【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多晶立方氮化硼体专利
本专利技术涉及多晶立方氮化硼体领域和制备多晶立方氮化硼体的方法。专利技术背景多晶超硬材料例如多晶金刚石(PCD)和多晶立方氮化硼(PcBN)可使用在各种各样的工具中用于切削、机加工、钻孔或降解硬或研磨材料例如岩石、金属、陶瓷、复合材料和含有木材的材料。在切削、碾磨、研磨、钻孔和其它磨蚀操作中广泛使用磨料压块。它们通常含有分散在第二相基体中的超硬磨料颗粒。基体可为金属性或陶瓷的或金属陶瓷。超硬磨料颗粒可为金刚石、立方氮化硼(cBN)、碳化硅或氮化硅等。这些颗粒可在高压和高温压实制造工艺过程中彼此结合从而形成多晶物质,或者可通过一种(或多种)第二相材料的基体结合以形成烧结多晶体。这样的物体通常已知为多晶金刚石或多晶立方氮化硼,其中它们分别含有金刚石或cBN作为超硬磨料。金刚石和立方氮化硼磨料压块的实例描述于美国专利号3,745,623和5,328,875中。美国专利号4,334,928描述用于在工具中使用的烧结压块,其基本上由20-80体积%的立方氮化硼和余量的至少一种粘合剂化合物材料的基体构成,所述粘合剂化合物材料选自以下组:周期表IVa或Va过渡金属的碳化物、氮化物、碳氮化物、硼化物和硅化物、它们的混合物和它们的固溶化合物。在高压氮化硼夹杂在连续基体内的烧结体中基体形成连续结合的结构。在这个文献中概述的方法都包括使用机械碾磨/混合技术例如球磨、研钵等来组合所需的材料。多晶超硬材料例如多晶金刚石(PCD)和PcBN可使用在各种各样的工具中用于切削、机加工、钻孔或降解硬或 ...
【技术保护点】
1.半透明的多晶立方氮化硼体,包含:/n多晶立方氮化硼晶粒;/n不大于2重量%六方氮化硼晶粒;/n在1064nm的波长下小于100cm
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】20171020 GB 1717270.11.半透明的多晶立方氮化硼体,包含:
多晶立方氮化硼晶粒;
不大于2重量%六方氮化硼晶粒;
在1064nm的波长下小于100cm-1的吸收系数。
2.根据权利要求1所述的多晶立方氮化硼体,其中至少50%的多晶立方氮化硼晶粒是孪晶的。
3.根据权利要求1或2任一项所述的多晶立方氮化硼体,其为盘状并具有选自10mm和25mm之间的直径和选自4mm至25mm的高度。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶立方氮化硼体,具有选自12mm和16mm之间的直径和选自8mm至12mm的高度。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的多晶立方氮化硼体,由多晶立方氮化硼晶粒和不大于2重量%六方氮化硼晶粒构成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的多晶立方氮化硼体,包含以下任何:不大于1.5重量%六方氮化硼晶粒,不大于1.0重量%六方氮化硼晶粒,不大于0.5重量%六方氮化硼晶粒,不大于0.2重量%六方氮化硼晶粒,和不大于0.1重量%六方氮化硼晶粒。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的多晶立方氮化硼体,具有以下任何:在1kg载荷下大于3800HK1的努普硬度,在1kg载荷下大于4000HK1的努普硬度,大于35GPa的维氏硬度,大于40GPa的维氏硬度,大于45GPa的维氏硬度,和大于50GPa的维氏硬度。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的多晶立方氮化硼体,具有以下任何:在700nm的波长下小于100cm-1的吸收系数,和在500nm的波长下小于150cm-1的吸收系数。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的多晶立方氮化硼体,具有以下任何:在1064nm的波长下小于50cm-1的吸收系数,和在1064nm的波长下小于30cm-1的吸收系数。
10.半透明的多晶立方氮化硼体,包含:
多晶立方氮化硼晶粒;
不大于2重量%六方氮化硼晶粒;
在350nm的波长下小于100cm-1的吸收系数。
11.根据权利要求10所述的多晶立方氮化硼体,其中至少50%的多晶立方氮化硼晶粒是孪晶的。
12.根据权利要求10或11任一项所述的多晶立方氮化硼体,其为盘状并具有选自10mm和25mm之间的直径和选自4mm至25mm的高度。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的多晶立方氮化硼体,具有选自12mm和16mm之间的直径和选自8mm至12mm的高度。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的多晶立方氮化硼体,由多晶立方氮化硼晶粒和不大于2重量%六方氮化硼晶粒构成。
技术研发人员:A·坎恩,H·S·泰勒,D·吉克,
申请(专利权)人:六号元素英国有限公司,
类型:发明
国别省市:英国;GB
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