多频低噪声放大器制造技术

本发明专利技术涉及集成电路技术领域，具体涉及一种多频低噪声放大器，对于在输入侧通过第一单级射频开关和第二单级射频开关的通断控制切换、选择输入电感的绕线圈数，在输出侧通过第一双级射频开关和第二双级射频开关的通断控制切换、选择输出电感的绕线圈数，辅以可变电容第二电容和第三电容，避免了现有技术中由于匹配网络无源器件固化，而导致低噪声放大器仅能够工作在单频段的问题，实现电感值可调，从而实现电路工作频带可调。此外，本发明专利技术通过在射频开关在切换电感线圈时能够改变线圈的线宽以及相邻线圈的间距以优化外圈线圈的电导和内圈的磁场，从而改善可切换电感的品质因数。

Multifrequency low noise amplifier

【技术实现步骤摘要】
多频低噪声放大器
本专利技术涉及集成电路
，具体涉及一种多频低噪声放大器。
技术介绍
随着5G通信技术发展及应用，射频前端需要支持更多频带及模式，其前端射频结构越来越复杂，要求射频器件设计支持多模多频整合集成及数字化可重构应用，以降低射频器件成本及节省PCB空间。相关技术中，射频前端集成电路中的共源共栅结构低噪声放大器，其匹配网络无源器件固化，从而仅能够工作于单频段，不可调频，不适于多模多频应用。
技术实现思路
本专利技术提供了一种多频低噪声放大器，可以解决相关技术仅能够工作于单频段的问题。本专利技术提供一种多频低噪声放大器，包括：第一电容、第二电容、第三电容、接地电感、输入电感、输出电感、第一电阻、第一MOS管和第二MOS管；其中：所述第一电容的一端为所述多频低噪声放大器的输入端；所述第一电容的另一端分别与第二电容的一端、输入电感的一端和第一MOS管的栅极连接；所述输入电感的另一端连接偏置电压；所述第二电容的另一端连接所述第一MOS管的源极和所述接地电感的一端，所述接地电感的另本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多频低噪声放大器，其特征在于，包括：第一电容、第二电容、第三电容、接地电感、输入电感、输出电感、第一电阻、第一MOS管和第二MOS管；其中：/n所述第一电容的一端为所述多频低噪声放大器的输入端；所述第一电容的另一端分别与第二电容的一端、输入电感的一端和第一MOS管的栅极连接；所述输入电感的另一端连接偏置电压；/n所述第二电容的另一端连接所述第一MOS管的源极和所述接地电感的一端，所述接地电感的另一端接地；所述第一MOS管的漏极连接所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管的栅极连接所述第一电阻的一端，所述第二MOS管的漏极连接第三电容的一端和输出电感的一端，所述输出电感的另一端和所述第一...

【技术特征摘要】
1.一种多频低噪声放大器，其特征在于，包括：第一电容、第二电容、第三电容、接地电感、输入电感、输出电感、第一电阻、第一MOS管和第二MOS管；其中：
所述第一电容的一端为所述多频低噪声放大器的输入端；所述第一电容的另一端分别与第二电容的一端、输入电感的一端和第一MOS管的栅极连接；所述输入电感的另一端连接偏置电压；
所述第二电容的另一端连接所述第一MOS管的源极和所述接地电感的一端，所述接地电感的另一端接地；所述第一MOS管的漏极连接所述第二MOS管的源极，所述第二MOS管的栅极连接所述第一电阻的一端，所述第二MOS管的漏极连接第三电容的一端和输出电感的一端，所述输出电感的另一端和所述第一电阻的另一端均连接电源电压，所述第三电容的另一端为所述多频地噪声放大器的输出端；
从所述输入电感的一端至另一端依次间隔设有第一输入抽头、第二输入抽头、第三输入抽头和第四输入抽头；所述第一输入抽头和第四输入抽头之间连接第二单级射频开关，所述第二输入抽头和第三输入抽头之间连接第一单级射频开关。


2.如权利要求1所述的多频低噪声放大器，其特征在于，所述第一单级射频开关和第二单级射频开关包括均第三MOS管，所述第三MOS管的栅极连接第一栅极电阻的一端，所述第三MOS管的源极和漏极之间连接第一漏源电阻；
第一单级射频开关中第三MOS管的源极和漏极分别连接第二输入抽头和第三输入抽头；第二单级射频开关中第三MOS管的源极和漏极分别连接第一输入抽头和第四输入抽头；
所述第一单级射频开关中第一栅极电阻的另一端连接第一开关信号；所述第二单级射频开关中第一栅极电阻的另一端连接第二开关信号。


3.如权利要求1所述的多频低噪声放大器，其特征在于，在所述输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴若凡，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31