级联放大器以及放大电路制造技术

构成为FET2的端子间耐压(耐压B)比FET1的端子间耐压(耐压A)高，且FET1的栅极宽度(Wg1)比FET2的栅极宽度(Wg2)小。由此，能够确保高输出功率，并且能够提高增益。另外，由于连接至输入端子3的FET1的栅极宽度(Wg1)小，所以能够力求级联放大器的小型化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种级联放大器，第1晶体管与第2晶体管被级联连接，其特征在于：所述第1晶体管的源极端子或射极端子接地；所述第2晶体管的源极端子或射极端子与所述第1晶体管的漏极端子或集电极端子连接；并且所述第1晶体管的栅极宽度或射极面积比所述第2晶体管的栅极宽度或射极面积小。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：新田直子，嘉藤胜也，向井谦治，堀口健一，桧枝护重，森一富，山本和也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP