-AlGaN电子阻挡层和p型掺杂AlGaN层，所述缓冲层设置在半导体模板层上，所述高温n-GaN层设置在缓冲层上，所述低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层设置在高温n-GaN层上，所述高温p-AlGaN电子阻挡层设置在p型掺杂AlGaN层上。优选的，所述缓冲层包括GaAs层和AlGaAs层组成，且GaAs层和AlGaAs设置有多组，所述GaAs层、AlGaAs层交替堆叠组成超晶格结构。优选的，所述衬底层包括导电衬底、反光层和金属电极层，所述金属电极层设置在反光层上，所述反光层设置在导电衬底上。优选的，所述半导体模板层采用氧化物铬。优选的，所述划痕层上设有切割痕，且切割痕为弯曲状。本专利技术提供了一种极紫外GaNUV-LED外延结构，具备以下有益效果：(1)本专利技术通过在衬底层和多组外延层之间设置划痕层，并在划痕层内设置多组弯曲的切割痕组成，利用切割痕可有效的减少外延生长过程中产生的应力和提高外延材料的均匀性。(2)本专利技术通过将各组外延层之间利用分隔层进行隔离，使用时，可利用分隔层可减少电流侧向注入导致的散热受阻问题，可以更好的进行散热。(3)本专利技术通过将缓冲层采用多组交错叠加设置的GaAs层和AlGaAs层组成，使其具有良好的吸光效果，后期可将吸收的光射出，有效的提到的发光效率和二次出光效率，通过在衬底层内也设置有反光层，使得外延结构具有两组发光结构，提高极紫外GaNUV-LED出光效率。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为本专利技术的整体结构示意图；图2为本专利技术的衬底层结构示意图；图3为本专利技术的外延层结构示意图；图4为本专利技术的划痕层结构示意图。图中：1、衬底层；2、划痕层；3、分隔层；4、外延层；5、导电衬底；6、反光层；7、金属电极层；8、半导体模板层；9、缓冲层；10、高温n-GaN层；11、低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层；12、高温p-AlGaN电子阻挡层；13、p型掺杂AlGaN层；14、切割痕。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1-4所示，本专利技术提供一种技术方案：一种极紫外GaNUV-LED外延结构，包括衬底层1，所述衬底层1上设有外延层4，所述外延层4设有多组，所述外延层4等距离设置，且每组外延层4之间设置有分隔层3，所述外延层4与衬底层1之间设有划痕层2。进一步的，所述外延层4包括半导体模板层8、缓冲层9、高温n-GaN层10、低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层11、高温p-AlGaN电子阻挡层12和p型掺杂AlGaN层13，所述缓冲层9设置在半导体模板层8上，所述高温n-GaN层10设置在缓冲层9上，所述低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层11设置在高温n-GaN层10上，所述高温p-AlGaN电子阻挡层12设置在p型掺杂AlGaN层13上。进一步的，所述缓冲层9包括GaAs层和AlGaAs层组成，且GaAs层和AlGaAs设置有多组，所述GaAs层、AlGaAs层交替堆叠组成超晶格结构，将缓冲层9采用GaAs层和AlGaAs交替堆叠组成超晶格结构，该种缓冲层9具有良好的缓冲效果，且使其具有良好的吸光效果，后期可将吸收的光射出，有效的提到的发光效率和二次出光效率。进一步的，所述衬底层1包括导电衬底5、反光层6和金属电极层7，所述金属电极层7设置在反光层6上，所述反光层6设置在导电衬底5上，利用反光层6，增加出光效率，再结合外延层4内的缓冲层9所具有的发光效果，使其具有两组发光结构。进一步的，所述半导体模板层8采用氧化物铬，使其具有良好的。进一步的，所述划痕层2上设有切割痕14，且切割痕14为弯曲状，利用切割痕14可有效的减少外延生长过程中产生的应力和提高外延材料的均匀性，提高极紫外GaNUV-LED的使用寿命。需要说明的是，一种极紫外GaNUV-LED外延结构，在导电衬底5上设置反光层6，并在反光层6上设置金属电极层7，利用导电衬底5、反光层6、金属电极层7形成具有良好导电性能的衬底层1，然后在衬底层1的表面利用用激光隐形切割技术对衬底层1的表面进行隐形切割，形成多个弯折的切割痕14，利用切割痕14可有效的减少外延生长过程中产生的应力和提高外延材料的均匀性，然后在具有切割痕14的表面设置外延层4，并将外延层4设置为多组，且每组外延层4之间利用分隔层3进行分隔，使用时，在分隔层3的作用下，当电流侧向注入时，可增加散热结构，达到快速散热的效果，其中，将外延层4采用半导体模板层8、缓冲层9、高温n-GaN层10、低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层11、高温p-AlGaN电子阻挡层12和p型掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种极紫外GaN UV-LED外延结构，包括衬底层(1)，其特征在于：所述衬底层(1)上设有外延层(4)，所述外延层(4)设有多组，所述外延层(4)等距离设置，且每组外延层(4)之间设置有分隔层(3)，所述外延层(4)与衬底层(1)之间设有划痕层(2)。/n

【技术特征摘要】
1.一种极紫外GaNUV-LED外延结构，包括衬底层(1)，其特征在于：所述衬底层(1)上设有外延层(4)，所述外延层(4)设有多组，所述外延层(4)等距离设置，且每组外延层(4)之间设置有分隔层(3)，所述外延层(4)与衬底层(1)之间设有划痕层(2)。


2.根据权利要求1所述的一种极紫外GaNUV-LED外延结构，其特征在于：所述外延层(4)包括半导体模板层(8)、缓冲层(9)、高温n-GaN层(10)、低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层(11)、高温p-AlGaN电子阻挡层(12)和p型掺杂AlGaN层(13)，所述缓冲层(9)设置在半导体模板层(8)上，所述高温n-GaN层(10)设置在缓冲层(9)上，所述低温AlGaN/AlInGaN紫外发光层(11)设置在高温n-GaN层(10)上，所述高温p-AlGaN电子阻挡层(12)设置在p型掺杂AlGaN层...

【专利技术属性】
技术研发人员：南琦，刘银，
申请(专利权)人：木昇半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32