一种mini LED PCB外层对准度改善方法技术

本发明专利技术提供一种mini LED PCB外层对准度改善方法，包括以下步骤：内层图形——压合——第一次打靶——镭射——填孔——减铜——研磨抛光——第二次打靶——外层线路；在内层图形时将第二次打靶的副靶蚀刻出来。本发明专利技术在mini led板外层填孔、减铜、研磨抛光后增加一次打副靶流程，副靶和镭射孔属于同一系统，仅二次打靶精度造成1mil以内偏差，且副靶不需经过减铜、研磨抛光，真圆度得到保证，利于副靶作为LDI曝光机对位点明显提升盲孔层线路对位精度提升。

A method to improve the outer alignment of mini led PCB

【技术实现步骤摘要】
一种miniLEDPCB外层对准度改善方法
本专利技术属于PCB加工方法领域，具体涉及一种miniLEDPCB外层对准度改善方法。
技术介绍
一般PCB均采用压合靶孔对位，对于线路对位要求严格的产品，一般外层线路采用镭射靶环对位，将线路和镭射的对位锁定在同一个对位系统里，可有效提升外层线路对位精度。对于miniLED板，外层要求一般为精细线路且外层PAD用于wirebonding，PAD平整度要求高，且其表面不能有明显凸起。导致外层填孔后需要减铜并研磨抛光；如果外层采用镭射靶环对位，经过这些流程后，镭射靶环在铜面上的痕迹已经磨平，不能便于线路LDI曝光机抓取图形对位，强行对位造成盲孔偏；若采用压合靶孔对位，压合靶孔同样经过减铜、研磨、抛光流程，导致孔环破损，真圆度失真，造成LDI曝光机抓取图形对位偏位，严重这造成短路报废或者化金后微短报废。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种miniLEDPCB外层对准度改善方法，本专利技术可有效提升miniled盲孔层对位精度，保证其良品率。本专利技术的技术方案为：一种miniLEDPCB外层对准度改善方法，其特征在于，包括以下步骤：内层图形——压合——第一次打靶——镭射——填孔——减铜——研磨抛光——第二次打靶——外层线路；在内层图形时将第二次打靶的副靶蚀刻出来。进一步的，所述内层图形包括将开料后的芯板，经前处理微蚀粗化铜面后，进行压干膜或印刷湿膜处理，然后将涂覆感光层的芯板用生产菲林对位曝光，使需要的线路部分的感光层发生聚合交联反应，经过弱碱显影时保留下来，将未反应的感光层经显影液溶解掉露出铜面，再经过酸性蚀刻将露铜的部份蚀刻掉，使感光层覆盖区域的铜保留下来而形成线路图形。进一步的，所述内层图形包括在线路图形附近形成对位标靶和副靶。进一步的，所述对位标靶用于第一次打靶加工。进一步的，所述副靶用于第二次打靶加工。进一步的，所述对位标靶的中心位置和副靶的中心位置重合。进一步的，所述第一次打靶包括PCB线路板上用CCD打靶机对所述对位标靶进行识别并打靶。进一步的，所述第二次打靶包括将PCB线路板通过副靶进行对准定位，使得副靶的中心位置与对位标靶的中心位置重合，并打靶。进一步的，所述减铜包括：将填孔后的PCB线路板采用减铜剂进行减铜处理。进一步的，所述减铜剂包括以下重量份数组分：硫酸80-130、双氧水75-125、丙烯醇35-85、柠檬酸钾钠38-68、二乙醇酰胺26-55、苯并三氮唑14-27、杂环胺19-33。进一步的，所述采用减铜剂在25-60℃下进行减铜处理。本专利技术所采用的减铜剂，具有铜离子容忍度高，蚀刻速度快，铜面光亮不易被氧化、对于异常结晶的铜晶体处在减铜蚀刻后也不容易产生针孔缺陷的优点。本专利技术在miniled板外层填孔、减铜、研磨抛光后增加一次打副靶流程，副靶和镭射孔属于同一系统，仅二次打靶精度造成1mil以内偏差，且副靶不需经过减铜、研磨抛光，真圆度得到保证，利于副靶作为LDI曝光机对位点明显提升盲孔层线路对位精度提升。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本专利技术进行进一步的详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本专利技术，并不限定本专利技术的保护范围。实施例1一种miniLEDPCB外层对准度改善方法，其特征在于，包括以下步骤：内层图形——压合——第一次打靶——镭射——填孔——减铜——研磨抛光——第二次打靶——外层线路；在内层图形时将第二次打靶的副靶蚀刻出来。进一步的，所述内层图形包括将开料后的芯板，经前处理微蚀粗化铜面后，进行压干膜或印刷湿膜处理，然后将涂覆感光层的芯板用生产菲林对位曝光，使需要的线路部分的感光层发生聚合交联反应，经过弱碱显影时保留下来，将未反应的感光层经显影液溶解掉露出铜面，再经过酸性蚀刻将露铜的部份蚀刻掉，使感光层覆盖区域的铜保留下来而形成线路图形。进一步的，所述内层图形包括在线路图形附近形成对位标靶和副靶。进一步的，所述对位标靶用于第一次打靶加工。进一步的，所述副靶用于第二次打靶加工。进一步的，所述对位标靶的中心位置和副靶的中心位置重合。进一步的，所述第一次打靶包括PCB线路板上用CCD打靶机对所述对位标靶进行识别并打靶。进一步的，所述第二次打靶包括将PCB线路板通过副靶进行对准定位，使得副靶的中心位置与对位标靶的中心位置重合，并打靶。进一步的，所述减铜包括：将填孔后的PCB线路板采用减铜剂进行减铜处理。进一步的，所述减铜剂包括以下重量份数组分：硫酸80-130、双氧水75-125、丙烯醇35-85、柠檬酸钾钠38-68、二乙醇酰胺26-55、苯并三氮唑14-27、杂环胺19-33。进一步的，所述采用减铜剂在25-60℃下进行减铜处理。本专利技术所采用的减铜剂，具有铜离子容忍度高，蚀刻速度快，铜面光亮不易被氧化、对于异常结晶的铜晶体处在减铜蚀刻后也不容易产生针孔缺陷的优点。本专利技术在miniled板外层填孔、减铜、研磨抛光后增加一次打副靶流程，副靶和镭射孔属于同一系统，仅二次打靶精度造成1mil以内偏差，且副靶不需经过减铜、研磨抛光，真圆度得到保证，利于副靶作为LDI曝光机对位点明显提升盲孔层线路对位精度提升。实施例2本实施例提供一种与实施例1相同的miniLEDPCB外层对准度改善方法，所不同的是，进一步的，所述减铜包括：将填孔后的PCB线路板采用减铜剂进行减铜处理。进一步的，所述减铜剂包括以下重量份数组分：硫酸80、双氧水75、丙烯醇35、柠檬酸钾钠38、二乙醇酰胺26、苯并三氮唑14、杂环胺19。进一步的，所述采用减铜剂在35℃下进行减铜处理。本专利技术所采用的减铜剂，具有铜离子容忍度高，蚀刻速度快，铜面光亮不易被氧化、对于异常结晶的铜晶体处在减铜蚀刻后也不容易产生针孔缺陷的优点。实施例3本实施例提供一种与实施例1相同的miniLEDPCB外层对准度改善方法，所不同的是，进一步的，所述减铜包括：将填孔后的PCB线路板采用减铜剂进行减铜处理。进一步的，所述减铜剂包括以下重量份数组分：硫酸105、双氧水95、丙烯醇53、柠檬酸钾钠48、二乙醇酰胺39、苯并三氮唑18、杂环胺24。进一步的，所述采用减铜剂在50℃下进行减铜处理。本专利技术所采用的减铜剂，具有铜离子容忍度高，蚀刻速度快，铜面光亮不易被氧化、对于异常结晶的铜晶体处在减铜蚀刻后也不容易产生针孔缺陷的优点。实施例4本实施例提供一种与实施例1相同的miniLEDPCB外层对准度改善方法，所不同的是，进一步的，所述减铜包括：将填孔后的PCB线路板采用减铜剂进行减铜处理。进一步的，所述减铜剂包括以下重量份数组分：硫酸110、双氧水105、丙烯醇67、柠檬酸钾钠51、二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种mini LED PCB外层对准度改善方法，其特征在于，包括以下步骤：/n内层图形——压合——第一次打靶——镭射——填孔——减铜——研磨抛光——第二次打靶——外层线路；在内层图形时将第二次打靶的副靶蚀刻出来。/n

