一种应用于低噪声放大器芯片的自适应偏置电路制造技术

本发明专利技术提供一种应用于低噪声放大器芯片的自适应偏置电路，包括反馈电路、放大电路以及偏置电路，所述反馈电路对输入的射频信号进行优化，有效提高放大器的放大倍数，减少射频信号的失真；所述放大电路将输入的射频信号放大到所需的幅度值且与原输入射频信号的变化规律一致；所述偏置电路为所述放大电路中的晶体管M1的源极提供动态偏置电压。本发明专利技术具有结构简单，尺寸小，同时兼顾低功耗与高动态范围，具有自适应偏置功能，不需要人为改变放大器的源极电阻来手动调节偏置电压，解决了低噪声放大器在功耗和线性度、噪声等性能之间的矛盾，使其在低功耗的工作状态下依然具有较优越的综合性能，大大提高了低噪声放大器芯片的实用性。

An adaptive bias circuit for LNA chip

【技术实现步骤摘要】
一种应用于低噪声放大器芯片的自适应偏置电路
本专利技术属于微电子、半导体及通信
，涉及一种应用于低噪声放大器芯片的自适应偏置电路。
技术介绍
低噪声放大器是射频接收前端的重要组成部分，作为射频接收前端的关键模块，其作用是对天线接收到的微弱信号进行放大并尽可能少地引入本地噪声。其性能对整体接收机的性能起到决定性的影响。低噪声放大器的关键性能指标包括放大增益、噪声系数、线性度和功耗等。一个低噪声放大器不仅要在接收信号时不附加太多的噪声信号，同时在接收强信号时还需要保持足够高的线性度。但是其功耗会对射频电路的增益、噪声和线性度等性能产生较大的影响，这会严重影响接收机前端的整体性能。低噪声放大器可以采用互补式金属氧化物半导体(CMOS)、砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAspHEMT)等作为低噪放大元件。其中采用CMOS器件实现的低噪声放大器虽然集成度高、成本低，但存在高频特性差、线性度低的缺点；采用GaAspHEMT器件实现的低噪声放大器，具有超低的噪声系数和较高的线性度，但也存在集成度低和设计灵活性差的缺点。为了保证信号传输的完整性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用于低噪声放大器芯片的自适应偏置电路，包括反馈电路、放大电路以及偏置电路，其特征在于，/n所述反馈电路对输入的射频信号进行优化，有效提高放大器的放大倍数，减少射频信号的失真；/n所述放大电路将输入的射频信号放大到所需的幅度值，且与原输入射频信号的变化规律一致；/n所述偏置电路为所述放大电路中的晶体管M1的栅极提供动态偏置电压，且与静态偏置电压V1叠加为晶体管M1的源极提供电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种应用于低噪声放大器芯片的自适应偏置电路，包括反馈电路、放大电路以及偏置电路，其特征在于，
所述反馈电路对输入的射频信号进行优化，有效提高放大器的放大倍数，减少射频信号的失真；
所述放大电路将输入的射频信号放大到所需的幅度值，且与原输入射频信号的变化规律一致；
所述偏置电路为所述放大电路中的晶体管M1的栅极提供动态偏置电压，且与静态偏置电压V1叠加为晶体管M1的源极提供电压。


2.如权利要求1所述的一种应用于低噪声放大器芯片的自适应偏置电路，其特征在于，所述反馈电路包括电容C2和电阻R1。


3.如权利要求2所述的一种应用于低噪声放大器芯片的自适应偏置电路，其特征在于，
所述电阻R1的一端与电容C2相连，另一端与电容C1、电阻R2以及晶体管M1的栅极连接；
所述电容C2一端与电阻R1连接，另一端与电感L2、电容C2以及晶体管M1的漏极连接。


4.如权利要求1所述的一种应用于低噪声放大器芯片的自适应偏置电路，其特征在于，所述放大电路中晶体管M1的栅源电压由栅极电压和源极电压共同决定；
其中，所述栅极为固定的零电位，通过所述源极电压用于调节晶体管M1的电压。


5.如权利要求4所述的一种应用于低噪声放大器芯片的自适应偏置电路，其特征在于，所述偏置电路提供动态偏置电压，所述动态偏置电压与静态偏置电压叠加为晶体管M1的源极提...

【专利技术属性】
技术研发人员：屈润东，
申请(专利权)人：西安博瑞集信电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61