【技术特征摘要】
1.一种miniLEDPCB外层对准度改善方法，其特征在于，包括以下步骤：
内层图形——压合——第一次打靶——镭射——填孔——减铜——研磨抛光——第二次打靶——外层线路；在内层图形时将第二次打靶的副靶蚀刻出来。


2.根据权利要求1所述的miniLEDPCB外层对准度改善方法，其特征在于，所述内层图形包括将开料后的芯板，经前处理微蚀粗化铜面后，进行压干膜或印刷湿膜处理，然后将涂覆感光层的芯板用生产菲林对位曝光，使需要的线路部分的感光层发生聚合交联反应，经过弱碱显影时保留下来，将未反应的感光层经显影液溶解掉露出铜面，再经过酸性蚀刻将露铜的部份蚀刻掉，使感光层覆盖区域的铜保留下来而形成线路图形。


3.根据权利要求2所述的miniLEDPCB外层对准度改善方法，其特征在于，所述内层图形包括在线路图形附近形成对位标靶和副靶。


4.根据权利要求3所述的miniLEDPCB外层对准度改善方法，其特征在于，所述对位标靶用于第一次打靶加工。


5.根据权利要求3所述的miniLEDPCB外层对准度改善方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡玉春，李清春，邱小华，闫棕楷，
申请(专利权)人：惠州中京电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44